四川
東海證券指出，DRAM領(lǐng)域不僅HBM投資激增，通用DRAM投資也大幅增長(zhǎng)，市場(chǎng)供需趨于緊張；邏輯/代工制程向2納米、1.4納米進(jìn)一步微縮，相關(guān)投資持續(xù)增加；NAND閃存領(lǐng)域則隨著數(shù)據(jù)中心eSSD需求攀升，客戶正逐步提升稼動(dòng)率并帶動(dòng)新設(shè)備投資。中國(guó)市場(chǎng)整體WFE投資規(guī)模預(yù)計(jì)保持平穩(wěn)，但結(jié)構(gòu)正從去年的存儲(chǔ)投資向邏輯芯片投資切換。中長(zhǎng)期看，AI應(yīng)用將持續(xù)拉動(dòng)尖端半導(dǎo)體投資，預(yù)計(jì)到2030年，高端器件晶圓前道制造設(shè)備市場(chǎng)將保持10%的復(fù)合年增長(zhǎng)率。
科創(chuàng)綜指ETF國(guó)泰（589630）跟蹤的是科創(chuàng)綜指（000680），單日漲跌幅限制達(dá)20%，該指數(shù)由科創(chuàng)板上市的符合條件的證券組成，旨在反映科創(chuàng)板整體表現(xiàn)。其成分股覆蓋了大部分科創(chuàng)板市值，行業(yè)分布較為均衡，重點(diǎn)涵蓋信息技術(shù)、生物醫(yī)藥和高端裝備等領(lǐng)域，體現(xiàn)了較強(qiáng)的創(chuàng)新性和成長(zhǎng)性。
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