死磕8年，燒光400億，中國芯片迎來最大IPO

文 | 市值榜，作者 | 相青，編輯 | 嘉辛

2016年，是朱一明的高光時(shí)刻。

他創(chuàng)辦的兆易創(chuàng)新成功登陸A股，打破了國外在NOR Flash領(lǐng)域的壟斷。

1972年出生的朱一明，17歲考入清華大學(xué)物理系，后留美獲得紐約州立大學(xué)石溪分校碩士學(xué)位，并曾在硅谷存儲(chǔ)公司任職。

然而，規(guī)模僅占存儲(chǔ)市場(chǎng)約1%的NOR Flash并非主戰(zhàn)場(chǎng)，真正被三星、SK海力士和美光科技?jí)艛喑?0%份額、年進(jìn)口額高達(dá)數(shù)千億元的，是占據(jù)市場(chǎng)半壁江山的DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。

朱一明計(jì)劃通過兆易創(chuàng)新來布局DRAM業(yè)務(wù)，卻被現(xiàn)實(shí)潑了一盆冷水，社會(huì)資本因“啟動(dòng)資金一年至少100億元”紛紛退卻。

就在朱一明為資金發(fā)愁時(shí)，合肥這座被稱為“中國最強(qiáng)風(fēng)投”的城市，也正急于擺脫“有屏無芯”的尷尬。于是，就在兆易創(chuàng)新上市的同一年，朱一明與合肥政府共同出資約180億元?jiǎng)?chuàng)立長(zhǎng)鑫科技。

兩年后，朱一明又辭去總經(jīng)理職務(wù)，出任長(zhǎng)鑫科技CEO，全力推進(jìn) DRAM 業(yè)務(wù)。他甚至立下軍令狀：長(zhǎng)鑫不盈利，自己不領(lǐng)一分錢工資。

這是一場(chǎng)極其殘酷的長(zhǎng)跑。

為了追趕與國際巨頭的技術(shù)代差，長(zhǎng)鑫在隨后幾年里開啟了燒錢模式，截至2025年6月30日，長(zhǎng)鑫科技累計(jì)虧損超過400億元。

如今，存儲(chǔ)行業(yè)迎來上行周期，長(zhǎng)鑫科技遞交的科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)已于2025年12月30日獲受理。一座被譽(yù)為“最強(qiáng)風(fēng)投城市”的地方政府，與一位懷揣“中國存儲(chǔ)夢(mèng)”的硅谷歸國創(chuàng)業(yè)者，即將創(chuàng)造2026開年最大IPO。

一、二次創(chuàng)業(yè)

長(zhǎng)鑫科技的IPO正踩在存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)上行周期。

根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，2025年9月以來，DDR5的內(nèi)存條價(jià)格上漲超300%，DDR4內(nèi)存條漲幅也超150%。另外，部分高端內(nèi)存條年內(nèi)漲幅甚至超過 400%，價(jià)格漲勢(shì)遠(yuǎn)超黃金。甚至有業(yè)內(nèi)人士調(diào)侃，一盒高端DDR5內(nèi)存條的價(jià)值，已經(jīng)超過北京上海不少房產(chǎn)。

根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Counterpoint Research發(fā)布最新行業(yè)報(bào)告指出，內(nèi)存市場(chǎng)已進(jìn)入“超級(jí)牛市”階段，當(dāng)前行情甚至超越了2018年的歷史高點(diǎn)，達(dá)到了近8年來新高。

長(zhǎng)鑫科技的誕生背后，正是號(hào)稱最強(qiáng)風(fēng)投城市的合肥，以及創(chuàng)業(yè)者朱一明。

2016 年，就在朱一明創(chuàng)立的兆易創(chuàng)新登陸 A 股之時(shí)，但他早已將目光轉(zhuǎn)向另一片戰(zhàn)場(chǎng)——DRAM （動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。

在全球半導(dǎo)體行業(yè)版圖里，NOR Flash只是邊緣，DRAM才是皇冠上的明珠。

多家行業(yè)機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，在存儲(chǔ)器市場(chǎng)，DRAM 的占比長(zhǎng)期超過 50%，而 NOR Flash 的占比僅約 1%。前者廣泛應(yīng)用于服務(wù)器、PC、智能手機(jī)等算力密集型設(shè)備，決定了系統(tǒng)性能上限；后者更多用于嵌入式與啟動(dòng)存儲(chǔ)，市場(chǎng)規(guī)模與戰(zhàn)略權(quán)重不可相提并論。

而中國是全球最大的DRAM市場(chǎng)，占全球比例約為 43%，但幾乎完全依賴進(jìn)口，自制率遠(yuǎn)低于半導(dǎo)體全行業(yè)水平。

一心做存儲(chǔ)芯片的朱一明，曾下過一個(gè)判斷，“誰在存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域領(lǐng)先，誰就能主宰整個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)。”而想要贏得存儲(chǔ)器市場(chǎng)，就必須啃下DRAM這根硬骨頭。

但是，DRAM領(lǐng)域具有極高的技術(shù)和資金壁壘，市場(chǎng)高度集中，由三星、SK海力士和美光三分天下，是國產(chǎn)芯片供應(yīng)鏈中“卡脖子”最嚴(yán)重的環(huán)節(jié)之一。

而且，要在巨頭的夾縫中成長(zhǎng)起來，一年至少需要100億元的啟動(dòng)資金，且可能面臨連續(xù)數(shù)年的顆粒無收。

就在朱一明為資金發(fā)愁時(shí)，合肥這座被稱為“中國最強(qiáng)風(fēng)投”的城市，也正急于擺脫 “有屏無芯” 的尷尬。

合肥市國資委總經(jīng)濟(jì)師項(xiàng)飆曾回憶說，當(dāng)時(shí)合肥正苦于顯示產(chǎn)業(yè)遭遇“缺芯之痛”，為突破這一“卡脖子”元器件，在深入調(diào)研后，決定與兆易創(chuàng)新合作建設(shè)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)項(xiàng)目研發(fā)線。

于是，在兆易創(chuàng)新上市的同一年，合肥市政府旗下投資平臺(tái)與兆易創(chuàng)新共同籌建長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)項(xiàng)目。2017年3月，一期工廠開工；同年10月，兆易創(chuàng)新宣布斥資180億元，與合肥合作推進(jìn)DRAM項(xiàng)目。

2018年，就在DRAM芯片量產(chǎn)的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，46歲的朱一明做出了一個(gè)外界看來并不理性的決定，在兆易創(chuàng)新市值不斷攀升、個(gè)人聲望達(dá)到頂峰之際，他辭去總經(jīng)理職務(wù)，僅保留董事長(zhǎng)一職，同時(shí)出任長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)CEO及長(zhǎng)鑫科技CEO，全力聚焦DRAM業(yè)務(wù)推進(jìn)。

他立下軍令狀：在長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)盈利前，不領(lǐng)一分錢工資、一分錢獎(jiǎng)金。

二、沖破壟斷

在長(zhǎng)鑫科技之前，中國對(duì) DRAM 的探索已經(jīng)持續(xù)了30多年。

從上世紀(jì) 90 年代的無錫華晶，到 2000 年代的上海華虹NEC、中芯國際，均在DRAM領(lǐng)域，嘗試過突破。但在很長(zhǎng)一個(gè)階段里，這些公司受限于市場(chǎng)、技術(shù)、產(chǎn)業(yè)鏈不完整等因素，大多以代工或技術(shù)引進(jìn)合作為主，沒能成功建立自己的研發(fā)-生產(chǎn)-銷售體系，無法與國外廠商正面競(jìng)爭(zhēng)。

在 DRAM 這樣的成熟產(chǎn)業(yè)中，后來者真正的門檻不僅在資金和工藝，更在專利。過去三十年，三星、SK 海力士和美光建立了高度交織的知識(shí)產(chǎn)權(quán)網(wǎng)絡(luò)，新入局者稍有觸碰，就可能陷入法律糾紛。

與長(zhǎng)鑫科技同一時(shí)期成立的福建晉華的遭遇便是例證，其產(chǎn)品尚未量產(chǎn)，研發(fā)計(jì)劃便因?qū)＠麊栴}被迫中止，項(xiàng)目一度被叫停。

長(zhǎng)鑫科技在技術(shù)上采取了引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新與自主研發(fā)相結(jié)合的策略。項(xiàng)目初期，為了快速起步并規(guī)避專利風(fēng)險(xiǎn)，長(zhǎng)鑫科技收購了德國奇夢(mèng)達(dá)大量?jī)?nèi)存專利，并融入了自身研發(fā)體系。

奇夢(mèng)達(dá)是曾經(jīng)的DRAM巨頭，雖已破產(chǎn)，但其留下的技術(shù)專利為長(zhǎng)鑫的起步提供了寶貴參考。2019年5月，朱一明在上海舉辦的GSA MEMORY+峰會(huì)上第一次披露了公司的專利情況，他表示長(zhǎng)鑫從已經(jīng)破產(chǎn)的奇夢(mèng)達(dá)處獲得了大量專利，并且在這個(gè)基礎(chǔ)上進(jìn)行了創(chuàng)新，專利申請(qǐng)數(shù)量達(dá)到了16000個(gè)，還有1000多萬份、約2.8TB有關(guān)DRAM的技術(shù)文件。

2019年底，長(zhǎng)鑫又宣布其與WiLANInc.合資子公司PolarisInnovationsLimited有關(guān)達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議。

在獲得奇夢(mèng)達(dá)技術(shù)支持后，合肥長(zhǎng)鑫花費(fèi)25億美元的研發(fā)費(fèi)用，在重新設(shè)計(jì)芯片架構(gòu)后，迅速將奇夢(mèng)達(dá)遺留的46nm技術(shù)，提升到10nm級(jí)的水平。

2019年9月，長(zhǎng)鑫科技正式宣布其采用19nm工藝的8Gb DDR4產(chǎn)品投產(chǎn)，產(chǎn)能初步達(dá)到2萬片/月。這標(biāo)志著中國企業(yè)首次掌握了主流DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)能力，打破了該領(lǐng)域長(zhǎng)期被國外壟斷的局面。

這是長(zhǎng)鑫科技乃至中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)史上里程碑式的一年。而技術(shù)突破，則迅速吸引了資本追隨。

2020年，國家大基金二期、小米產(chǎn)投、君聯(lián)資本等入場(chǎng)。2021年，融資盛況空前，220家機(jī)構(gòu)排隊(duì)參與三輪反向路演，原本坐在臺(tái)下聽路演的投資人，不得不走上臺(tái)前來告訴長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)：公司估值應(yīng)該多少？在什么條件下愿意投？投多少？最終長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)再從中選擇10多家投資方納入考察范圍，長(zhǎng)鑫科技估值飆升至超390億元，成為“超級(jí)獨(dú)角獸”。

去年6月，在上市前最后一輪融資中，阿里云以61億元認(rèn)購其3.85%新增注冊(cè)資本，將長(zhǎng)鑫科技的Pre-IPO估值推升至1584億元。

在資金支持下，長(zhǎng)鑫科技的技術(shù)布局也加速落地。2021年成功研發(fā)并投產(chǎn) 17nm (1ynm) 工藝；2023年11月，推出首款國產(chǎn) LPDDR5 產(chǎn)品，隨后進(jìn)入小米、傳音等品牌手機(jī)的供應(yīng)鏈，實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)內(nèi)存從PC端向高端移動(dòng)終端的跨越。

從財(cái)報(bào)來看，長(zhǎng)鑫科技研發(fā)投入強(qiáng)度極高，2022年至2025年上半年累計(jì)研發(fā)投入188.67億元，占累計(jì)營收的33.11%；截至2025年6月30日，長(zhǎng)鑫科技共擁有境內(nèi)專利3116件（其中發(fā)明專利2348件）、境外專利2473件，應(yīng)用于公司主營業(yè)務(wù)并能夠產(chǎn)業(yè)化的發(fā)明專利超過7項(xiàng)。

但正是在這種高強(qiáng)度研發(fā)投入下，長(zhǎng)鑫科技產(chǎn)品才實(shí)現(xiàn)了突破，營收實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)步增長(zhǎng)，2022年至2024年?duì)I收分別為82.87億元、90.87億元、241.78億元。

三、拐點(diǎn)已至

如果從市場(chǎng)份額來看，今天的長(zhǎng)鑫科技，在全球DRAM的牌桌上，還只是一個(gè)剛剛獲得入場(chǎng)券的新玩家。

據(jù)統(tǒng)計(jì)，長(zhǎng)鑫科技在全球DRAM市場(chǎng)中占據(jù)3.97%的份額，按產(chǎn)能、出貨量及銷售額綜合衡量，穩(wěn)居全球第四位，同時(shí)也是中國大陸排名第一的DRAM廠商。

但與行業(yè)頭部玩家相比，這一體量仍然十分有限。2024年三星電子、SK海力士、美光科技的市場(chǎng)占有率分別為40.35%、33.19%和20.73%，這三家公司合計(jì)占據(jù)全球90%以上的市場(chǎng)份額。

在 DRAM 這樣的行業(yè)里，市場(chǎng)份額意味著強(qiáng)議價(jià)權(quán)和周期承受力。尤其在價(jià)格下行周期，巨頭可以通過規(guī)模和成本優(yōu)勢(shì)對(duì)沖沖擊，而新玩家，往往只能被動(dòng)承受周期沖擊。

這也直接反映在長(zhǎng)鑫科技的財(cái)務(wù)表現(xiàn)上。

2022年~2024年及2025年上半年，長(zhǎng)鑫科技分別虧損83.28億元、163.4億元、71.45億元、23.32億元，截至2025年6月30日，長(zhǎng)鑫科技累計(jì)虧損408.57億元。

其中，2023年是長(zhǎng)鑫科技最艱難的一年，虧損額（163.4 億元）較其他年份翻倍，正是受行業(yè)周期影響。

2022年至2023年期間，受上游DRAM產(chǎn)品庫存水平較高、下游市場(chǎng)需求低迷的影響，DRAM行業(yè)經(jīng)歷了深度下行周期，DRAM產(chǎn)品的銷售價(jià)格大幅下滑，直到2023年下半年市場(chǎng)開始逐步回暖。

2023年，雖然長(zhǎng)鑫科技銷量實(shí)現(xiàn)大幅增長(zhǎng)，但由于DRAM產(chǎn)品銷售單價(jià)同比下滑43.54%，因此收入增速受到較大影響，并導(dǎo)致公司存貨減值損失計(jì)提增加，對(duì)公司利潤(rùn)產(chǎn)生沖擊。

除了周期因素，另一層挑戰(zhàn)來自技術(shù)與產(chǎn)品結(jié)構(gòu)本身。

在制程工藝上，長(zhǎng)鑫目前工藝在密度與功耗上與三星、海力士仍有 1-2 代的代差。在產(chǎn)品層面，盡管長(zhǎng)鑫已攻克DDR5的良率關(guān)卡，但在算力時(shí)代的核心抓手HBM 領(lǐng)域，長(zhǎng)鑫仍處于從0到1的突破階段。

相比之下，三星、SK 海力士和美光不僅在 DDR5 的量產(chǎn)節(jié)奏上更快，更重要的是，已經(jīng)在 HBM2、HBM3 等高端 DRAM 產(chǎn)品上實(shí)現(xiàn)規(guī)模出貨，并與 GPU、CPU 廠商形成高度綁定的供貨關(guān)系，牢牢卡住了 AI 算力產(chǎn)業(yè)鏈中最具溢價(jià)能力的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。

這也意味著，當(dāng)前長(zhǎng)鑫科技的產(chǎn)品仍以通用型 DRAM 為主，在 AI 核心應(yīng)用中的滲透率有限。即便公司已明確向 HBM 等高端產(chǎn)品推進(jìn)，但從研發(fā)驗(yàn)證、良率爬坡到規(guī)模化商業(yè)落地，仍是一條周期長(zhǎng)、投入重的追趕之路。

不過，從行業(yè)周期的角度看，長(zhǎng)鑫科技也并非沒有窗口期。

AI 算力浪潮的到來，正在重塑 DRAM 的需求結(jié)構(gòu)。AI 服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心和高性能計(jì)算，對(duì)內(nèi)存容量和帶寬的需求提升，為 DRAM 行業(yè)打開了新一輪成長(zhǎng)空間。

受益于內(nèi)存價(jià)格回升及銷量增長(zhǎng)，長(zhǎng)鑫科技預(yù)計(jì)2025年度實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入550億元至580億元，同比增長(zhǎng)127.48%至139.89%；預(yù)計(jì)凈利潤(rùn)將實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，達(dá)到20億元至35億元。

關(guān)鍵拐點(diǎn)已經(jīng)來臨。對(duì)長(zhǎng)鑫科技而言，真正的挑戰(zhàn)不僅在于是否能迎來盈利，更在于能否在技術(shù)與產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上完成躍遷，這將最終決定它在全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)中，最終能搏得多大市場(chǎng)份額。