三星電子或最早于本月第三周開始量產HBM4，高“設備”含量的科創半導體ETF（588170）近1月規模增長33.84億元領先同類

截至2026年2月9日 13點34分，上證科創板半導體材料設備主題指數強勢上漲2.16%，成分股興福電子上漲8.78%，華海誠科上漲7.08%，晶升股份上漲6.26%，中船特氣，華峰測控等個股跟漲。科創半導體ETF（588170）上漲2.08%，最新價報1.77元。

截至2026年2月9日 13點36分，中證半導體材料設備主題指數強勢上漲2.25%，成分股華海誠科上漲6.85%，廣立微上漲6.44%，晶升股份上漲5.72%，華峰測控，中船特氣等個股跟漲。半導體設備ETF華夏（562590）上漲2.08%，最新價報1.92元。

流動性方面，科創半導體ETF盤中換手6.3%，成交5.12億元；半導體設備ETF華夏盤中換手3.56%，成交9782.14萬元。規模方面，科創半導體ETF近1月規模增長33.84億元，實現顯著增長，新增規模領先同類；半導體設備ETF華夏最新規模達26.91億元。

資金流入方面，科創半導體ETF最新資金凈流入8744.07萬元。拉長時間看，近10個交易日內有6日資金凈流入，合計“吸金”3.37億元，日均凈流入達3365.63萬元；半導體設備ETF華夏最新資金凈流出378.03萬元。拉長時間看，近21個交易日內有15日資金凈流入，合計“吸金”16.04億元，日均凈流入達7636.82萬元。

消息面上，三星電子決定最早于本月第三周開始量產HBM4，這批產品將用于英偉達下一代人工智能計算平臺Vera Rubin。在已通過英偉達認證測試的情況下，三星電子綜合考慮Vera Rubin的上市計劃，最終敲定了量產時間。業界預計，英偉達有望在下月舉行年度開發者大會（GTC）上首次公開搭載三星電子HBM4的相關產品。

中郵證券指出，Rubin GPU集成了新一代高帶寬內存HBM4，其接口寬度較HBM3e增加一倍。通過新內存控制器、與內存生態系統的深度協同設計及更緊密的計算-內存集成，Rubin GPU的內存帶寬幾乎達到了Blackwell的三倍。數量上，每顆Rubin GPUHBM4，容量288GB，帶寬22TB/s，不再只是GPU附近的“高速緩存”，而是整個系統吞吐的硬約束。單價上，HBM4較3e顯著提升，有望明顯帶動原廠的毛利率提升。

相關ETF：公開信息顯示， 科創半導體ETF（588170）及其聯接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科創板半導體材料設備主題指數，囊括科創板中 半導體設備（60%）和半導體材料（25%）細分領域的硬科技公司。 半導體設備和材料行業是重要的國產替代領域，具備國產化率較低、國產替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導體需求，擴張、科技重組并購浪潮、光刻機技術進展。

半導體設備ETF華夏（562590）及其聯接基金（A類：020356；C類：020357），指數中半導體設備（63%）、半導體材料（24%）占比靠前，充分聚焦半導體上游。