長(zhǎng)江存儲(chǔ)三期項(xiàng)目極速量產(chǎn)，借超級(jí)周期改變?nèi)騈AND競(jìng)爭(zhēng)格局

VIA：Compute King

筆者注：據(jù)韓媒和臺(tái)媒在內(nèi)的多個(gè)報(bào)道，武漢東湖高新區(qū)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)三期項(xiàng)目工地的塔吊之間，潔凈廠房設(shè)備已開(kāi)始安裝，這家中國(guó)最大的NAND Flash制造商正以前所未有的速度向2026年下半年量產(chǎn)目標(biāo)沖刺。這一超常速度的背后，是長(zhǎng)存對(duì)NAND Flash市場(chǎng)“超級(jí)周期”的戰(zhàn)略布局，也是中國(guó)在全球半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)中加快步伐的縮影。

建設(shè)大提速

長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢三期項(xiàng)目于2025年9月才正式動(dòng)工，按照常規(guī)半導(dǎo)體建廠周期，本應(yīng)等到2027年才能具備正式量產(chǎn)能力。

然而，來(lái)自設(shè)備纏上的消息顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)近期已開(kāi)始密集進(jìn)行NAND Flash生產(chǎn)設(shè)備采購(gòu)訂單發(fā)送與工廠啟動(dòng)設(shè)置作業(yè)，進(jìn)度已大幅調(diào)整。

從動(dòng)工到開(kāi)始量產(chǎn)僅歷時(shí)約一年，這在半導(dǎo)體行業(yè)中極為罕見(jiàn)。

消息人士分析指出，這意味著長(zhǎng)江存儲(chǔ)采取了加速的策略，即在工廠主體建筑尚未完全完工的情況下，就同步搬入部分設(shè)備并進(jìn)行生產(chǎn)線的早期調(diào)試與運(yùn)作。

擴(kuò)大市場(chǎng)占有率的絕佳時(shí)刻

急速擴(kuò)張背后，是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為了在NAND Flash市場(chǎng)迎接“超級(jí)周期”時(shí)，強(qiáng)化自身的全球競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)布局。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)將2026年視為擴(kuò)大NAND Flash市場(chǎng)占有率的黃金時(shí)刻。其戰(zhàn)略判斷源于三星電子與SK海力士2026年將主要資源與重心傾斜至利潤(rùn)更高的DRAM以及AI專(zhuān)用的HBM領(lǐng)域。
據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Counterpoint Research統(tǒng)計(jì)，以NAND出貨量為基準(zhǔn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的全球市占率在2025年第一季首度突破10%大關(guān)。
隨后的成長(zhǎng)趨勢(shì)不減，至2025年第三季，其市占率已攀升至13%，較前一年同期大幅增長(zhǎng)了4個(gè)百分點(diǎn)。

生產(chǎn)技術(shù)突破

在技術(shù)層面，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在NAND Flash的生產(chǎn)技術(shù)實(shí)力上已取得顯著進(jìn)步。數(shù)據(jù)顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)目前已掌握270層3D NAND Flash的生產(chǎn)技術(shù)。
雖然與三星電子的286層及SK海力士的321層技術(shù)相比仍有差距，但這一差距正在快速縮小。

更關(guān)鍵的是，受益于長(zhǎng)期資本投入以及積極延攬外部專(zhuān)家，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在生產(chǎn)良率與穩(wěn)定性方面獲得了高度評(píng)價(jià)，被認(rèn)為已具備與全球領(lǐng)先企業(yè)一較高下的實(shí)力。
研究公司Omdia估計(jì)，2025年長(zhǎng)江存儲(chǔ)的資本支出比全球同行更為積極，約占全球NAND閃存總投資的20%，預(yù)計(jì)還將繼續(xù)加速增長(zhǎng)。

市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局

全球NAND Flash市場(chǎng)主要參與者包括三星電子、SK海力士、美光、鎧俠和長(zhǎng)江存儲(chǔ)。
從技術(shù)和市場(chǎng)兩個(gè)維度，我們可以更清晰地看到長(zhǎng)江存儲(chǔ)當(dāng)前的地位和追趕目標(biāo)：

從數(shù)據(jù)上來(lái)看，如果長(zhǎng)存擴(kuò)建能按計(jì)劃按期完成的話，按產(chǎn)能計(jì)算，長(zhǎng)江存儲(chǔ)明年可能獲得超過(guò)20%的全球市占，極有可能超越SK Hynix，美光和鎧俠成為全球第二大NAND生產(chǎn)廠商。

資本局的變化

長(zhǎng)江存儲(chǔ)三期項(xiàng)目公司主體：長(zhǎng)存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司成立于2025年9月5日，注冊(cè)資本207.2億元，法定代表人為長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)陳南翔。
股東信息顯示，長(zhǎng)存三期由長(zhǎng)江存儲(chǔ)持股50.19%、湖北長(zhǎng)晟三期投資發(fā)展有限責(zé)任公司持股49.81%。
湖北長(zhǎng)晟三期成立于2025年9月2日，由光谷金控、江城基金、長(zhǎng)江產(chǎn)投按40%、40%、20%的比例共同持有，這三者分別代表了湖北省，市，區(qū)的國(guó)資力量。
長(zhǎng)存三期的加速，是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在極端外部環(huán)境下，通過(guò)優(yōu)化工程管理和資本效率實(shí)現(xiàn)的極限求生與主動(dòng)出擊。如果2026年下半年能夠如期啟動(dòng)量產(chǎn)，武漢將真正成為全球存儲(chǔ)芯片版圖上不可忽視的一極。