隨著AI大模型、高性能計算等場景的快速迭代,高帶寬內(nèi)存(HBM)作為算力核心配套組件,其代際升級速度持續(xù)加快。HBM4作為新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品,成為當前內(nèi)存廠商競爭的核心賽道。目前,全球主流內(nèi)存廠商三星、SK海力士、美光均已布局HBM4領(lǐng)域,但在研發(fā)進度、量產(chǎn)節(jié)奏及供貨計劃上呈現(xiàn)差異化格局。
三星:率先量產(chǎn),技術(shù)領(lǐng)先但面臨良率瓶頸
三星作為全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)龍頭,在HBM4研發(fā)與量產(chǎn)上保持先發(fā)優(yōu)勢,是業(yè)界首家實現(xiàn)HBM4量產(chǎn)出貨的廠商。研發(fā)層面,三星突破傳統(tǒng)技術(shù)路徑,在HBM4研發(fā)初期便設(shè)定了高于JEDEC行業(yè)標準的性能目標,率先采用1c DRAM工藝,并搭配4nm邏輯工藝打造基底裸片(Base Die),實現(xiàn)全鏈條自研自產(chǎn),成為行業(yè)內(nèi)唯一能提供“邏輯+內(nèi)存+晶圓代工+封裝”一站式解決方案的IDM廠商。其HBM4產(chǎn)品穩(wěn)定實現(xiàn)11.7Gbps的數(shù)據(jù)處理性能,較上一代HBM3E提升22%,單棧總內(nèi)存帶寬較HBM3E提升約2.7倍;同時通過低功耗設(shè)計與電力分配優(yōu)化,將能效比提升40%,有效解決了高帶寬帶來的功耗與散熱難題。
此外,三星HBM4采用12層堆疊技術(shù),容量覆蓋24GB至36GB,未來還計劃通過16層堆疊技術(shù)將容量擴展至最高48GB,并預(yù)計在2026年下半年發(fā)放HBM4E樣品,2027年交付定制化HBM樣品。
量產(chǎn)方面,三星于2026年2月正式啟動HBM4量產(chǎn)并實現(xiàn)出貨,依托平澤P4工廠進行產(chǎn)能擴張,計劃2026年月產(chǎn)能達到10-12萬片,全年HBM業(yè)務(wù)收入預(yù)計增長3倍。但值得注意的是,三星HBM4目前面臨明顯的良率瓶頸,其1c DRAM工藝良率徘徊在50%-60%區(qū)間,而60%是HBM產(chǎn)品實現(xiàn)商業(yè)化盈利的關(guān)鍵閾值,良率不足不僅限制了有效產(chǎn)能釋放,也影響了供應(yīng)鏈穩(wěn)定性。此外,三星堅持的TC-NCF封裝技術(shù)路線,以及內(nèi)部邏輯代工部門與存儲部門的協(xié)同效率不足,進一步制約了其HBM4產(chǎn)能爬坡速度與市場競爭力。
供貨計劃上,據(jù)韓媒報道,英偉達于去年12月初步將HBM4需求的約20%分給三星,同時三星持續(xù)收到全球主流GPU廠商及超算客戶的供貨需求,將優(yōu)先保障核心客戶的訂單交付,后續(xù)將根據(jù)良率提升情況逐步擴大產(chǎn)能與供貨范圍,預(yù)計2026年全年HBM4供貨量將隨產(chǎn)能爬坡穩(wěn)步增長,但短期內(nèi)難以突破良率帶來的供應(yīng)限制。
SK海力士:良率與產(chǎn)能雙領(lǐng)先,主導(dǎo)核心供應(yīng)鏈
SK海力士在HBM4領(lǐng)域采取“先發(fā)量產(chǎn)+產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同”策略,憑借穩(wěn)定的良率、充足的產(chǎn)能以及深度的客戶綁定,成為當前HBM4市場的絕對主導(dǎo)者。
研發(fā)層面,SK海力士精準把握HBM存儲邏輯化的發(fā)展趨勢,摒棄傳統(tǒng)IDM模式,與臺積電深度合作,將HBM4的Base Die交由臺積電采用12nm/3nm邏輯工藝打造,彌補自身在邏輯設(shè)計領(lǐng)域的短板,形成“存儲廠商+晶圓代工”的開放產(chǎn)業(yè)生態(tài),這種協(xié)同模式大幅提升了HBM4的性能穩(wěn)定性與研發(fā)效率。其研發(fā)的HBM4產(chǎn)品支持12層堆疊技術(shù),采用MR-MUF封裝工藝,通過增厚芯片、縮小間距等優(yōu)化,進一步提升產(chǎn)品穩(wěn)定性與兼容性,可完美適配英偉達Vera Rubin平臺等核心客戶的性能需求;產(chǎn)品I/O端口數(shù)量從HBM3E的1024個倍增至2048個,數(shù)據(jù)傳輸通道近乎翻番,帶寬較上一代提升2倍,能效提升超40%,預(yù)計可使AI服務(wù)性能提升69%,同時降低數(shù)據(jù)中心電力成本。
量產(chǎn)方面,SK海力士原本計劃于2026年6月實現(xiàn)HBM4量產(chǎn),為搶占市場先機,將量產(chǎn)時間提前至2026年2-3月,依托清州M15X工廠及龍仁工廠全速推進產(chǎn)能爬坡,2026年核心產(chǎn)能已被提前鎖定,全年產(chǎn)能售罄。相較于三星的良率困境,SK海力士的規(guī)模化優(yōu)勢顯著——其HBM4良率與HBM3E相近,處于行業(yè)領(lǐng)先水平,12層HBM4晶圓成本較三星低約12%,毛利率有望突破45%。此前,SK海力士已于2026年1月初向英偉達交付12層HBM4最終樣品,此前已試產(chǎn)2萬至3萬顆樣品供質(zhì)量驗證,目前已完成英偉達等核心客戶的認證,順利進入大規(guī)模量產(chǎn)階段。
此外,受英偉達Rubin芯片可能延期的影響,SK海力士在2026年上半年仍會將部分生產(chǎn)重心放在HBM3E上,確保英偉達Blackwell GPU的穩(wěn)定供應(yīng)。
供貨計劃上,SK海力士憑借深度的客戶綁定優(yōu)勢,占據(jù)了HBM4市場的核心份額——據(jù)韓媒此前報道,英偉達將其HBM4需求的50%左右分配給SK海力士。此外,Counterpoint Research預(yù)計,2026年SK海力士在全球HBM4市場的市占率將達54%。目前SK海力士已與核心客戶簽訂長期供貨協(xié)議,優(yōu)先保障英偉達等頭部廠商的訂單交付,后續(xù)將根據(jù)產(chǎn)能爬坡情況,逐步滿足其他GPU廠商及超算客戶的需求,鞏固其市場主導(dǎo)地位。
美光:審慎推進,量產(chǎn)計劃提前
美光作為HBM市場的重要參與者,在HBM4領(lǐng)域采取審慎布局、穩(wěn)步推進的策略,雖起步略晚,但憑借成熟的工藝積累,實現(xiàn)了量產(chǎn)計劃的提前落地,且訂單需求旺盛。
研發(fā)層面,美光HBM4基于其成熟的1β DRAM工藝,每個引腳速度超過11Gbps,總帶寬超過2.8TB/s,可滿足中高端AI芯片及超算的需求。其HBM4產(chǎn)品在基底邏輯芯片和DRAM核心芯片上采用了先進的CMOS和先進金屬化制程技術(shù),均由美光內(nèi)部設(shè)計和制造,搭配自身獨特的封裝和測試能力,保障了產(chǎn)品的性能與低功耗優(yōu)勢。此外,美光已啟動HBM4E的定制化研發(fā),與核心客戶展開合作,尋求差異化競爭優(yōu)勢。
量產(chǎn)方面,美光原本計劃于2026年下半年實現(xiàn)HBM4量產(chǎn),后提前一個季度啟動量產(chǎn)并開展商業(yè)出貨,進度超預(yù)期。目前美光正依托現(xiàn)有生產(chǎn)基地推進產(chǎn)能優(yōu)化,同時審慎擴大資本投入——2026財年將資本支出從180億美元上調(diào)至200億美元,主要用于支持HBM及1-γ DRAM的供應(yīng)能力,其中大部分資本支出集中在財年下半年,同時加快愛達荷州工廠建設(shè)、優(yōu)化日本現(xiàn)有潔凈室產(chǎn)能,最大化現(xiàn)有產(chǎn)能的產(chǎn)量。
值得注意的是,美光對產(chǎn)能擴張保持審慎態(tài)度,供應(yīng)計劃與市場需求保持一致,目前其2026日歷年全年HBM(含HBM4)的供應(yīng)量已就價格和數(shù)量與客戶達成協(xié)議,全部售罄,顯示出市場對其HBM4產(chǎn)品的認可。
供貨計劃上,美光已通過英偉達等核心客戶的認證。雖然此前有分析機構(gòu)稱,美光將不在英偉達HBM4的供貨名單上,但美光已予以否認。另據(jù)韓媒此前報道,美光或?qū)@得英偉達HBM4訂單的20%左右份額,2026年其在全球HBM4市場的市占率預(yù)計達18%。目前美光已與客戶簽訂多年期供貨合同,優(yōu)先保障已鎖定訂單的交付,中期來看,僅能滿足部分關(guān)鍵客戶約50%至三分之二的需求。后續(xù)美光將根據(jù)產(chǎn)能提升情況,逐步擴大供貨范圍,同時推進HBM4E的研發(fā)與客戶合作,進一步提升市場競爭力。
結(jié)語
當前,HBM4市場形成了SK海力士、三星、美光三足鼎立的格局,三者憑借不同的技術(shù)路線和布局策略,在研發(fā)、量產(chǎn)及供貨上呈現(xiàn)差異化特征:SK海力士以產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同、高良率和充足產(chǎn)能主導(dǎo)市場,三星憑借技術(shù)領(lǐng)先率先實現(xiàn)商用但受良率制約,美光審慎推進且訂單需求旺盛。
未來,隨著三大廠商產(chǎn)能爬坡、良率提升,以及HBM4E等下一代產(chǎn)品的推進,HBM4市場的競爭將進一步加劇,而技術(shù)成熟度、產(chǎn)能穩(wěn)定性及客戶綁定能力,將成為決定各廠商市場地位的核心因素。需要明確的是,目前三大廠商均已實現(xiàn)HBM4量產(chǎn)或商用出貨,但產(chǎn)能釋放仍需時間,短期內(nèi)難以完全滿足市場需求,不存在某一廠商壟斷供應(yīng)或產(chǎn)能過剩的情況,這也是當前HBM4市場的真實格局。
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