存儲強勢疊加AI催化，半導體設備ETF（159516）漲超2%

消息面，近期存儲漲價持續(xù)，存儲產能供不應求有望在2026年持續(xù)。當地時間1月25日，據媒體報道，三星電子在今年第一季度將NAND閃存的供應價格上調了100%以上，這一漲幅遠超市場此前預期，凸顯了當前半導體市場嚴重的供需失衡現狀。報道稱，三星電子目前已著手與客戶就第二季度的NAND價格進行新一輪談判，市場普遍預計價格上漲的勢頭將在第二季度延續(xù)。

存儲強勢疊加AI催化，聚焦上游半導體設備領域的半導體設備ETF（159516）大漲超2%。資金持續(xù)搶籌，近20日凈流入近100億元，當前規(guī)模近200億元，居同類產品第一。

行情面上，半導體設備ETF（159516）標的指數成分股迎來普漲，從前十大成分股來看，整體表現均飄紅，其中，芯源微大漲超14%，安集科技大漲超4%。

截至11：01，成分股僅做展示使用，不構成投資建議

近年來，隨著AI算力爆發(fā)與國產替代浪潮的持續(xù)推進，半導體設備行業(yè)已進入高景氣成長周期。本文將從行業(yè)基本面、國產替代進程、需求雙引擎、技術趨勢演進等維度，帶您系統梳理半導體設備賽道的核心投資邏輯。

【行業(yè)景氣上行，國產替代空間廣闊】

半導體設備是芯片制造的基石，當前全球行業(yè)規(guī)模穩(wěn)步增長，中國市場占比已達40%，增速領先全球。國產設備在刻蝕、薄膜沉積等環(huán)節(jié)已實現技術突破，但光刻等高端設備仍依賴進口，替代空間巨大。

數據來源：semi

半導體設備行業(yè)與芯片產能擴張直接相關，屬于典型的科技制造上游。全球設備市場規(guī)模常年保持增長，主要受益于消費電子、汽車電子、AI算力等終端需求的持續(xù)放量。中國已成為全球最大的半導體設備市場，占全球銷售額約40%，其高增長不僅源于需求拉動，更關鍵的是在國家自主可控戰(zhàn)略下，國內晶圓廠積極采購國產設備，為本土廠商提供了寶貴的驗證與放量機會。

從設備結構看，晶圓制造設備占據90%份額，其中薄膜沉積、光刻、刻蝕三大核心工藝各占20%左右，技術壁壘與價值量最高。當前國產替代呈現結構性分化：刻蝕設備國產化率約28%，薄膜沉積約20%，已具備批量供貨能力；而高端光刻機仍完全依賴進口，成為制約先進制程的“卡脖子”環(huán)節(jié)，也是未來最具成長潛力的攻堅領域。

【雙重引擎驅動，需求端持續(xù)爆發(fā)】

先進制程擴產與存儲芯片擴產共同構成行業(yè)需求雙引擎。GPU放量拉動先進制程設備需求，AI帶來的存儲供需錯配則推動存儲產線投資，兩者均直接利好半導體設備訂單。

需求側的邏輯已從單一的“自主可控”轉向“全球AI驅動+國產替代”雙輪驅動。

一方面，先進制程擴產主要由GPU與高端消費電子芯片推動。海外英偉達等公司芯片已進入4nm/3nm階段，國內GPU廠商多采用7-14nm制程，伴隨AI算力建設加速，先進制程產能供不應求，帶動光刻、刻蝕、薄膜沉積等高端設備需求激增。

另一方面，存儲擴產成為新一輪設備采購的重要拉動力。AI訓練對存儲帶寬與容量提出極高要求，HBM（高帶寬內存）需求爆發(fā)，同時傳統DRAM、NAND因產能結構性調整出現供需錯配，價格大幅上漲。2026年Q1 DRAM合約價預計漲幅達50%-60%，刺激存儲廠商加快擴產步伐。存儲產線國產化率相對較高，且設備需求以刻蝕、薄膜沉積為主，恰恰是國產優(yōu)勢環(huán)節(jié)，訂單能見度顯著提升。

【存儲3D化趨勢，提升設備價值量與國產受益程度】

存儲芯片從2D向3D堆疊演進，制造中刻蝕、薄膜沉積步驟大幅增加，相關設備價值量占比提升，進一步利好國產設備廠商。

數據來源：智研咨詢

3D NAND通過垂直堆疊存儲單元提升容量，已成為主流技術方向。堆疊層數從早期的幾十層發(fā)展至目前300層以上，未來有望突破1000層。這一過程中，刻蝕工藝需挖出極深且高深寬比的通孔，薄膜沉積則需實現均勻的層間絕緣與導電層堆疊，兩者步驟數成倍增加，帶動設備需求量與單價齊升。

數據來源：交銀國際

更重要的是，3D化改變了設備需求結構：光刻步驟在存儲產線中的占比相對下降，而刻蝕與薄膜沉積的占比顯著提升。目前國產設備在這兩個環(huán)節(jié)已有較強競爭力，中微公司、北方華創(chuàng)等在刻蝕與CVD設備上已實現批量交付。因此，存儲擴產+3D化趨勢實際上強化了國產設備的話語權，放大了其在產業(yè)鏈中的受益彈性。

【行情邏輯重構：從國產替代到全球算力映射】

半導體設備板塊的驅動邏輯已從單純的國內替代，升級為與全球AI算力周期強關聯。海外存儲龍頭資本開支提升，直接催化國內設備公司預期。

過去市場將半導體設備視為純粹的國產替代主題，行情隨政策與國內晶圓廠招標節(jié)奏波動。但當前階段，行業(yè)邏輯發(fā)生重要轉變：存儲擴產的核心驅動力來自全球AI算力建設，海外GPU出貨量、存儲巨頭資本開支計劃等已成為預判國內設備公司訂單的重要先行指標。

例如，美光、海力士等企業(yè)上調資本開支，預示存儲產能擴張加速，往往帶動A股設備板塊情緒上揚。這意味著半導體設備板塊與海外算力鏈（如光模塊、PCB）類似，具備了“全球需求、中國供給”的產業(yè)映射特征。這種邏輯拓寬了行業(yè)的成長空間，也使得板塊走勢與全球科技周期關聯更加緊密，提升了行情的持續(xù)性與可跟蹤性。

【聚焦投資工具：半導體設備ETF（159516）為核心配置載體】

半導體設備ETF（159516）覆蓋設備與材料龍頭，規(guī)模大、流動性佳，是高效布局設備賽道的工具。板塊當前估值分位低于芯片設計類指數，具備配置性價比。

從投資布局角度看，半導體設備賽道專業(yè)性強、細分環(huán)節(jié)多，個股波動較大，通過ETF布局可分散風險，把握行業(yè)整體機遇。半導體設備ETF（159516）持倉集中于刻蝕、薄膜沉積、清洗、量測等環(huán)節(jié)的國內龍頭企業(yè)，同時在半導體材料領域布局約24%權重，涵蓋硅片、光刻膠、特種氣體等關鍵材料公司。

半導體設備ETF（159516）是目前市場規(guī)模最大、流動性最佳的半導體設備主題產品，資金進出便利。從估值角度看，當前設備板塊經過調整，估值分位處于歷史中低水平，相比漲幅較大的芯片設計類指數，安全邊際更優(yōu)，且未來業(yè)績能見度高。

數據來源：中證指數公司，截止2025年1月26日。指數成分股僅供參考，不代表投資建議。

總結而言，半導體設備行業(yè)正處于“全球AI需求爆發(fā)+國產替代突破+技術迭代升級”三期疊加的景氣階段。建議投資者淡化短期波動，關注設備招標進展、海外存儲龍頭資本開支動向及國產高端設備突破進展，通過半導體設備ETF（159516）進行中長期配置，分享行業(yè)成長紅利。

風險提示：數據來源ifind，截至2025.1.26，半導體設備ETF規(guī)模為199.63億，在跟蹤同一指數的5只ETF產品中排名第一。提及個股僅用于行業(yè)事件分析，不構成任何個股推薦或投資建議。指數等短期漲跌僅供參考，不代表其未來表現，亦不構成對基金業(yè)績的承諾或保證。觀點可能隨市場環(huán)境變化而調整，不構成投資建議或承諾。提及基金風險收益特征各不相同，敬請投資者仔細閱讀基金法律文件，充分了解產品要素、風險等級及收益分配原則，選擇與自身風險承受能力匹配的產品，謹慎投資。