隨著電動汽車、5G通信、可再生能源和工業自動化市場的迅猛發展,第三代半導體(如SiC, GaN)正成為廣泛應用的核心元件。這些材料的使用使器件能夠在更高的功率密度、頻率和溫度下運行,但同時對封裝技術提出了更高的要求:如何快速高效地導出芯片產生的大量熱量,已成為影響產品性能、壽命與安全性的關鍵因素。傳統的焊接材料(如焊錫膏和軟焊料)已逐漸達到應用極限,其導熱性有限,并且在高溫環境下易形成脆性金屬間化合物,從而影響整體可靠性。在此背景下,市場迫切需要一種兼具卓越性能與高效工藝的解決方案。mAgic? DA252點膠無壓燒結銀的推出,正是針對這一行業挑戰的精準解決方案。
一、技術核心:mAgic?DA252如何實現芯片在“無壓”下在裸銅界面強大結合?
mAgic? DA252不僅僅是材料的改進,而是對工藝原理的創新突破。其技術核心在于無需額外施加物理壓力,即可實現銀與銅(Ag-Cu)之間的高強度燒結。這種創新能夠提供高達150W/mK的導熱能力,為行業提供了顯著的性能提升。
DA252卓越性能的關鍵在于以下三個核心研發突破:
1.更強勁的燒結,源自銀顆粒的甄選
亞微米級(0.1~1.0um)的銀顆粒相比微米級的(<25um)可以顯著提高燒結驅動力。銀顆粒表面特殊的有機涂層能夠在<250℃的氮氣氛圍中充分地分解,使得銀顆粒在相對較低的溫度下被活化,開始表面擴散與重組,極大地增強燒結后銀層與芯片以及基板之間的剪切強度。
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備注:藍色部分為微米級無壓燒結銀,綠色部分為亞微米級無壓燒結銀。
圖1 剪切強度
2.更可靠的連接,得益于配方體系的創新設計
DA252采用溶劑體系的全燒結型燒結銀,其溶劑和粘合劑的選擇與配比在整體配方中發揮至關重要的作用。在燒結過程中,溶劑的充分揮發以及有機涂層分解后氣體的有效排出,是確保大尺寸芯片燒結后具備極低空洞率的關鍵因素。
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圖2 大尺寸燒結后無氣泡
3.更穩定的工藝,成就于精準的開發定義
在銀膏開發過程中,科學地確定了金屬與有機載體的比例。此外,在開發階段精細定義了關鍵工藝參數,有效減少了批次間的差異,從而實現批量生產的高良率與一致性。
二、應用測試
1.連續畫膠測試
參數設置
●畫膠速度 = 10mm/s
●畫膠圖案 = 1x1mm
●畫膠壓力 = 130KPa
●點膠頭內徑 = 0.20mm
規格:
◆畫膠面積公差±20%
◆連續作業沒有點膠頭堵孔
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圖3 連續畫膠12小時的表現
結論:經過連續12小時的點膠操作,圖案面積始終保持在規格范圍內。此外,整個過程中未出現點膠頭堵塞的問題,確保了持續作業的穩定性和效率。
1.小尺寸(<2mmx2mm)芯片貼裝與燒結測試
測試條件
●芯片尺寸(mm)1.63x1.3
●
芯片背金材質為銀
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圖4 芯片尺寸小于2mmx2mm的應用測試
結論(如圖4所示):
1)小于2mmx2mm的芯片使用了畫X的圖案;
2)open-time(畫完膠到貼裝芯片的等待時間)可以達到2個小時,即在Time 0 和time 2小時貼裝均可以到達100%銀膏覆蓋。
3)烘烤之后芯片底部無空洞
4)室溫下推力強度平均值62.2MPa,高溫260℃推力平均值62.2MPa。
2.大尺寸芯片貼裝與燒結測試
測試條件
芯片尺寸(mm):5x5
引線框架:TO247 裸銅框架
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圖5 大尺寸芯片5mmx5mm應用測試
結論(如圖5所示):
1)需根據芯片的尺寸形狀定義畫膠圖案,以確保100%銀膏覆蓋率。
2)芯片側面的爬膠高度可控,芯片底部100%銀膏覆蓋。
3)X-ray顯示無空洞。
4)室溫下推力強度50.7MPa,高溫260℃推力平均值45.7MPa
3. 空隙率與BLT測量
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備注:分別對應芯片切片的左中右
圖6 燒結后銀層厚度與孔隙率測量
結論(如圖6所示):
1)烘烤完膠厚為30um左右,厚度均勻。
2)孔隙率<30%,較低的孔隙率是決定高導熱率的關鍵因素。
三、可靠性測試
1.溫度循環測試(-55~150℃,2000次循環)
高鉛焊料PbSn5Ag2.5對無壓燒結銀DA252
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圖7 高鉛焊料在不同溫度循環下RDSon的變化
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圖8 DA252在不同溫度循環下RDSon的變化
結論:如圖7所示,高鉛焊料在500至1000次循環之間平均導通電阻出現顯著的變化;在1500次循環測量中觀察到平均導通電阻出現顯著的變化;在1500次循環測量中觀察到平均相對增加超過20%。可明顯觀察到器件電氣性能的系統性退化。
如圖8所示,DA252在經過2000次循環后,平均導通電阻的變化保持在10%以內。與傳統焊料相比,DA252在初始(T-0小時)的導通電阻較低,并且在2000次循環后依然表現出顯著的優勢。
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