美國對中國芯片產業的圍堵手段層出不窮——從禁止ASML出售EUV光刻機,到限制先進浸潤式DUV光刻機出口,再到拉攏日荷等國半導體設備廠商全面封鎖。
但近日外媒卻稱,在光刻機方面,其實中國已經做了10年的準備。
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外媒是這么說的,說最近幾年,中國一直在大手筆采購ASML光刻機。
僅2023年,中國從ASML進口的光刻機金額就超過600億元,大量囤積的浸潤式DUV光刻機足夠支撐未來十年芯片制造需求。這些設備不僅能生產7nm芯片,更有潛力突破5nm甚至3nm制程。
技術層面看,浸潤式DUV光刻機生產7nm芯片已被臺積電驗證——其初代7nm工藝正是依賴該設備完成,直到第二代才轉向EUV。
而浸沒式光刻機之父林本堅更指出,通過多重曝光技術,這類設備理論上可實現3nm制程。當然,多重曝光會降低良率、推高成本,但當無EUV可用時,優先解決“有無”問題比糾結成本更迫切。
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外媒分析認為,中國近年集中采購的浸潤式DUV光刻機已形成規模優勢。單臺設備產能本就高效,疊加多年持續采購形成的龐大基數,短期內光刻機供應無憂。更關鍵的是,這些設備為未來五年甚至十年留足了緩沖空間。
至于五年后,科技發展速度遠超預期。中國自主研發的浸潤式光刻機、EUV設備或已突破,屆時對外部設備的依賴將大幅降低。正如外媒所言,當前時間的天平已向中國傾斜——時間每延長一年,中國自主研發的進度就多一分保障。
這種“囤貨+研發”的雙線策略,讓中國在芯片制造領域形成獨特韌性。一方面,已購設備確保當前產能需求;另一方面,自主研發項目持續推進,為未來技術升級鋪路。這種布局不僅對沖了外部封鎖風險,更倒逼本土產業鏈加速成熟。
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值得關注的是,中國對光刻機的采購策略并非簡單“囤貨”。根據ASML財報,中國長期是其最大收入來源地,這種持續采購行為本身就反映了市場需求強度。而美方封鎖措施反而刺激了中方提前布局的決心,形成“越封鎖越突破”的逆向效應。
當前,中國芯片產業面臨的不只是設備封鎖,更有美方拉攏盟友構建的“芯片四方聯盟”等圍堵網絡。但中國已用實際行動證明:通過提前儲備關鍵設備、持續投入自主研發,完全能在圍堵中尋得突破口。這種務實策略,比單純依賴外部供應或幻想技術突變更可持續。
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站在十年維度看,中國芯片產業的突破已不僅是設備層面的儲備,更是整個產業鏈生態的構建。從材料、設計到制造、封測,每個環節都在經歷從“可用”到“先進”的迭代。當美方還在糾結如何進一步收緊封鎖時,中國已悄然完成從“追趕”到“并行”的關鍵跨越。
這場沒有硝煙的科技博弈,最終比拼的不僅是設備參數,更是整個體系的抗壓與再生能力。而中國,正以最樸實的方式——囤貨、研發、迭代——書寫自己的答案。
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