韓國存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域曾是絕對的“王者”。三星和SK海力士這兩大巨頭,在DRAM內(nèi)存和NAND閃存市場拿下了超60%的全球份額,技術(shù)先進(jìn)到壟斷級(jí)。
過去中國在這方面幾乎全靠進(jìn)口,尤其是韓國產(chǎn)品,自給率低得可憐。
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但這些年,中國存儲(chǔ)芯片企業(yè)開始硬氣起來。長鑫存儲(chǔ)、長江存儲(chǔ)這些企業(yè)不斷突破,尤其在DDR5內(nèi)存領(lǐng)域,長鑫最近直接亮出“王牌”——DDR5、LPDDR5、LPDDR5X全系列內(nèi)存產(chǎn)品,技術(shù)直接追平韓國水平。要知道,韓國目前穩(wěn)定量產(chǎn)的也就是DDR5,DDR6還沒大規(guī)模鋪開。
這波操作直接讓韓國專家坐不住了。首爾大學(xué)材料系Hwang Cheol-seong教授直言,從技術(shù)角度看,中韓差距幾乎消失。
韓媒Business Korea更是引用Counterpoint數(shù)據(jù)稱,2025年三季度長鑫DRAM份額已沖到全球8%,僅次于SK海力士、三星、美光,排第四。這意味著韓國過去靠技術(shù)領(lǐng)先維持的市場地位,現(xiàn)在要面臨中國廠商的正面競爭了。
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韓媒分析,中國最大的優(yōu)勢是制造能力。一旦產(chǎn)能拉滿,三星和SK海力士將面臨巨大沖擊。畢竟中國過去在內(nèi)存技術(shù)上曾落后4代,后來差距縮小到1代,現(xiàn)在直接追平,這速度讓韓國企業(yè)措手不及。
當(dāng)然,中國存儲(chǔ)芯片的崛起也不是一帆風(fēng)順。早期技術(shù)落后,加上美國限制先進(jìn)設(shè)備進(jìn)口,追趕之路異常艱難。但長鑫、長存這些企業(yè)硬是啃下了技術(shù)硬骨頭,尤其是長鑫DDR5的量產(chǎn),標(biāo)志著中國在高端存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域正式站穩(wěn)腳跟。
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現(xiàn)在的問題是,韓國怎么辦?過去靠技術(shù)壟斷吃市場的好日子可能要到頭了。中國企業(yè)的產(chǎn)能一旦釋放,價(jià)格戰(zhàn)、技術(shù)競爭都會(huì)加劇。韓媒擔(dān)憂的不是中國技術(shù)有多超前,而是中國制造的規(guī)模效應(yīng)——量大管飽還便宜,這招在制造業(yè)里向來無解。
不過對中國來說,這只是第一步。存儲(chǔ)芯片市場競爭激烈,技術(shù)迭代快,容不得半點(diǎn)松懈。長鑫現(xiàn)在追平DDR5,但DDR6、DDR7的研發(fā)還得繼續(xù)。同時(shí),產(chǎn)能爬坡、良率提升這些實(shí)際問題也擺在眼前。畢竟,市場份額不是靠喊口號(hào)就能拿下的,得實(shí)打?qū)嵃旬a(chǎn)品做好、賣好。
總的來說,中國存儲(chǔ)芯片的崛起是大勢所趨。韓國過去靠技術(shù)領(lǐng)先吃紅利,現(xiàn)在中國靠制造優(yōu)勢硬剛,這場競爭才剛剛開始。韓媒的“慌”,恰恰說明中國走對了路——技術(shù)追平只是開始,產(chǎn)業(yè)崛起才是最終目標(biāo)。
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