河南
快科技4月2日消息，據(jù)TrendForce最新報告，2026年第二季度存儲市場將繼續(xù)面臨全面漲價。
DRAM方面，原廠積極將產(chǎn)能轉向HBM和Server應用，并采用補漲策略拉近各類產(chǎn)品價差，預估整體一般型DRAM合約價格將季增58-63%。
NAND Flash市場則持續(xù)由AI和數(shù)據(jù)中心需求主導，全產(chǎn)品線連鎖漲價效應不減，預計第二季整體合約價格將季增70-75%。
其中PC DRAM雖面臨整機需求下修，但原廠同步縮減供貨量，滿足率較低的PC OEM不得不加價采購。
Server DRAM成為原廠獲利最高的品類，獲得優(yōu)先產(chǎn)能分配，北美CSP對AI推理需求明確，大容量RDIMM采購強勁，短期內(nèi)供給維持緊縮。
智能手機品牌因成本壓力累積不排除調(diào)整生產(chǎn)計劃，但Mobile DRAM拉貨力道暫不致大幅收縮，合約價持續(xù)走升。
Graphics DRAM和Consumer DRAM同樣受產(chǎn)能不足影響，部分消費級產(chǎn)品的存儲器成本已高于售價，但大廠退出供給導致供不應求局面未見緩解。
NAND Flash方面，原廠通過制程升級和調(diào)升QLC比例提高產(chǎn)出的增幅有限，AI Server需求強勁，PC和手機廠商被迫縮減產(chǎn)品容量以抑制需求量。
Enterprise SSD訂單增長未見放緩，2026年將明顯缺貨，新產(chǎn)能預計要到2027年底或2028年才能大規(guī)模開出。
eMMC/UFS因與Enterprise SSD制程重疊但利潤遠低于后者，供給缺口居全產(chǎn)品線之冠。
整體來看，AI算力軍備競賽白熱化帶來的產(chǎn)能排擠效應，正在從高端HBM向全存儲產(chǎn)品線傳導，存儲價格全面上漲的趨勢在2026年內(nèi)預計難以逆轉。
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