山東
IT之家 12 月 29 日消息，根據(jù)臺(tái)媒 UNIKO's Hardware 的發(fā)現(xiàn)，三星半導(dǎo)體官網(wǎng)的 DRAM / DDR 頁(yè)面現(xiàn)已列出多款處于“樣品”生產(chǎn)狀態(tài)的 DDR5 內(nèi)存顆粒新品。
這其中 78 FBGA 封裝的 PDRQL8KCBF12-00 和 102 FBGA 封裝的 PDRQLAKCDF12-00 均在 1.1V 的 JEDEC 工作電壓下支持 7200Mbps 的速率，相較此前 6400Mbps 的速率進(jìn)一步提升。
IT之家注意到，英特爾 Panther Lake 處理器的 16c (4P + 8E + 4LPE) 4Xe 配置確認(rèn)支持 7200MT/s 的 DDR5 SO-DIMM，Arrow Lake S Refresh 預(yù)計(jì)也將支持 7200MT/s DDR5 CUDIMM，而 SK 海力士的 7200Mbps (7200MT/s) 級(jí)產(chǎn)品也已可在市場(chǎng)見(jiàn)到。
同樣值得一提的是，至少?gòu)?DDR2 時(shí)期開(kāi)始，三星的 DDR 顆粒料號(hào)命名均以 "K4" 為開(kāi)頭（分別代表三星存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)和 DRAM），而四款處于樣品階段的芯片則并未遵循這一傳統(tǒng)格式。
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