北京
押注存儲、汽車電子、AI數據中心三大賽道。
作者 | 蕭瑟
編輯 | 小白
GPU供不應求，存儲芯片價格飆升，以AI數據中心為代表的下游需求爆發，正推動全球半導體行業進入下一個景氣高峰。
相對應地，半導體企業也開始頻繁利用資本市場進行擴張。近來，德明利（001309.SZ）擬定增募資32億，用于固態硬盤和內存產品的擴產；長鑫科技則計劃IPO募資295億，用于存儲技術升級和研發。
1月10日，通富微電（002156.SZ）亦公告稱，計劃定增募資不超過44億，用于多個業務領域的封測產能提升。
具體情況如何？我們今天來一探究竟。
受益AMD數據中心業務，利潤接連高增
通富微電是國內半導體封測環節的龍頭企業之一，其服務涵蓋存儲、顯示、消費電子、汽車電子等多個品類。
在2024年全球第三方封測市場中，通富微電以8.0%的市占率排名全球第四，并在中國大陸封測廠中，僅次于市占率11.4%的長電科技（600584.SH）。
兩家公司最大的差別在于客戶結構。長電科技相對分散，2024年前五大客戶貢獻52.3%營收，而同期通富微電高達50.4%的收入來自AMD一家客戶。
與此同時，通富微電也是AMD最大的封測供應商，占后者訂單總數的80%以上，兩者深度綁定。
（來源：通富微電25H1中報）
近年來AMD的境況相當不錯，2024年實現總營收258億美元，同比增長13.7%，凈利潤16.41億美元，同比激增92.2%。2025年前三季度，收入、利潤更是再度錄得34.4%、143.7%的高增速。
通富微電的業績自然是水漲船高。2024年、2025年前三季度實現總營收238.82億、201.16億，分別同比增長7.2%、17.8%。
（來源：市值風云APP）
利潤端的增幅更為明顯，2024年歸母凈利潤6.78億，低基數下增幅高達299.9%；2025年前三季度，公司凈利潤再度增長55.7%至8.60億。
（來源：市值風云APP）
業績增長更深層次的原因，還是在于AI數據中心相關需求的釋放。
作為英偉達的追趕者，AMD同樣布局有數據中心CPU（EPYC系列）、數據中心GPU（Instinct系列）、AI加速器等品類。
2024年AMD的數據中心業務實現收入126億美元，同比增長94%，貢獻出總營收的半壁江山，并在2025年前三季度再度創收112億美元，進一步增長近3成。
更加重磅的消息是，2025年10月OpenAI與AMD合作官宣，前者計劃部署6GW的AMD芯片，預計未來4年內產生千億美元級別的收入，這是AMD以及通富微電最大的確定性所在。
44億定增，押注AI數據中心
我們再回到通富微電此次定增，公司在預案中表示：“目前產線整體保持較高產能利用率，產能瓶頸逐步顯現。”滿足大客戶AMD未來的大規模增量需求，或許正是通富微電大額定增的目的所在。
44億的募資金額將用于四大類芯片封測產能的擴充。
（來源：通富微電公告）
其中第一大類是存儲芯片，通富微電在當前這個時間點擴產的意圖再明顯不過。據TrendForce顯示，自2025年9月以來，主流存儲芯片現貨價格累計漲幅已經超過了300%。
存儲價格的飆升同樣源自AI基礎設施對HBM和DDR5的爆發性需求，傳統DRAM產能受到嚴重擠壓，亦呈現出同步上漲態勢。
美光科技的CEO Sanjay Mehrotra近期表示，整個行業正面臨結構性短缺，恢復平衡需要數年時間。
擬投入6.95億的晶圓級封測產能、6.20億的高性能計算封測產能，滿足的都是先進芯片高頻、高速、低功耗的封裝需求，主要應用領域均為AI加速芯片、CPU、GPU等。
這部分產能應該是為了配合AMD的擴產需求，是此次定增的重頭戲。
（來源：通富微電公告）
上述品類之外，通富微電還計劃投入10.55億的募集資金，用于建設汽車等新興應用領域封測產能。
在汽車電子領域，通富微電是國內少數具備ISO26262功能安全認證的封測廠，在汽車電子封裝領域同樣是領先企業。公開信息顯示，公司還是比亞迪供應商，為后者提供IGBT模塊封裝服務。
2024年內，通富微電車載產品業績同比激增超200%，有發展為第二增長曲線的潛力。
（來源：通富微電2024年年報）
此外，募資資金中剩余的12.30億將被用于補流和償債。
需要注意的是，目前通富微電的財務狀況并不優秀，三季度末賬上貨幣資金為56.41億，而短期借款、長期借款（含一年內到期）已有約180億的規模。
進一步細分來看，通富微電的經營現金流還算充裕，但近年來資本支出規模更甚，高企的負債源自大舉擴張。
（來源：Choice終端，制圖：市值風云APP）
這也是通富微電相比于長電科技的第二大差異。后者現金流更為充裕，資本開支也更為謹慎，能夠實現自由現金流的凈流入。
（來源：Choice終端，制圖：市值風云APP）
單一大客戶、激進的投資策略本質上都是雙刃劍，能提升收益也會帶來風險，只不過眼下的行業時局，似乎站在更有利于通富微電的一側。
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