美荷兩國曾同時(shí)發(fā)聲，對(duì)中國獨(dú)立研發(fā)的光刻機(jī)技術(shù)給予了強(qiáng)烈批評(píng)

西方圍繞光刻機(jī)發(fā)起的這場(chǎng)系統(tǒng)性“圍堵”，堪稱一套環(huán)環(huán)相扣的戰(zhàn)略壓制體系——既在硬件端實(shí)施嚴(yán)絲合縫的技術(shù)禁運(yùn)，又在認(rèn)知端密集投放質(zhì)疑敘事。其深層意圖，是向全球產(chǎn)業(yè)界錨定一個(gè)固化印象：中國在尖端制造領(lǐng)域不具備自主突破能力。

這場(chǎng)布局早在2023年便悄然啟動(dòng)，由美國牽頭，聯(lián)合多個(gè)技術(shù)盟友展開跨部門、跨層級(jí)的政策協(xié)同與出口管制對(duì)齊。

2024年9月7日，荷蘭政府突然升級(jí)深紫外光刻設(shè)備（DUV）出口管制清單，明確將ASML主力機(jī)型NXT：1970Ci與1980Di列入受限目錄，動(dòng)作之迅疾、指向之精準(zhǔn)，凸顯出事前周密籌劃的特征。

僅一個(gè)月后，美國商務(wù)部于10月正式發(fā)布修訂版《出口管理?xiàng)l例》，不僅全面禁止DUV整機(jī)對(duì)華交付，更進(jìn)一步延伸至所有關(guān)鍵子系統(tǒng)、校準(zhǔn)模塊及遠(yuǎn)程診斷權(quán)限，連現(xiàn)場(chǎng)工程師駐廠支持也被劃入紅線范圍。

這種覆蓋設(shè)計(jì)、制造、運(yùn)維全生命周期的“全鏈條阻斷”，根本目的在于壓縮中國晶圓廠的技術(shù)演進(jìn)空間，使其先進(jìn)制程產(chǎn)線逐步喪失持續(xù)迭代能力，最終滑向結(jié)構(gòu)性失能狀態(tài)。

更具策略性的配合動(dòng)作，則體現(xiàn)在思想輿論場(chǎng)的同步施壓。歐美主流研究機(jī)構(gòu)與頭部財(cái)經(jīng)媒體幾乎同步推出系列分析報(bào)告，口徑高度統(tǒng)一地將中國技術(shù)進(jìn)展歸因?yàn)椤胺轮剖阶汾s”，刻意弱化其在光學(xué)系統(tǒng)集成、運(yùn)動(dòng)控制算法、精密溫控等底層模塊上的原創(chuàng)積累。

ASML首席執(zhí)行官在12月一場(chǎng)閉門投資者會(huì)議上直言，若無法獲得極紫外光刻（EUV）設(shè)備，中國芯片制造水平將在未來十年以上時(shí)間里難以實(shí)現(xiàn)代際躍升。此類論斷并非基于客觀技術(shù)評(píng)估，而是意在動(dòng)搖產(chǎn)業(yè)鏈上下游對(duì)中國長期投入的信心根基。

但事實(shí)證明，外部高壓非但未能遲滯中國半導(dǎo)體發(fā)展節(jié)奏，反而成為激發(fā)自主創(chuàng)新動(dòng)能的關(guān)鍵催化劑。

中國光刻裝備的研發(fā)脈絡(luò)可追溯至本世紀(jì)初——2002年上海微電子裝備公司（SMEE）正式注冊(cè)成立，標(biāo)志著國產(chǎn)光刻機(jī)研發(fā)進(jìn)入實(shí)體化推進(jìn)階段。從早期依賴引進(jìn)消化吸收，到2015年前后穩(wěn)定量產(chǎn)90納米節(jié)點(diǎn)整機(jī)，十余年間始終以扎實(shí)步調(diào)夯實(shí)基礎(chǔ)能力。

2022年迎來實(shí)質(zhì)性突破：SMEE完成28納米浸沒式光刻機(jī)全部功能驗(yàn)證與穩(wěn)定性測(cè)試，宣告我國首次具備支撐成熟先進(jìn)制程的整機(jī)研制能力，真正跨越了長期橫亙于研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化之間的鴻溝。

令國際業(yè)界尤為震動(dòng)的是中芯國際所采取的“非對(duì)稱攻堅(jiān)路徑”：依托現(xiàn)有DUV平臺(tái)，通過多輪次高精度套刻曝光疊加工藝創(chuàng)新，成功實(shí)現(xiàn)邏輯芯片關(guān)鍵層的等效分辨率躍遷。

2024年4月，5納米工藝節(jié)點(diǎn)芯片實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定流片并批量導(dǎo)入華為新一代旗艦SoC，這一成果徹底擊碎了此前外界關(guān)于“技術(shù)天花板不可逾越”的預(yù)設(shè)判斷。

更值得關(guān)注的是產(chǎn)業(yè)鏈響應(yīng)速度顯著加快：3月國產(chǎn)準(zhǔn)分子激光光源模塊通過ISO 14644-1 Class 1潔凈等級(jí)實(shí)測(cè)；隨后不久，適用于ArF干式光刻的新型有機(jī)金屬光刻膠完成中試驗(yàn)證并啟動(dòng)客戶送樣。

從核心發(fā)光單元到光敏化學(xué)材料的“端到端貫通”，標(biāo)志著一個(gè)具備自我修復(fù)、自我迭代能力的本土光刻生態(tài)體系已初步成型。

當(dāng)前局勢(shì)呈現(xiàn)出耐人尋味的反差圖景：昔日掌握規(guī)則制定權(quán)的巨頭們，正面臨前所未有的戰(zhàn)略焦慮。

據(jù)ASML最新財(cái)報(bào)披露，中國大陸市場(chǎng)營收占比已由峰值時(shí)期的近三成下滑至約20%，這一數(shù)字背后，是真實(shí)訂單流失與渠道萎縮的雙重壓力。

其CEO公開表態(tài)亦顯現(xiàn)出明顯張力：一方面在行業(yè)論壇上強(qiáng)調(diào)“中國短期內(nèi)難有顛覆性替代方案”，另一方面卻在季度業(yè)績說明會(huì)上鄭重提示，“來自中國企業(yè)的技術(shù)追趕正構(gòu)成實(shí)質(zhì)性競(jìng)爭威脅”，語氣之凝重遠(yuǎn)超以往任何一次風(fēng)險(xiǎn)提示。

更有消息源指出，荷方曾通過非正式渠道試探性提出“有條件重啟DUV供應(yīng)”的設(shè)想，前提是中國放緩自主研發(fā)進(jìn)程。此舉恰恰印證，封鎖政策正在反向加速西方企業(yè)與中國市場(chǎng)的脫鉤進(jìn)程。

當(dāng)下，中國在光刻相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)明專利申請(qǐng)量連續(xù)三年保持65%以上的年均增速，涵蓋光學(xué)鏡頭裝調(diào)、硅片臺(tái)動(dòng)態(tài)補(bǔ)償、真空環(huán)境粒子抑制等多個(gè)關(guān)鍵技術(shù)方向。

公眾認(rèn)知層面也完成了一次深刻轉(zhuǎn)型：從初期的情緒化反應(yīng)，轉(zhuǎn)向理性審視技術(shù)演進(jìn)規(guī)律；社會(huì)共識(shí)日益清晰——真正的戰(zhàn)略定力，不源于口號(hào)式的宣示，而根植于一代代科研人員伏案攻關(guān)的日日夜夜。

這場(chǎng)橫跨太平洋的技術(shù)競(jìng)逐終將揭示一個(gè)基本規(guī)律：任何企圖以行政手段強(qiáng)行扭曲全球分工體系、人為設(shè)定技術(shù)進(jìn)步邊界的舉措，最終都將強(qiáng)化被壓制方的體系韌性，并加速其核心技術(shù)的自主閉環(huán)。

曾被奉為“制造業(yè)皇冠上的明珠”的光刻機(jī)，在中國工程師數(shù)萬小時(shí)的反復(fù)推演與實(shí)機(jī)調(diào)試中，正褪去神秘光環(huán)，回歸其作為精密機(jī)電系統(tǒng)的真實(shí)本質(zhì)。