全線大漲！芯片，突傳重大利好！

存儲芯片漲價潮愈演愈烈。

據最新消息，存儲芯片巨頭SK海力士表示，受人工智能（AI）客戶強勁需求和供應增長有限的推動，預計存儲芯片價格將在全年持續上漲。該公司還透露，今年沒有任何一家客戶能完全滿足需求。

受漲價的利好刺激，存儲芯片概念股周五全線大漲，美股閃迪大漲超4%，美光科技漲超2%；SK海力士大漲超6%，創出歷史新高。此前有消息稱，三星電子正就其最新一代AI存儲芯片進行定價談判，價格較上一代產品最高上浮30%。

芯片巨頭：價格將持續上漲

在最新召開的虛擬投資者會議上，SK海力士釋放強烈信號：存儲芯片行業已全面進入賣方市場。

SK海力士對今年的價格走勢給出了非常明確的指引：受AI客戶強勁需求和供應增長有限的推動，預計存儲芯片價格將在全年持續上漲。

目前的供需緊張程度已經達到了近年來的高點，SK海力士向高盛透露：“今年沒有任何一家客戶能夠完全滿足其存儲需求。”

關于供給端，SK海力士指出，全行業受限于潔凈室（Clean room）空間的不足，供應增長受到物理限制。客戶非常清楚，短期內存儲產能無法顯著增加。因此他們意識到，重復下單并不會帶來更多的分配量，反而只會進一步推高價格。

從庫存角度看，服務器客戶的庫存已達到健康水平，而PC和移動客戶的庫存正呈現下降趨勢。

更為關鍵的是作為供應端的SK海力士，其自身庫存已極其單薄。

該公司稱：“我們在DRAM和NAND上的庫存均處于正常水平，約為4周，并預計這一水平在全年將繼續下降。”

另外，對于市場高度關注的HBM（高帶寬內存），SK海力士明確表示，2026年的產能分配已成定局。2026年的HBM已全部售罄，滿足客戶需求的生產計劃已經分配完畢。

SK海力士坦言，鑒于目前的生產計劃，很難在2026年對HBM和標準型DRAM的產線進行有意義的調整。

由于標準型DRAM目前的供需極度緊張（Tight S/D），這為SK海力士在談判桌上贏得了更多籌碼，定價權更為穩固。

在此背景下，SK海力士透露，“正在與主要客戶討論多年期的長期合約”。

該公司認為，這種緊張局勢“可能會為2027年的HBM業務帶來更優惠的條款”。

另外，SK海力士在資本開支（Capex）上仍保持清醒。

公司確認今年的資本開支將超過去年，但強調將“繼續堅持資本開支紀律”。投資的優先級非常清晰：核心聚焦于HBM和標準型DRAM。對于NAND業務，雖然恢復了部分投資（主要是向321層3D NAND遷移），但其在總資本開支中的占比將保持穩定（預計維持在低雙位數百分比），不會盲目擴張。

存儲芯片概念股全線大漲

美東時間2月20日，美股存儲概念股全線大漲，閃迪大漲4.65%，美光科技漲超2%。當日亞洲交易時段，SK海力士大漲6.15%，股價再度創出歷史新高；三星電子亦創出收盤歷史新高。港股存儲芯片概念股亦小幅走強，其中瀾起科技一度大漲超8%，兆易創新一度漲近4%。

當天有報道稱，存儲芯片巨頭三星電子正就其最新一代AI存儲芯片的定價進行談判，價格將較上一代高出至多30%。

盛寶銀行首席投資策略師查魯·查納納表示，有關三星 HBM4 的報道再次凸顯了該行業的“定價權”，“這表明 AI 存儲芯片市場供應依然緊張，同時三星認為自己在高端市場重新奪回了部分定價話語權”。

市場研究公司TrendForce預測，僅2026年第一季度，DRAM、NAND閃存的價格預計就將分別上漲90%至95%、55%至60%。

谷歌DeepMind首席執行官Demis Hassabis日前在接受采訪時談到了眼下席卷全球的“內存荒”。他表示，內存芯片“整個供應鏈”都受限，硬件層面的挑戰“正限制著大量（AI）部署”。

英特爾CEO陳立武近日也警告稱，AI 發展的瓶頸已從“算力”轉移至“內存”及更廣泛的基礎設施系統。他直言，內存短缺問題在2028年之前都不會緩解。

Bernstein半導體行業分析師Mark Li警告稱，內存價格正在呈現“拋物線式”上漲。雖然這將為三星電子、美光科技和SK海力士帶來豐厚利潤，但電子行業的其他領域將在未來數月付出沉重代價。

Counterpoint Research表示，內存成本上漲可能導致低端設備在經濟上對電子公司而言難以為繼。隨著利潤率的下降，一些低價智能手機可能會徹底退出市場。

責編：楊喻程

排版：汪云鵬

校對：姚遠