中國取得新芯片材料第一名，遙遙領先于美國同行，助力軍工飛躍

隨著全球芯片技術的競爭進入新的階段，芯片技術的競爭已不僅限于工藝，而是全面性的競爭，日前外媒披露一則消息讓國人大為鼓舞，那就是在第三代芯片材料方面已居于全球第一，遠超歐美同行。

現有的芯片大多數都是基于硅基芯片技術，而全球都知道硅基芯片技術已日益接近天花板，強如臺積電在硅基芯片工藝方面每前進一步都要付出巨大的代價，而且從14納米工藝以來，臺積電、Intel、三星這些芯片制造巨頭就已放棄了原來的芯片工藝技術升級路徑，而是等效工藝。

尤其是Intel自從10納米工藝之后，已跟不上臺積電的腳步，Intel就曾大力揭露臺積電的10納米及以下工藝都是等效工藝，而且這些工藝技術提升幅度逐漸放緩，從早期的每一代芯片工藝提升三成，到近幾代蘋果的A系芯片僅能提升一成多。

為此全球在繼續挖掘現有的硅基芯片潛力之外，已開始探索新的芯片技術、芯片材料等等，諸如光子芯片、量子芯片等技術的快速推進就是由此而來，而芯片材料也是發展新芯片技術的努力方向之一。

中國在14納米工藝之后，受到眾所周知的影響，難以獲得EUV光刻機，而繼續沿著現有的硅基芯片技術發展，對于中國來說面臨的難度更大，EUV光刻機牽涉到諸多行業，僅是EUV光刻機就是一條非常龐大的產業鏈，據悉EUV光刻機需要10萬多個部件，需要全球數十個國家的5000多家企業協作，如此中國在EUV光刻機的諸多行業都從零打造可見難度有多大。

為此中國更是積極發展先進芯片技術，在光子芯片、量子芯片技術方面，普遍認為中國已與美國居于第一陣營，雙方在你追我趕地發展，由于技術保密的需要，很難說得清到底誰更占優勢，畢竟只有這些芯片技術實現大規模商用之后才能真正看锝清。

在芯片材料方面如今則有分析機構指出中國企業已居于全球第一，那就是氮化鎵（GaN）這種材料，氮化鎵被認為是第三代芯片材料，它如今已得到廣泛的應用，特別是在手機行業，氮化鎵充電器廣為知名。

在氮化鎵材料行業，分析指出中國一家名為英諾賽科（Innoscience）的企業取得全球氮化鎵材料市場三成的份額，位居其后的分別是Navitas、Power Integrations、EPC，這三家都是美國企業，占有的份額分別是17%、15.2%、13.5%，第四名則是歐洲的infineon(英飛凌）--份額為11.2%。

氮化鎵除了在手機充電器上得到應用之外，還在新能源汽車、高鐵等新興科技行業得到廣泛應用，正是由于中國在氮化鎵材料方面取得的優勢，推動了中國在這些新興領域飛速發展，并且隨著對氮化鎵的研究不斷深入，對民用科技將帶來更有力的支持。

氮化鎵材料除了在民用科技方面的應用之外，在軍工技術方面更是起到巨大的作用，先進預警機、戰機的雷達用上氮化鎵可以將探測距離增加超過五成，還能應用于微波武器、電子對抗、防空系統、導彈制導等方面。

如此也就能理解近十年來中國在民用科技以及軍工技術的飛速發展了，因為中國在先進芯片材料方面除了氮化鎵取得巨大突破之外，還在砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、碳化硅（SiC）等芯片材料方面取得了巨大的進展，這些新芯片材料的突破支撐了中國諸多科技的飛躍。