半導體材料，重大突破！碳化硅龍頭，已搶先發力

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半導體材料概念股開年大漲。

我國攻克半導體材料世界難題

在芯片制造中，不同材料層間的“島狀”連接結構長期阻礙熱量傳遞，成為器件性能提升的關鍵瓶頸。

據科技日報，近日，西安電子科技大學郝躍院士、張進成教授團隊通過創新技術，成功將粗糙的“島狀”界面轉變為原子級平整的“薄膜”，使芯片散熱效率和器件性能獲得突破性提升。這項為半導體材料高質量集成提供“中國范式”的突破性成果，已發表在《自然·通訊》與《科學進展》上。

西安電子科技大學副校長、教授張進成介紹，傳統半導體芯片的晶體成核層表面凹凸不平，嚴重影響散熱效果。熱量散不出去會形成“熱堵點”，嚴重時導致芯片性能下降甚至器件損壞。這個問題自2014年相關成核技術獲得諾貝爾獎以來，一直未能徹底解決，成為射頻芯片功率提升的最大瓶頸。

本次研究團隊首創“離子注入誘導成核”技術，將原本隨機的生長過程轉為精準可控的均勻生長。實驗顯示，新結構界面熱阻僅為傳統的三分之一?；谠摷夹g制備的氮化鎵微波功率器件，在X波段和Ka波段輸出功率密度分別達42瓦/毫米和20瓦/毫米，將國際紀錄提升30%—40%。這意味著同樣芯片面積下，裝備探測距離可顯著增加，通信基站也能覆蓋更遠、更節能。

半導體材料國產化加速推進

半導體材料是芯片制造的基石，是用于制作集成電路、分立器件、傳感器、光電子器件等產品的重要材料。從光刻膠到硅片，從電子特氣到CMP拋光墊，半導體材料被譽為“芯片產業的糧食”。

中國工程院院士、北京有色金屬研究總院名譽院長屠海令曾表示，國產化進程正加速推進，大尺寸硅材料、砷化鎵等領域國產替代迎來“黃金窗口期”，半導體級硅材料國產化率已超過50%，拋光液等材料的國產化率也已突破30%。AI算力、新能源汽車等終端需求，更是為上游材料企業創造了倍數級增長機遇。此外，行業創新活力迸發，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料正加速應用于新能源汽車、5G通信等領域，有效提升了器件性能與能效。

據光大證券，TECHCET預計，2025年全球半導體材料市場規模約700億美元，同比增長6%；該機構同時預計2029年半導體材料市場規模將超過870億美元。國內方面，中商產業研究院統計及預測，2025年中國關鍵材料市場規模達1741億元，同比增長21.1%。

平安證券研報認為，當前地緣政治風險背景下，半導體材料國產化或將提速。隨著先進制程、存儲、封裝的快速發展，疊加國產化政策的有力推動，半導體國產化材料迎來重要發展機遇。

半導體材料概念取得開門紅

二級市場方面，2026年以來，半導體材料相關個股走勢強勁。

1月16日，在A股大盤指數調整的背景下，半導體材料概念股逆市走強，碳化硅龍頭天岳先進收獲“20cm”漲停，康強電子錄得“10cm”漲停板，上海合晶、神工股份、華海誠科、華懋科技、安集科技等均漲超7%。

僅1月16日當天，就有12只半導體材料概念股盤中股價創歷史新高，包括和林微納、珂瑪科技、凱德石英、南大光電等。

據證券時報·數據寶統計，截至1月16日收盤，半導體材料概念股今年以來平均上漲21.15%，大幅跑贏同期上證指數、創業板指數、科創50指數等。

當前正值年報業績預告披露期，業績成為投資者關注焦點。在AI算力、數據中心、智能駕駛等賽道加速擴張的背景下，哪些半導體材料概念股具備高增長潛力？

據數據寶統計，根據5家及以上機構一致預測，2026年、2027年凈利潤增速均有望超20%的半導體材料概念股有12只。

這12股當中，以1月16日收盤價與機構一致預測目標價相比，德邦科技、昊華科技上漲空間均逾10%，分別達到39.21 %、10.86%。

德邦科技近期在投資者互動平臺透露，在長江存儲的封測平臺宏茂微，公司的固晶膠已經量產供貨，主要用于IC封裝環節；DAF（固晶膜）已經完成技術驗證并實現準入。

昊華科技現有三氟化氮產能5000噸/年，公司正在四川自貢沿灘基地新建6000噸/年三氟化氮項目，項目一期3000噸裝置已投產。公司三氟化氮產品主要應用于集成電路制造的蝕刻、清洗等環節。

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責編：何予

校對：劉星瑩