臺積電公布路線圖，A12、A13制程亮相，預(yù)計2029年投產(chǎn)

當(dāng)?shù)貢r間4月22日，臺積電在美國加州圣塔克拉拉市舉行的2026年北美技術(shù)論壇上公布了A12、A13亞納米工藝制程，并宣布將會在2029年量產(chǎn)。

在此之前，臺積電公布過的最先進(jìn)的制程是A14，量產(chǎn)時間為2028年，而最新的A13制程的定義是A14的光學(xué)縮小版。A13沒有重構(gòu)，而是在完全兼容A14的設(shè)計規(guī)則和特性的前提下，將面積縮減了約6%，用更小的尺寸提供同樣強(qiáng)大的性能。

而A12則是采用了第二代納米片晶體管（GAA）技術(shù)以及背面供電的超級電軌（SPR）技術(shù)而打造，專門適配AI和HPC應(yīng)用領(lǐng)域。其通過正面和背面同時微縮的方式，讓晶體管密度顯著提升，盡可能滿足數(shù)據(jù)中心對算力的爆炸需求。同時，其首次采用SPR技術(shù)的A16制程被推遲到2027年量產(chǎn)，所以這個A12被臺積電視為A16的下一代產(chǎn)品。

除此之外，臺積電也宣布了第三代2nm制程N(yùn)2U。相比第二代2nm制程N(yùn)2P，它能夠?qū)⑺俣忍嵘?%~4%、功耗降低8%~10%、邏輯密度提升2%-3%，同樣會用于AI、高速計算等領(lǐng)域，預(yù)計在2028年量產(chǎn)。臺積電表示，盡管采用第一代2nm制程N(yùn)2的芯片已經(jīng)開始大規(guī)模量產(chǎn)，但3nm仍然是當(dāng)下營收的大頭。

圖片來自《日經(jīng)亞洲》

另外，臺積電還宣布更新了CoWoS封裝技術(shù)，在摩爾定律進(jìn)入提升瓶頸的情況下，先進(jìn)封裝成為了提升性能的新路徑。

為了支持AI對單一封裝中更高算力、更大內(nèi)存的要求，臺積電正在生產(chǎn)5.5倍光罩尺寸的CoWoS，后續(xù)還有更大尺寸的版本推出，比如14倍光罩尺寸的CoWoS，計劃于2028年開始生產(chǎn)。該尺寸能夠整合大約10個大型計算芯片+20個HBM堆疊，進(jìn)一步挑戰(zhàn)物理極限。

除了它以外還有更大的，2029年還會有大于14倍光罩尺寸的CoWoS亮相，與同年推出的40倍光罩尺寸SoW-X系統(tǒng)級晶圓先進(jìn)封裝技術(shù)形成互補(bǔ)。

圖片來自Counterpoint Research

目前，全世界有七成的芯片都來自臺積電，先進(jìn)制程領(lǐng)域的市場也是臺積電占絕對大頭，真的只能感嘆一句“你大哥還是你大哥”。