AI把閃存鏈燒斷了

AI需求不斷上漲，對(duì)于算力的需求仿佛永無(wú)止境，再加上稀土全球供應(yīng)情況，引發(fā)了一個(gè)嚴(yán)重后果：AI上游產(chǎn)業(yè)鏈沒(méi)跟上，“斷”了。

美國(guó)閃存龍頭企業(yè)之一閃迪于前天宣布，大幅調(diào)漲NAND（與非閃存）合約價(jià)格，漲幅高達(dá)50%。閃迪市場(chǎng)占有率約為13%，其漲價(jià)消息引發(fā)整個(gè)存儲(chǔ)供應(yīng)鏈震動(dòng)。創(chuàng)見(jiàn)（Transcend）、宜鼎國(guó)際（Innodisk）與宇瞻科技（Apacer Technology）等模組廠決定暫停出貨并重新評(píng)估報(bào)價(jià)。

其中，創(chuàng)見(jiàn)自11月7日起暫停報(bào)價(jià)交貨，理由為“預(yù)期市場(chǎng)行情將繼續(xù)向好”，言外之意即是“價(jià)格還可能進(jìn)一步上漲”。

模組廠停擺后，最明顯的直接后果就是AI服務(wù)器的制造生產(chǎn)會(huì)受到影響，服務(wù)器供應(yīng)一旦跟不上，本來(lái)手里普遍壓著訂單的甲骨文、微軟等AI巨頭，無(wú)疑會(huì)受到當(dāng)頭一擊。

但對(duì)中國(guó)NAND廠商來(lái)說(shuō)，這未必不是一個(gè)機(jī)會(huì)。

A

閃迪漲價(jià)的原因很簡(jiǎn)單，市場(chǎng)需求量太大了。這家公司2026財(cái)年第一季度財(cái)報(bào)顯示，閃迪營(yíng)收同比增長(zhǎng)22.6%，并預(yù)計(jì)下一季度收入將繼續(xù)大幅超越市場(chǎng)預(yù)期。閃迪發(fā)言人更是在電話會(huì)議中透露，預(yù)計(jì)在2026年，數(shù)據(jù)中心將首次超越移動(dòng)端成為NAND的最大需求來(lái)源。

這已經(jīng)不是閃迪第一次漲價(jià)了，他們已在同年4月和9月分別執(zhí)行了10%的全系產(chǎn)品普漲。而且漲價(jià)的也不只是閃迪一家，美光在閃迪9月漲價(jià)10%后，立馬跟進(jìn)漲了20%到30%左右。哪怕是三星這樣產(chǎn)能很足的廠商，也漲了5%到10%。

這些模組廠是NAND原廠的下游廠商，他們從NAND廠那里采購(gòu)裸芯片，然后將芯片制造成消費(fèi)者和企業(yè)實(shí)際使用的存儲(chǔ)產(chǎn)品——U盤(pán)、移動(dòng)硬盤(pán)、存儲(chǔ)卡、消費(fèi)級(jí)/企業(yè)級(jí)SSD等。

一旦NAND廠商漲價(jià)，那么模組廠也得跟著一起漲。只不過(guò)閃迪一口猛漲了50%，這才迫使這些模組廠需要重新報(bào)價(jià)。這也側(cè)面體現(xiàn)出行業(yè)目前有多么需要NAND。

據(jù)TrendForce預(yù)測(cè)，2026年AI服務(wù)器出貨量將同比增長(zhǎng)超過(guò)20%。單臺(tái)AI服務(wù)器的存儲(chǔ)容量遠(yuǎn)超傳統(tǒng)服務(wù)器，其N(xiāo)AND用量可達(dá)傳統(tǒng)服務(wù)器的3倍。

那么換句話說(shuō)，NAND缺貨的情況不僅不會(huì)好轉(zhuǎn)，缺口反而還會(huì)繼續(xù)擴(kuò)大。

傳統(tǒng)SATA SSD的順序讀取速度約550MB/s、機(jī)械硬盤(pán)順序讀取速度約150MB/s，但是對(duì)于AI服務(wù)器來(lái)說(shuō)，顯然是不夠的。

NAND做的固態(tài)硬盤(pán)叫做NVMe SSD，單盤(pán)順序讀取速度可以達(dá)到數(shù)千MB/s，配合PCIe 4.0/5.0總線，才能基本滿足像是H100那樣訓(xùn)練用GPU的需求。這也是為什么市場(chǎng)需要大量的NAND。

B

全球NAND閃存市場(chǎng)規(guī)模超過(guò)600億美元，長(zhǎng)期以來(lái)由美國(guó)、日本、韓國(guó)的少數(shù)幾家廠商主導(dǎo)。幾家巨頭廠商合計(jì)總市場(chǎng)占有率約為90%。中國(guó)僅有長(zhǎng)江存儲(chǔ)這一家企業(yè)能在全球范圍內(nèi)排得上號(hào)，可截止至2025年第二季度，Counterpoint的數(shù)據(jù)顯示長(zhǎng)江存儲(chǔ)市占率為9%。

不過(guò)對(duì)于長(zhǎng)江存儲(chǔ)來(lái)說(shuō)，這是一個(gè)實(shí)現(xiàn)反超的絕佳窗口。

在產(chǎn)能方面，長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢生產(chǎn)基地當(dāng)前月產(chǎn)能為10萬(wàn)片晶圓，2025年底將提升至15萬(wàn)片/月。根據(jù)公司規(guī)劃，2028年總產(chǎn)能目標(biāo)為30萬(wàn)片/月，屆時(shí)全球NAND產(chǎn)能占比有望從當(dāng)前的9%提升至15%，成為全球第四大NAND供應(yīng)商。

2025年9月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司正式注冊(cè)成立，注冊(cè)資本高達(dá)207.2億元，規(guī)劃月產(chǎn)能10萬(wàn)片，計(jì)劃于2026年投產(chǎn)。

最重要的是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)還計(jì)劃在2025年第三季度進(jìn)軍企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)。簡(jiǎn)單直接地瞄準(zhǔn)AI服務(wù)器應(yīng)用場(chǎng)景。其官方說(shuō)法是，企業(yè)級(jí)SSD的毛利率比消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品高出30%至50%。

但進(jìn)軍企業(yè)級(jí)市場(chǎng)其實(shí)也要面對(duì)很多地考驗(yàn)。

在技術(shù)認(rèn)證方面，企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品需要通過(guò)Intel、AMD等平臺(tái)廠商的兼容性認(rèn)證，以及微軟、VMware等軟件廠商的系統(tǒng)認(rèn)證，認(rèn)證周期通常需要6至12個(gè)月。也就是說(shuō)，每一代NAND產(chǎn)品在完成封裝測(cè)試后，至少要等半年，才能在市場(chǎng)上推廣。

而且長(zhǎng)江存儲(chǔ)還需要面對(duì)一個(gè)驗(yàn)證過(guò)程，才能讓客戶企業(yè)大規(guī)模部署自家的產(chǎn)品。一般來(lái)說(shuō)，這個(gè)過(guò)程也需要兩年時(shí)間。

值得慶幸的是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在技術(shù)層面已經(jīng)達(dá)標(biāo)。根據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)PCIe 5.0企業(yè)級(jí)SSD的公開(kāi)信息來(lái)看，采用自研的Xtacking 4.0架構(gòu)。擁有3.84TB、7.68TB版本，以及新增的16TB和32TB大容量版本。并且可以支持每天4次全盤(pán)寫(xiě)入，對(duì)于有AI訓(xùn)練需求的企業(yè)來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)的耐久性是十分重要的。

C

不僅如此，這種國(guó)產(chǎn)替代的機(jī)會(huì)很可能會(huì)輻射到整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈。最具代表性的產(chǎn)業(yè)就是封裝測(cè)試，封裝測(cè)試是連接芯片設(shè)計(jì)與最終產(chǎn)品的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

在該領(lǐng)域，國(guó)產(chǎn)替代方案有華天科技、通富微電、長(zhǎng)電科技等企業(yè)。

2024年10月，華天科技宣布在南京投資100億元建設(shè)第二期先進(jìn)封裝生產(chǎn)基地，該基地目前已投產(chǎn)的項(xiàng)目就能實(shí)現(xiàn)年封裝40億顆芯片的產(chǎn)能，2028年建設(shè)成第二期后，年封裝量可以突破100億顆。

長(zhǎng)電科技本身也是長(zhǎng)江存儲(chǔ)封測(cè)服務(wù)的主力供應(yīng)商，承接了其70%的晶圓級(jí)封裝訂單，其232層3D NAND芯片的BGA封裝良率達(dá)到了99.2%，且旗下XDFOI高密度多維異構(gòu)集成技術(shù)能適配長(zhǎng)江存儲(chǔ)企業(yè)級(jí)SSD的需求。

通富微電則在2024年啟動(dòng)了總投資35.2億元的先進(jìn)封裝項(xiàng)目，聚焦高性能計(jì)算和存儲(chǔ)芯片封裝。長(zhǎng)電科技的XDFOI Chiplet高密度多維異構(gòu)集成系列工藝已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，可支持存儲(chǔ)芯片與邏輯芯片的異構(gòu)集成封裝。

長(zhǎng)電科技和華天科技2024年全年?duì)I收同比增長(zhǎng)均突破20%，而通富微電2024年歸母凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)達(dá)到了299%。

在設(shè)備和材料領(lǐng)域，國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程同樣也在加速。北方華創(chuàng)已成長(zhǎng)為全球第六大半導(dǎo)體設(shè)備廠商，其刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、爐管和清洗設(shè)備已廣泛應(yīng)用于長(zhǎng)江存儲(chǔ)的生產(chǎn)線。中微公司的等離子體刻蝕機(jī)成功打破國(guó)際壟斷，不僅進(jìn)入長(zhǎng)江存儲(chǔ)供應(yīng)鏈，還被臺(tái)積電采用于5納米制程產(chǎn)線。盛美上海的清洗設(shè)備、中科飛測(cè)的量測(cè)設(shè)備，也在長(zhǎng)江存儲(chǔ)的產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用。

江豐電子的濺射靶材產(chǎn)品已在國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商批量應(yīng)用，打破了日美企業(yè)在這一關(guān)鍵材料領(lǐng)域的壟斷。安集科技的化學(xué)機(jī)械拋光液覆蓋長(zhǎng)江存儲(chǔ)12英寸3D NAND產(chǎn)線，14納米以下先進(jìn)制程拋光液已實(shí)現(xiàn)突破。雅克科技成為國(guó)內(nèi)少數(shù)具備N(xiāo)AND/DRAM全棧能力的材料商，前驅(qū)體產(chǎn)品直接供應(yīng)長(zhǎng)江存儲(chǔ)。

需要指出的是，盡管?chē)?guó)產(chǎn)設(shè)備和材料取得了顯著進(jìn)步，但整體國(guó)產(chǎn)化率仍然較低。根據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)，中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率約為30%，光刻設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率僅為0至1%，量測(cè)設(shè)備為1至10%，涂膠顯影設(shè)備為5至10%。

盡管2025年12英寸大硅片自給率預(yù)計(jì)能達(dá)到50%左右，但這僅針對(duì)主流制程產(chǎn)品，高端大硅片仍依賴進(jìn)口；光刻膠領(lǐng)域僅部分企業(yè)實(shí)現(xiàn)28nm DUV光刻膠量產(chǎn)，高端光刻膠國(guó)產(chǎn)化率依舊極低；電子特氣預(yù)計(jì) 2025 年國(guó)產(chǎn)化率僅25%，市場(chǎng)仍有86%的份額被海外巨頭占據(jù)，三者整體國(guó)產(chǎn)化水平確實(shí)處于較低狀態(tài)。

因此，當(dāng)NAND市場(chǎng)得到突破后，材料和設(shè)備領(lǐng)域可能也會(huì)迎來(lái)一次較為明顯的增長(zhǎng)。