半導(dǎo)體材料，重大突破！碳化硅龍頭，已搶先發(fā)力

數(shù)據(jù)是個(gè)寶

投資少煩惱

半導(dǎo)體材料概念股開年大漲。

我國(guó)攻克半導(dǎo)體材料世界難題

在芯片制造中，不同材料層間的“島狀”連接結(jié)構(gòu)長(zhǎng)期阻礙熱量傳遞，成為器件性能提升的關(guān)鍵瓶頸。

據(jù)科技日?qǐng)?bào)，近日，西安電子科技大學(xué)郝躍院士、張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)通過創(chuàng)新技術(shù)，成功將粗糙的“島狀”界面轉(zhuǎn)變?yōu)樵蛹?jí)平整的“薄膜”，使芯片散熱效率和器件性能獲得突破性提升。這項(xiàng)為半導(dǎo)體材料高質(zhì)量集成提供“中國(guó)范式”的突破性成果，已發(fā)表在《自然·通訊》與《科學(xué)進(jìn)展》上。

西安電子科技大學(xué)副校長(zhǎng)、教授張進(jìn)成介紹，傳統(tǒng)半導(dǎo)體芯片的晶體成核層表面凹凸不平，嚴(yán)重影響散熱效果。熱量散不出去會(huì)形成“熱堵點(diǎn)”，嚴(yán)重時(shí)導(dǎo)致芯片性能下降甚至器件損壞。這個(gè)問題自2014年相關(guān)成核技術(shù)獲得諾貝爾獎(jiǎng)以來(lái)，一直未能徹底解決，成為射頻芯片功率提升的最大瓶頸。

本次研究團(tuán)隊(duì)首創(chuàng)“離子注入誘導(dǎo)成核”技術(shù)，將原本隨機(jī)的生長(zhǎng)過程轉(zhuǎn)為精準(zhǔn)可控的均勻生長(zhǎng)。實(shí)驗(yàn)顯示，新結(jié)構(gòu)界面熱阻僅為傳統(tǒng)的三分之一?；谠摷夹g(shù)制備的氮化鎵微波功率器件，在X波段和Ka波段輸出功率密度分別達(dá)42瓦/毫米和20瓦/毫米，將國(guó)際紀(jì)錄提升30%—40%。這意味著同樣芯片面積下，裝備探測(cè)距離可顯著增加，通信基站也能覆蓋更遠(yuǎn)、更節(jié)能。

半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化加速推進(jìn)

半導(dǎo)體材料是芯片制造的基石，是用于制作集成電路、分立器件、傳感器、光電子器件等產(chǎn)品的重要材料。從光刻膠到硅片，從電子特氣到CMP拋光墊，半導(dǎo)體材料被譽(yù)為“芯片產(chǎn)業(yè)的糧食”。

中國(guó)工程院院士、北京有色金屬研究總院名譽(yù)院長(zhǎng)屠海令曾表示，國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程正加速推進(jìn)，大尺寸硅材料、砷化鎵等領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)替代迎來(lái)“黃金窗口期”，半導(dǎo)體級(jí)硅材料國(guó)產(chǎn)化率已超過50%，拋光液等材料的國(guó)產(chǎn)化率也已突破30%。AI算力、新能源汽車等終端需求，更是為上游材料企業(yè)創(chuàng)造了倍數(shù)級(jí)增長(zhǎng)機(jī)遇。此外，行業(yè)創(chuàng)新活力迸發(fā)，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料正加速應(yīng)用于新能源汽車、5G通信等領(lǐng)域，有效提升了器件性能與能效。

據(jù)光大證券，TECHCET預(yù)計(jì)，2025年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模約700億美元，同比增長(zhǎng)6%；該機(jī)構(gòu)同時(shí)預(yù)計(jì)2029年半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模將超過870億美元。國(guó)內(nèi)方面，中商產(chǎn)業(yè)研究院統(tǒng)計(jì)及預(yù)測(cè)，2025年中國(guó)關(guān)鍵材料市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1741億元，同比增長(zhǎng)21.1%。

平安證券研報(bào)認(rèn)為，當(dāng)前地緣政治風(fēng)險(xiǎn)背景下，半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化或?qū)⑻崴?。隨著先進(jìn)制程、存儲(chǔ)、封裝的快速發(fā)展，疊加國(guó)產(chǎn)化政策的有力推動(dòng)，半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化材料迎來(lái)重要發(fā)展機(jī)遇。

半導(dǎo)體材料概念取得開門紅

二級(jí)市場(chǎng)方面，2026年以來(lái)，半導(dǎo)體材料相關(guān)個(gè)股走勢(shì)強(qiáng)勁。

1月16日，在A股大盤指數(shù)調(diào)整的背景下，半導(dǎo)體材料概念股逆市走強(qiáng)，碳化硅龍頭天岳先進(jìn)收獲“20cm”漲停，康強(qiáng)電子錄得“10cm”漲停板，上海合晶、神工股份、華海誠(chéng)科、華懋科技、安集科技等均漲超7%。

僅1月16日當(dāng)天，就有12只半導(dǎo)體材料概念股盤中股價(jià)創(chuàng)歷史新高，包括和林微納、珂瑪科技、凱德石英、南大光電等。

據(jù)證券時(shí)報(bào)·數(shù)據(jù)寶統(tǒng)計(jì)，截至1月16日收盤，半導(dǎo)體材料概念股今年以來(lái)平均上漲21.15%，大幅跑贏同期上證指數(shù)、創(chuàng)業(yè)板指數(shù)、科創(chuàng)50指數(shù)等。

當(dāng)前正值年報(bào)業(yè)績(jī)預(yù)告披露期，業(yè)績(jī)成為投資者關(guān)注焦點(diǎn)。在AI算力、數(shù)據(jù)中心、智能駕駛等賽道加速擴(kuò)張的背景下，哪些半導(dǎo)體材料概念股具備高增長(zhǎng)潛力？

據(jù)數(shù)據(jù)寶統(tǒng)計(jì)，根據(jù)5家及以上機(jī)構(gòu)一致預(yù)測(cè)，2026年、2027年凈利潤(rùn)增速均有望超20%的半導(dǎo)體材料概念股有12只。

這12股當(dāng)中，以1月16日收盤價(jià)與機(jī)構(gòu)一致預(yù)測(cè)目標(biāo)價(jià)相比，德邦科技、昊華科技上漲空間均逾10%，分別達(dá)到39.21 %、10.86%。

德邦科技近期在投資者互動(dòng)平臺(tái)透露，在長(zhǎng)江存儲(chǔ)的封測(cè)平臺(tái)宏茂微，公司的固晶膠已經(jīng)量產(chǎn)供貨，主要用于IC封裝環(huán)節(jié)；DAF（固晶膜）已經(jīng)完成技術(shù)驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)入。

昊華科技現(xiàn)有三氟化氮產(chǎn)能5000噸/年，公司正在四川自貢沿灘基地新建6000噸/年三氟化氮項(xiàng)目，項(xiàng)目一期3000噸裝置已投產(chǎn)。公司三氟化氮產(chǎn)品主要應(yīng)用于集成電路制造的蝕刻、清洗等環(huán)節(jié)。

周一｜牛市正當(dāng)時(shí)

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責(zé)編：何予

校對(duì)：劉星瑩