1.4nm級納米壓印光刻模板，2027年量產

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

DNP目標在2030財年將納米壓印相關業務銷售額提升至40億日元。

大日本印刷株式會社（DNP）今日宣布，成功研發出一款電路線寬為10nm的納米壓印光刻（NIL）模板。該新型模板可實現相當于1.4納米制程的邏輯半導體圖形化，滿足智能手機、數據中心、NAND閃存等設備中尖端邏輯半導體的微型化需求。

近年來，隨著設備向更高性能發展，市場對尖端半導體的微型化提出了更高要求，推動了基于極紫外（EUV）光刻的生產技術進步。然而，極紫外光刻在生產線建設和曝光過程中需要巨額資本投入、大量能源消耗及高昂運營成本，因此在降低制造成本與減輕環境負擔之間尋求平衡已成為迫切需求。

自2003年起，DNP便開始研發納米壓印光刻模板，該模板可直接將電路圖形壓印到基板材料上，幫助制造商降低曝光過程中的能源消耗。此后二十年間，DNP一直在深耕高精度圖形化技術。

此次DNP推出了具備10nm線寬圖形的納米壓印光刻模板。該模板可替代部分極紫外光刻制程，為沒有極紫外光刻生產工藝的客戶提供尖端邏輯半導體制造方案。通過供應這款新型模板，DNP將拓展客戶在半導體制造工藝上的選擇空間，助力客戶同時降低制造成本與環境負擔。

借助自對準雙重成像技術（SADP），DNP 成功實現了納米壓印光刻模板的進一步微型化。該技術通過對光刻設備形成的圖形進行薄膜沉積和蝕刻，使圖形密度翻倍。

除了運用DNP多年積累的光掩模制造技術與經驗外，本次研發還融合了晶圓制造工藝技術，最終打造出電路線寬為 10nm的新型納米壓印光刻模板。

新型納米壓印光刻模板滿足了先進邏輯半導體對更精細電路線寬的需求，而這類半導體的市場規模預計將在未來持續擴大。同時該技術還降低了尖端半導體制造中曝光過程的能源消耗。依托基于納米壓印光刻的超細半導體節能加工技術，如今已可將能源消耗降至當前主流曝光制程的約十分之一。

目前DNP正與半導體制造商客戶開展更深入的溝通，并已啟動納米壓印光刻模板的評估工作，計劃于 2027 年實現量產。DNP 將持續推進納米壓印光刻模板的技術升級并提升產能，以滿足不斷增長的市場需求，目標在 2030 財年將納米壓印相關業務銷售額提升至 40 億日元。

據悉，這款10nm納米壓印光刻新型模板將于2025年12月17日至19日在東京國際展覽中心舉辦的SEMICON Japan 2025上展出。

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