法國材料協會：中國企業已能量產EUV光刻機所需的高反射鏡材料，這不是模仿，而是重構

極紫外（EUV，波長約13.5 nm）光刻機里的每一枚鏡子，都是“工藝中的工藝”。這些鏡面不是普通的玻璃或鍍鋁鏡，而是由上百層、厚度僅為幾納米的多層薄膜（常見為Mo/Si體系）交替沉積而成的。它們在真空中以原子級平整度工作，只有當每一層的厚度、界面粗糙度、應力與真空兼容性都達到極致時，整體反射率才能接近70%——這是EUV曝光成像成功的物理基礎。 近年來，我們在這一領域迎來重大突破。

PART.01

中國？別想。

在全球半導體圈里，有一個共識：誰能掌握EUV光刻機，誰就掌握先進制程的話語權。而在EUV光刻機里，有一個比“光源”更難、比“光刻膠”更稀有的“皇冠上的寶石”——高反射率多層鏡（EUV High-Reflective Mirrors）。

ASML整臺EUV光刻機里，最貴的不是光源，而是那套價值接近整機一半的投影光學系統，其中由德國蔡司（ZEISS）壟斷的多層反射鏡，就是整個系統的“靈魂”。

幾十年來，全世界都默認：這種鏡子，只有歐洲能做。中國？別想。

直到如今，法國材料協會的一句評價，點燃了整個業界的神經：“中國企業已經具備EUV高反射鏡材料的量產能力，這不是模仿，而是重構產業鏈。”

它意味著：中國在EUV光刻機的最核心材料上，第一次被歐洲材料學界承認——而且是“量產級別”。

PART.02

EUV鏡子

EUV鏡子有多難？世界上能做的國家不超過兩個。普通鏡子靠反射；EUV鏡子靠的是——原子級疊層設計。為了讓全球最難駕馭的13.5nm光能被“反射”，蔡司用上百層Mo/Si（鉬/硅）超薄膜堆成一塊鏡子，每層只有幾十個原子那么薄。

難點在哪里？

1 原子級平整度：哪怕凸起1個原子都不行

EUV鏡的表面必須平到“原子級”，否則圖形在晶圓上直接變形，良率瞬間歸零。

2 反射率必須超過 65%

普通材料在13.5nm下反射率只有個位數，ASML的反射鏡能做到約69%。這背后是幾十年的數據積累與工藝迭代。

3 疊一百層，還得不塌、不彎、不裂

薄膜之間的界面粗糙度、殘余應力、真空兼容性都必須完美。

這種鏡子全球只有歐洲人能量產。中國一直被卡了死穴。直到現在，這句話開始動搖了。

PART.03

我們做到了

中國企業怎么做到的？

先說結論：中國企業并不是照著歐洲的工藝抄，而是摸索出一套獨立可控、適合國產設備鏈的多層膜路線。這就是法國材料協會所說的“重 構”。它包括三個突破：

1.國產沉積技術沖破瓶頸

國內數家企業與科研機構已經能做到：多層 Mo/Si 體系的高一致性沉積，疊層界面粗糙度控制在亞納米級，EUV波段反射率超過60%的商用鏡樣。

這并不依賴歐洲設備，而是結合國產濺射源、國產真空工藝、國產光學測量設備優化出來的工藝鏈。

我們走了一條歐洲沒有走過的路徑。

2.中國獨家做法：先小尺寸量產 → 再攻大尺寸光學

歐洲模式是“光學巨頭驅動”，中國模式是“材料企業 + 科研院所 + 半導體設備公司”三方協作。國內已經能量產中小尺寸、多規格的EUV多層膜鏡片，用于：EUV科研設備、EUV曝光實驗平臺、EUV元件測試系統、EUV光源驗證裝置。這形成了完整的國產多層膜供應鏈，這是歐洲之外第一次做到。

3.國產產業鏈配套更快：光刻膠、光源、材料一起進化

過去中國的策略是“補短板”。如今是“體系化推進”。光源、材料、薄膜工藝、真空部件、光刻膠都在同步突破，這種協同在歐洲并不存在。這就是“重構”的含義：不是把別人的城墻拆一遍，而是自己在旁邊重新建一座城市。

PART.04

全球供應鏈重寫規則

以前美國的邏輯是：“光源不給你，鏡子不給你，你永遠造不出EUV。”

現在鏡子材料可國產、光源部件可國產、測試裝置可國產，封鎖鏈條開始出現松動。這會倒逼全球供應鏈重寫規則，日本供應商已經多次抱怨：“中國不再完全依賴進口材料。”美國專家也警告政府：“中國正在繞開美歐路線，建立替代生態。”

世界第一次意識到：半導體不是只有西方可以定義的行業，中國正在寫第二版規則。

小小寰球，有幾個蒼蠅碰壁。嗡嗡叫，幾聲凄厲，幾聲抽泣。螞蟻緣槐夸大國，蚍蜉撼樹談何易。正西風落葉下長安，飛鳴鏑。

多少事，從來急；天地轉，光陰迫。一萬年太久，只爭朝夕。四海翻騰云水怒，五洲震蕩風雷激。要掃除一切害人蟲，全無敵。

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