大疆起訴美國FCC；科技巨頭在韓挖角HBM和AI人才；蘋果供應鏈大動作 | 新聞速遞

五分鐘了解產業大事

每日頭條芯聞

1. 大疆起訴美國FCC
   

2. 小米計劃未來五年重點攻堅芯片、AI、操作系統等底層核心技術

3. 科技巨頭在韓挖角HBM和AI人才

4. 消息稱三星電子晶圓代工產能利用率回升，有望扭轉長期頹勢

5. 蘋果供應鏈大動作
   

6. 高通首批機架級AI軟硬件解決方案開啟交付，基于AI 100芯片

7. 日本巨頭撤退

8. 消息稱三星電子計劃2026H1啟動PCIe Gen6 SSD測試設備引進

9. 三星電子1c nm DRAM的HBM4良率或接近六成

10. 分析師：2026年全球存儲市場規模將大增159%，達5749億美元

11. 前花旗高管警告：未來幾十年人工智能機器人數量將超勞動人口

12. 機構：美國四大科技巨頭將投資6500億美元，AI熱潮已進入“更危險階段”

13. 機構：2026年全球顯示設備總支出將同比增長32%

1

【大疆起訴美國FCC】

據環球時報報道，美國東部時間2026年2月20日，大疆創新正式向美國第九巡回上訴法院提起上訴，挑戰美國聯邦通信委員會（FCC）2025年12月23日將大疆及產品列入“受管制清單”的不當決定。

大疆創新方面表示，此舉旨在維護大疆創新的合法權益、保護依賴大疆產品卻受到禁令影響的美國消費者及廣大農業行業用戶利益。

此前，美國聯邦通信委員會主席Brendan Carr于2025年12月23日宣布，根據美國行政部門的國家安全決定，FCC已將外國制造的無人機（UAS）及其關鍵部件添加到FCC的受管制清單中，今后將適用該清單。

2

【科技巨頭在韓挖角HBM和AI人才】

據TrendForce報道，英偉達、蘋果等美國科技巨頭正在韓國精準挖角三星電子和SK海力士的AI、HBM人才，試圖縮小這兩家韓企在內存市場的長期領先優勢。

據報道，英偉達本月初在領英平臺招聘HBM開發工程師，起步年薪高達258750美元（現約合179萬元人民幣）；而蘋果也在上個月公開招聘了NAND閃存產品工程師，年薪更是達到305600美元（現約合211.4萬元人民幣）。

此前，據韓媒報道，美光也從其年底開始在韓國挖角三星、SK海力士工程師，有消息稱美光為了吸引專家跳槽開出了兩倍薪資待遇，并提供3億韓元（現約合144.4萬元人民幣）的簽約獎金。

3

【蘋果供應鏈大動作】

據《華爾街日報》報道，蘋果公司向其透露，將把部分Mac mini臺式電腦的生產從亞洲轉移到美國，這是其將龐大供應鏈的部分環節遷回美國國內的最新舉措。

蘋果首席運營官Sabih Khan表示，新的制造工作將于今年晚些時候在休斯頓北部的富士康工廠啟動。他在帶領《華爾街日報》首次公開參觀該工廠的兩座主要建筑時介紹了這一計劃，其中一座建筑里富士康正在組裝蘋果的人工智能服務器，另一座目前是一個巨大的倉庫，將被改造成22萬平方英尺（約20439平方米）的Mac mini制造空間。

此次將Mac mini生產線轉移至美國，是蘋果將部分供應鏈環節遷回美國國內的最新舉措，其背后的原因與當前復雜的關稅環境密切相關。

4

【日本巨頭撤退】

據日經亞洲報道，日本電子廠商松下將于今年4月，將北美和歐洲的電視銷售業務移交至中國大型家電制造商創維集團，自身則專注于日本本土市場銷售及高端機型生產。

松下已與創維簽署涵蓋歐美電視業務的全面合作協議，其中包括銷售業務的移交。

一位知情人士表示：“能夠降低競爭加劇等經營風險，是此次決策的重要因素。”松下計劃與創維在研發與生產領域展開合作，推出兼具成本與技術競爭力的優質產品。

日本企業在電視領域的影響力正逐漸消退。索尼今年1月宣布，將其電視業務外包給由TCL牽頭的合資公司。夏普、東芝等其他日本電子廠商，也已將電視業務控制權移交至海外企業。

5

【三星電子1c nm DRAM的HBM4良率或接近六成】

據韓媒報道稱，三星電子的1c nm制程DRAM內存在高溫環境熱測試中的良率已達80%，相較2025年Q4的60%~70%明顯提升，顯示該工藝的量產成熟度有了很大改進，商業化階段的盈利能力大幅增強。

與此同時，基于1c nm DRAM的HBM4 AI內存的良率也有所改善，從2025年Q4的50%提升至接近60%，這意味著三星電子能在有限的產能容量中產出更多HBM，在高利潤市場贏得更大營收規模。

與制程良率同步提升的是三星的1c nm產能，這部分的月度晶圓投片量在2025年末僅有6萬片，而到2026年H2將升至20萬片。

6

【分析師：2026年全球存儲市場規模將大增159%，達5749億美元】

韓華投資證券分析師Park Jun-young在發布的一份報告中預測，2026年全球存儲市場規模將比上年增長159%，達到5749億美元，是2018年1599億美元的3.6 倍。

他預測，DRAM市場將同比增長192%，達到4399億美元，NAND市場將增長88%，達到1350億美元。這種增長是典型的價格驅動型現象，預計2026年DRAM平均售價（每Gb）將從2025年的0.52美元上漲138%至1.23美元，而NAND閃存平均售價（每Gb）預計也將上漲超過65%，從2025年的0.07美元上漲至0.12美元。