美國科技媒體：中國正在以10年低效期的代價去開發自主設備，用這種高風險的方法換取在光刻機領域的獨立自主

散英魂寄千萬雄鷹翱翔神州，

盡智魄載十億慧芯呼喚華夏。

01

前沿導讀

據美國科技媒體Tom's Hardware所發布的新聞表示：

隨著美國制裁的一步步收縮，中國獲得ASML先進EUV光刻機的希望渺茫，于是中國企業將目光放在了浸潤式DUV光刻機上。中國企業正在嘗試完成國產浸潤式設備的開發，并且依賴于多重圖案化技術去制造國產的先進芯片。

ASML現任CEO克里斯托夫·富凱在接受彭博社采訪時表示，中國的光刻機產業落后世界10到15年的時間，但是美國的制裁正在讓中國加速發展。

DUV設備成為了中國的突破口，不過研發先進的DUV會讓中國企業陷入10年左右的低效時期。用10年的產業低效率換取在光刻機領域的獨立自主，這對于中國企業來說是一個極具風險的挑戰。

參考資料： China bets on DUV as EUV blockade reshapes chipmaking https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/china-bets-on-duv-as-euv-blockade-reshapes-chipmaking

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技術追趕

對于荷蘭ASML的NXT系列EUV光刻機來說，全部產品均無法交付給中國大陸企業。

這些產品是單次曝光制造7nm及以下芯片的核心設備，據中芯國際CEO梁孟松在大會報告上面表示，中國企業已經完成了7nm技術開發，但是需要EUV設備進行測試。如果EUV設備持續被封鎖，那么就要想辦法采用其他技術 。

據ASML首席財務官羅杰·達森在公司財報上面表示，ASML在2023年向中國大陸企業交付了許多未被美國限制的DUV光刻機，這些設備都是中國企業幾年前下的訂單，并且采購的中國企業均為成熟芯片的制造商，符合美國以及荷蘭的出口條例。

參考資料： ASML Q4 2023 - Financial results | ASML https://www.asml.com/en/investors/financial-results/q4-2023

EUV光刻機是現存最復雜的精密設備之一，其內部的零部件高達幾十萬個，并且還有數千個來自于美國企業提供的零部件，整體售價達到了1.5億美元以上。

EUV設備可以單次曝光制造7nm及以下的先進芯片，這是DUV光刻機所達不到的效果，所以EUV設備成為了先進芯片制造商的首選產品。

DUV光刻機的應用時間比EUV早了20多年，先進的浸潤式DUV光刻機可以單次曝光制造28nm的芯片，使用多重圖案化技術可以制造出7nm芯片，但是其成本、能效、良品率均會大幅度波動。

英特爾曾經使用ASML的浸潤式DUV光刻機和多重圖案化技術，去制造金屬間距在30nm左右的10nm先進芯片，該芯片的整體特性與臺積電的7nm相當。盡管英特爾成功制造出了先進芯片，但是其能效、產能均無法達到合格水平，成本投入和市場化效果不成正比。

英特爾和臺積電已經驗證了該技術的可行性，這也給了中國大陸企業制造先進芯片的機會。

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技術瓶頸

華為新麒麟芯片的推出，成功說明了中國大陸企業已經通過以上方法制造并量產了先進芯片。盡管這些芯片可以被搭載到手機產品中，但是其整體的能效和性能要差于臺積電制造的產品。

現在中國企業手中的光刻機，幾乎都是來自于前幾年從ASML手中囤積的浸潤式設備。

多重圖案化技術會消耗更多的晶圓資源，并且需要高精度的刻蝕機和測量設備進行輔助制造。用浸潤式設備制造先進芯片，其綜合成本是要遠高于EUV設備。

即便中國企業遇到了多種困難，同時還承擔著著高昂的制造成本，但好在是解決了先進芯片的供應問題，這一切是值得的。先解決有的問題，然后解決好不好用的問題。

雖然EUV光刻機是制造先進芯片的核心設備，但是DUV光刻機也是不可或缺的設備。

據ASML官方的產業報告顯示：

哪怕是現在經過EUV光刻機制造完成的芯片，其內部的多個關鍵層也是采用了DUV技術。DUV和EUV從來都不是替代的關系，而是面向兩個領域的產品，都擁有不可替代性的理念和原則。

美國的對華封鎖，是一個零和博弈的競爭。要么就擁抱全球化體系，使用先進的進口光刻機。要么就自立自強，想辦法開發自主的光刻機設備，走國產化路線。

但是美國的制裁封鎖，相當于直接掐斷了中國走全球化體系這條路。美國先封鎖了EUV，然后封鎖DUV，那么中國企業自然而然的就會將目光轉向本國的設備制造商，走另一條國產化技術的道路。

雖然在國產化的道路上會面臨著多年的低效期，但是每發展一個階段，就離自立自強又近了一步。對于現在以及未來的中國芯片產業來說，自立自強是首要的目標，也是長遠的目標。

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