長(zhǎng)晶科技|卓越FST 3.0 IGBT平臺(tái)模塊賦能光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域

隨著全球能源轉(zhuǎn)型的加速，光伏發(fā)電與儲(chǔ)能系統(tǒng)已成為構(gòu)建新型電力系統(tǒng)的關(guān)鍵。作為電力電子系統(tǒng)的 “核心心臟” 與 “智能開(kāi)關(guān)”，功率IGBT模塊的性能直接決定了整個(gè)系統(tǒng)的效率、可靠性及綜合成本。

長(zhǎng)晶科技基于FST G3.0工藝平臺(tái)推出IGBT半橋模塊，優(yōu)化器件在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗表現(xiàn)的綜合性能，保證惡劣環(huán)境下的運(yùn)行可靠性，為光伏逆變器、PCS 等應(yīng)用場(chǎng)景提供高效率、強(qiáng)穩(wěn)定性的核心技術(shù)支撐。

產(chǎn)品介紹

長(zhǎng)晶科技推出的1200V IGBT半橋模塊系列，包含450A、600A與900A三種電流規(guī)格，搭載自主研發(fā)的FST 3.0 IGBT芯片，具有高功率密度、低損耗及高可靠性的特點(diǎn)，可全面覆蓋光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)需求。

同時(shí)長(zhǎng)晶科技與國(guó)內(nèi)頭部驅(qū)動(dòng)廠(chǎng)商合作推出按產(chǎn)品參數(shù)特性定制的驅(qū)動(dòng)板，可提供配合調(diào)試支持服務(wù)。

電性參數(shù)

長(zhǎng)晶科技1200V IGBT半橋模塊產(chǎn)品具有卓越的性能設(shè)計(jì)

◆ 針對(duì)開(kāi)關(guān)特性，通過(guò)優(yōu)化柵電荷（Qg），實(shí)現(xiàn)了開(kāi)關(guān)應(yīng)力與損耗之間的平衡，提升不同柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的兼容性，并減輕散熱系統(tǒng)承受的壓力。

◆ 針對(duì)通態(tài)性能，產(chǎn)品在高溫下表現(xiàn)出顯著的低VCE(sat)，在系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)轉(zhuǎn)化為更低的導(dǎo)通損耗。

◆ 綜合芯片選用條件，表現(xiàn)出更低的FOM值（定義見(jiàn)下圖），性能優(yōu)秀同時(shí)兼具成本優(yōu)勢(shì)。

FOM值定義 = VCE(sat)[V] · Eoff[mJ] · Active Area[cm2]

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

1.飽和降壓

長(zhǎng)晶科技FST 3.0 IGBT采用先進(jìn)的微溝槽柵（1.6μm Pitch）場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)，發(fā)射極效率優(yōu)化，有效提升了功率密度。

? 測(cè)定條件：IC=450A,VGE=15V

? 測(cè)定條件：IC=600A,VGE=15V

? 測(cè)定條件：IC=900A,VGE=15V

同測(cè)試平臺(tái)條件下，VCE(sat)基本達(dá)到國(guó)際主流友商第七代產(chǎn)品優(yōu)秀水平，高電流900A產(chǎn)品MCF900N120T3E3較競(jìng)品飽和壓降降低5%~6%，實(shí)現(xiàn)高溫系統(tǒng)下優(yōu)異的通態(tài)損耗性能。

2.關(guān)斷損耗

基于同平臺(tái)雙脈沖測(cè)試得到TJ=150℃時(shí)的關(guān)斷損耗Eoff，結(jié)果如下圖所示。

? 測(cè)定條件：VCE=600V, IC=450A,Rg=1.3 Ω, VGE=±15V, Inductive Load

? 測(cè)定條件：VCE=600V,IC=600A,Rg=7Ω, VGE=±15V, Inductive Load

長(zhǎng)晶FST 3.0 IGBT在高溫條件下實(shí)現(xiàn)了開(kāi)關(guān)應(yīng)力與關(guān)斷損耗之間的平衡，這一特性確保了模塊在光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)特定工況下的運(yùn)行效率與長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

長(zhǎng)晶科技將致力于高效功率模塊的研發(fā)與創(chuàng)新，持續(xù)推動(dòng)電力電子系統(tǒng)朝著更小尺寸、更高效率、更可靠穩(wěn)定且更具成本競(jìng)爭(zhēng)力的方向不斷升級(jí)！