韓媒：中國十年難造EUV光刻機，或轉建光刻廠

2026年4月，韓國媒體《韓國先驅報》刊發專題評論，斷言中國在本十年內無法實現EUV光刻機的自主化。

其理由在于中國正面臨EUV技術壁壘與國際供應鏈封鎖的雙重挑戰。此前美國主要禁止最頂尖的EUV光刻機，如今則直接將禁令范圍擴大到所有DUV浸沒式光刻機，并要求荷蘭等盟友在150天內執行同等禁令。中國研制光刻機的難度正不斷增加，這一預言賭的并非技術時間表，而是中國研制光刻機的現實困境。

不過，與韓媒的唱衰不同，ASML更多的是焦慮。ASML首席執行官傅恪禮近期就表示：把中國逼急了，等中國搞出自己的技術產品，說不定以后會是中國反過來賣給我們。

有人覺得ASML是杞人憂天，其實不然，他們的焦慮，全是被數據逼出來的。2026年一季度，ASML發布的財報里藏著關鍵信息：中國大陸市場的占比，從之前的全球第一，一下子掉到了19%，直接淪為第三。

要知道，以前中國可是ASML的“最大金主”，現在被韓國反超，韓國以45%的占比成了第一，ASML能不慌嗎？畢竟把中國逼太狠，等于親手丟掉一個潛在的巨大市場，這買賣不劃算。

看到這，估計不少中老年人會疑惑：EUV光刻機到底是個啥寶貝，能讓韓媒這么囂張，讓ASML這么緊張？其實答案很簡單，這東西，難到全球沒有任何一個國家能單獨造出來，包括美國、德國這些科技強國。

先說說它的結構，一臺EUV光刻機，光零部件就有10萬多個，重量快趕上200噸的大貨車，隨便一個小零件出問題，維修起來都得花好幾個月，沒有頂尖技術，連修都修不好。更關鍵的是，這些零件還不是一個國家能搞定的，得靠全球頂尖企業湊一起才行。

比如核心的光源系統，得靠美國的企業來造；高精度的反射鏡，只有德國蔡司能生產，差一點精度都不行；還有特種復合材料，得靠日本的廠家供應。少了其中任何一樣，這臺設備就組裝不起來，相當于“缺胳膊少腿”，根本用不了。

除了零件復雜，精度要求更是嚴到苛刻。設備里的雙工件臺，同步誤差不能超過2納米，可能有人沒概念，簡單說就是，差一點點，芯片就廢了。而且它不只是單一技術的比拼，還得把光學、材料、電子等好幾個領域的頂尖技術融到一起，少一個都不行。

看到這，是不是就能理解，為啥韓媒敢篤定中國造不出來了？但別急，中國的操作，從來都不按常理出牌。

韓媒以為，雙重封鎖下，中國只能束手無策，只能乖乖認輸。可他們萬萬沒想到，中國早就不盯著EUV單機死磕了，而是悄悄開辟了好幾條路，而且每條路，都有了實質性的進展。

可能有人不知道，現在我們的國產極紫外光源已經量產了，28nm浸潤式鏡頭也能自己造了，就連之前被卡脖子的雙工件臺技術，也實現了關鍵突破，不用再看國外臉色。這些進展，看似不起眼，卻為中國光刻機突圍，打下了堅實的基礎。

第一條突圍路線，是納米壓印光刻。國內有個叫璞璘科技的企業，已經造出了相關設備，還實現了量產，線寬能做到小于10nm，比日本佳能的同類產品還好用，而且能耗和成本都降了不少，現在已經用在存儲芯片等領域了。不過這條路線也有小短板，咱們后面再說。

第二條路線，是電子束光刻。浙江大學搞出了一臺叫“羲之”的光刻機，已經正式落地了，精度能達到0.6nm，線寬8nm，最厲害的是，不用掩膜版，就能直接在硅基上“畫”電路，現在已經進入應用測試階段，一下子打破了國外高端電子束光刻設備的禁運困局。這波操作，是不是有點出乎意料？

但最讓人意外的，還是第三條路線——光刻工廠，也就是咱們說的SSMB-EUV技術。這項技術是清華團隊牽頭攻關的，從2017年就開始立項，2021年完成了初步實驗，現在光源功率已經超過了ASML的設備，而且正在雄安推進落地驗證，用不了多久，就能看到實質性的成果。

當然，咱們也不吹牛皮，這些路線都有各自的小局限。納米壓印光刻雖然便宜，但缺陷率有點高，生產效率也不夠，沒法滿足大規模量產的需求；光刻工廠雖然潛力大，但建設周期長，投資也大，短期內還解決不了芯片生產的燃眉之急。不過沒關系，中國的策略，從來都是“多條腿走路”。

其實中國的思路很清晰，不盲目死磕EUV單機，先把眼前的DUV技術吃透，把成熟制程做好。比如上海微電子的28nm浸沒式DUV，已經完成了流片驗證，國產化率突破了85%，很快就能實現商業化交付，滿足大部分日常芯片的需求。中長期呢，就多線并行，靠系統能力的提升，打破國外的單機技術壁壘。

韓媒之所以唱衰中國，說白了，就是只看到了中國研發EUV的難度，卻忽略了中國的韌性和智慧。他們以為的“死局”，說不定就是中國打破壟斷、實現彎道超車的起點。

要知道，中國從來都是被卡脖子一次，就突破一次。以前別人說我們造不出高鐵、造不出航母，我們都一一實現了。這次的光刻機，也不例外。而且光刻工廠的推進，說不定會徹底改變全球光刻機行業的格局，到時候，誰卡誰的脖子，還真不好說。