HBM之后HBF也要來了 更高容量引領AI時代存儲革命

在半導體存儲領域，HBM（高帶寬內存）用近十年時間完成了從技術概念到產業核心的蛻變，成為 AI 大模型、高端 GPU 等算力密集型應用的關鍵支撐。而如今，其迭代技術 HBF（高帶寬閃存）正加速襲來，憑借更具顛覆性的性能特點，有望重塑存儲產業格局，為 AI 時代的存儲需求提供全新解決方案。

HBF 之所以被寄予厚望，核心在于其精準切中了當前存儲領域的核心痛點 —— 容量與帶寬的平衡難題。作為通過堆疊 NAND 閃存制成的新型存儲產品，HBF 與 HBM 在結構上有著異曲同工之妙，但應用場景與性能側重卻形成鮮明互補。正如 “HBM 之父”、韓國科學技術院（KAIST）教授金正浩的生動比喻：“HBM 與 HBF 就好比書房與圖書館，前者容量雖小但使用便捷，后者則以超大容量成為數據存儲的‘超級倉庫’”。

相較于 HBM，HBF 的核心優勢集中體現在存儲容量的跨越式提升上。廣發證券的研究顯示，在研的 HBF 存儲容量有望達到現有 HBM 的 8 至 16 倍，這一突破將徹底改變 GPU 存儲容量的上限，有望將其擴展至 4TB 級別。在 AI 大模型參數規模邁入萬億級、上下文長度普遍超過 128K 的當下，HBM 的容量瓶頸日益凸顯，而 HBF 的超大容量特性，恰好完美匹配了 AI 大模型對海量數據存儲的極致需求，被業內視為滿足下一代 AI 內存要求的最佳方案。

除了容量優勢，HBF 在技術延續性與應用擴展性上也具備顯著潛力。其結構與 HBM 的共通性，使得存儲廠商能夠快速復用成熟的堆疊技術與生產經驗，降低研發與量產成本。金正浩進一步預測，待 HBM 迭代至第六代產品時，HBF 將實現廣泛應用，屆時單個基礎裸片將集成多組存儲堆棧，進一步釋放其容量潛力。

從市場前景來看，2 至 3 年內 HBF 相關方案將密集涌現，到 2038 年左右，HBF 市場規模有望超越 HBM，成為存儲領域的主流技術路線。

當前，全球科技巨頭已紛紛入局 HBF 賽道，加速推動其商業化落地。SK 海力士正與閃迪聯手推進 HBF 標準制定，并計劃于今年推出采用 16 層 NAND 閃存堆疊的 HBF1 第一代樣品；三星電子與閃迪更是明確了應用時間表，預計最快在 2027 年底或 2028 年初將 HBF 技術植入英偉達、AMD 和谷歌的實際產品中。

總而言之，從 HBM 到 HBF，存儲技術的迭代始終圍繞著算力提升的核心需求。如果說 HBM 解決了 AI 發展初期的帶寬瓶頸，那么 HBF 則將以超大容量的核心優勢，支撐起下一代 AI 大模型、智能計算等場景的爆發式增長。