美國(guó)媒體：給了中國(guó)EUV光刻機(jī)，也追不上臺(tái)積電的工藝

全球芯片制造領(lǐng)域，臺(tái)積電是繞不開(kāi)的“山頭”。

這家中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)不僅包攬全球約70%的芯片代工份額，在3納米工藝節(jié)點(diǎn)更占超95%市場(chǎng)——三星等同類(lèi)型產(chǎn)品幾乎可以忽略不計(jì)。

但這家“龍頭”卻聽(tīng)命于美國(guó)：被迫赴美建廠投資1650億美元，還被禁止為華為代工芯片。這種局面讓國(guó)人迫切期待中芯國(guó)際崛起，希望中國(guó)在先進(jìn)工藝上擺脫對(duì)臺(tái)積電的依賴(lài)。

然而現(xiàn)實(shí)比想象更骨感。制造5納米及以下芯片需要EUV光刻機(jī)，而美國(guó)禁止ASML向中國(guó)出售該設(shè)備，直接卡住了技術(shù)突破的脖子。

有人幻想“有了EUV就能追上臺(tái)積電”，但美國(guó)媒體潑了冷水：就算中國(guó)有了EUV光刻機(jī)，也追不上臺(tái)積電。

對(duì)方認(rèn)為，臺(tái)積電的護(hù)城河不是某臺(tái)機(jī)器，而是三十年積累的“工藝知識(shí)庫(kù)”。

這套獨(dú)門(mén)秘籍包含晶體管排列方案、制造參數(shù)、工藝模型等細(xì)節(jié)，是工程師在生產(chǎn)線上反復(fù)打磨出的經(jīng)驗(yàn)結(jié)晶。

比如臺(tái)積電起訴前員工羅唯仁泄密2納米技術(shù)，正說(shuō)明這些“隱學(xué)”才是核心壁壘——設(shè)備再先進(jìn)，沒(méi)有配套的工藝知識(shí)和操作經(jīng)驗(yàn)，良率、性能都上不去。

英特爾、三星就是前車(chē)之鑒。兩家企業(yè)都擁有EUV光刻機(jī)，但工藝水平與臺(tái)積電仍有明顯差距。這不是設(shè)備問(wèn)題，而是工藝積累的厚度不同。芯片制造是系統(tǒng)工程，設(shè)備間的配合、參數(shù)的微調(diào)、材料的匹配，都需要長(zhǎng)期試錯(cuò)和經(jīng)驗(yàn)沉淀。中芯國(guó)際當(dāng)前與臺(tái)積電的差距，正體現(xiàn)在這些“看不見(jiàn)的技術(shù)”上。

有人不服氣，認(rèn)為“只要有了EUV，中國(guó)肯定能追上”。但冷靜想想：我們的人才儲(chǔ)備、設(shè)備協(xié)調(diào)能力、工藝數(shù)據(jù)庫(kù)積累，真比英特爾、三星更強(qiáng)嗎？答案顯而易見(jiàn)。臺(tái)積電的技術(shù)壁壘是時(shí)間堆出來(lái)的，不是靠一臺(tái)光刻機(jī)就能瞬間抹平。

不過(guò)，“永遠(yuǎn)追不上”的說(shuō)法也不成立。技術(shù)門(mén)檻再高，只要肯投入時(shí)間、持續(xù)積累，總有突破的一天。EUV光刻機(jī)的研發(fā)勢(shì)在必行，有了它，我們才有進(jìn)入5納米及以下工藝的“入場(chǎng)券”。短期內(nèi)可能難以超越，但長(zhǎng)期看，通過(guò)人才培養(yǎng)、工藝迭代、設(shè)備協(xié)同，追趕臺(tái)積電并非不可能。

說(shuō)到底，芯片產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)不是“有設(shè)備就能贏”的沖刺賽，而是“積累決定上限”的馬拉松。臺(tái)積電的技術(shù)神話，本質(zhì)是時(shí)間與經(jīng)驗(yàn)的產(chǎn)物。中國(guó)要追趕，既需要突破光刻機(jī)這樣的“卡脖子”設(shè)備，更需要在工藝知識(shí)庫(kù)、人才梯隊(duì)、制造經(jīng)驗(yàn)上持續(xù)深耕。這條路沒(méi)有捷徑，但每一步積累，都是向領(lǐng)先者靠近的基石。