湖北傳來一聲巨響！1723億湖北巨頭逆襲，三星都要低頭交專利費

前言

長期以來，全球存儲芯片市場被美國、日本、韓國的頭部企業(yè)牢牢掌控，彼時的中國在這一關(guān)鍵領(lǐng)域幾乎毫無議價能力。

但武漢長江存儲的崛起堪稱教科書級逆襲——它以自主研發(fā)為利刃、以百折不撓為底色，硬是從瀕臨被外資整體并購的懸崖邊緣突圍而出，躍升為全球存儲產(chǎn)業(yè)鏈中舉足輕重的“鏈主型”企業(yè)。

如今，連三星電子、SK海力士等國際一線廠商，在推進新一代存儲芯片量產(chǎn)前，都必須向長江存儲支付技術(shù)授權(quán)費用，方能合法使用其核心專利架構(gòu)。

從“受制于人”到“握有重器”，長江存儲還將書寫怎樣的產(chǎn)業(yè)新篇？

初創(chuàng)時期的艱難求生

長江存儲的輝煌并非憑空而來。回溯至2006年，其前身武漢新芯半導(dǎo)體尚處于行業(yè)邊緣，既無技術(shù)積淀，也無品牌聲量。

彼時，全球NAND閃存與DRAM芯片的制造權(quán)高度集中于三星、美光、SK海力士等少數(shù)跨國集團手中。

國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)整體尚處萌芽期：市場需求尚未規(guī)模化釋放，本土企業(yè)的工藝水平、設(shè)備配套與人才儲備均顯薄弱，產(chǎn)業(yè)鏈條幾近空白。

正是在這片近乎“無人區(qū)”的土壤里，長江存儲迎來了第一輪真正的生存考驗。

2007年前后，全球存儲需求迎來爆發(fā)式增長，可緊隨其后的2008年國際金融危機卻令整個行業(yè)急轉(zhuǎn)直下。

武漢新芯遭遇訂單斷崖式下滑、上游材料價格劇烈震蕩、下游客戶回款周期拉長等多重壓力，現(xiàn)金流持續(xù)承壓，企業(yè)運轉(zhuǎn)一度逼近停擺紅線。

雪上加霜的是，多家境外資本敏銳捕捉到這一窗口期，美光科技、新加坡特許半導(dǎo)體等機構(gòu)相繼拋出收購邀約。

擺在武漢新芯面前的，是一道關(guān)乎命運的抉擇題：接受并購，或堅守自主。

倘若當(dāng)時點頭應(yīng)允，長江存儲或?qū)S為純粹代工基地，中國存儲芯片的國產(chǎn)化路徑極可能就此中斷。

危急關(guān)頭，武漢市政府果斷出手，頂住多重壓力否決外資收購提案，為自主創(chuàng)新保留火種。

即便需承擔(dān)巨額財政投入與長期回報不確定性，地方政府仍堅定錨定技術(shù)自立戰(zhàn)略不動搖。

這一關(guān)鍵決策，最終孕育出中國半導(dǎo)體史上最具標(biāo)志性的突破之一。

長江存儲技術(shù)創(chuàng)新

穿越初創(chuàng)階段的生死線后，長江存儲將全部精力聚焦于核心技術(shù)攻堅。

2016年，公司正式納入國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金重點支持序列，同步啟動全新技術(shù)路線圖的系統(tǒng)性規(guī)劃。

在國家大基金、湖北省及武漢市兩級財政資金注入，疊加紫光集團戰(zhàn)略控股的協(xié)同加持下，長江存儲擁有了與國際巨頭同臺競技的資本與底氣。

早期研發(fā)節(jié)奏相對審慎。2017年，公司發(fā)布首款32層堆疊NAND閃存芯片，雖實現(xiàn)國產(chǎn)零的突破，但在層數(shù)密度、讀寫性能、良率控制等方面，與三星、美光等領(lǐng)先者仍存在明顯代際差。

面對現(xiàn)實差距，研發(fā)團隊大膽重構(gòu)技術(shù)路徑——跳過96層過渡方案，直接錨定128層三維堆疊結(jié)構(gòu)作為主攻方向。

此舉極具顛覆性：一旦失敗，數(shù)百億元研發(fā)投入或?qū)⒊翛]，企業(yè)戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型也將面臨重大挫折。

研發(fā)團隊迎難而上，通過微縮光刻優(yōu)化、多層對準(zhǔn)精度提升、電荷陷阱結(jié)構(gòu)改良等數(shù)十項關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，連續(xù)攻克工藝穩(wěn)定性、單元可靠性、信號干擾抑制等瓶頸。

2020年4月，全球首顆128層QLC架構(gòu)3D NAND閃存芯片成功流片并完成驗證，性能指標(biāo)全面超越同期國際競品。

該成果不僅完成實驗室突破，更快速導(dǎo)入產(chǎn)線實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，并迅速獲得服務(wù)器、固態(tài)硬盤、智能終端等下游客戶的批量采用。

這款128層產(chǎn)品在單位面積存儲容量、隨機讀寫IOPS、功耗控制及晶圓切割良率等核心維度均達到業(yè)界頂尖水準(zhǔn)，同時依托創(chuàng)新制程設(shè)計顯著壓縮單GB成本。

憑借此次跨越式的躍遷，長江存儲完成了從“技術(shù)追隨者”到“標(biāo)準(zhǔn)定義者”的身份蛻變，在全球存儲芯片格局中贏得不可替代的戰(zhàn)略席位。

長江存儲的全球戰(zhàn)略

技術(shù)站穩(wěn)腳跟后，長江存儲清醒認識到：僅靠硬件產(chǎn)品難以構(gòu)筑持久護城河，唯有構(gòu)建高價值專利矩陣，方能在全球競爭中掌握主動權(quán)。

為此，公司啟動覆蓋全球主要市場的系統(tǒng)性專利布局工程。

其獨創(chuàng)的Xtacking架構(gòu)打破傳統(tǒng)單晶圓集成范式，將存儲陣列與外圍邏輯電路分別置于兩片獨立晶圓制造，再通過高精度混合鍵合（Hybrid Bonding）實現(xiàn)三維互聯(lián)，該架構(gòu)已衍生出超千項核心專利。

長江存儲還積極聯(lián)合國際一流知識產(chǎn)權(quán)服務(wù)機構(gòu)，在美、歐、日、韓、東南亞等十余個國家和地區(qū)完成關(guān)鍵專利的PCT國際申請與本地化布局。

目前，公司在混合鍵合、垂直互連、多層對準(zhǔn)、電荷捕獲材料等細分領(lǐng)域均已形成嚴密專利壁壘，部分技術(shù)指標(biāo)達國際領(lǐng)先水平。

依托與Xperi、臺積電等全球頭部伙伴的深度技術(shù)協(xié)作，長江存儲進一步強化了專利組合的落地轉(zhuǎn)化能力與法律防御縱深。

這些專利不僅有效破解了三維堆疊層數(shù)提升帶來的物理極限難題，更大幅改善數(shù)據(jù)吞吐效率、降低單位比特制造能耗，并提升整線良率穩(wěn)定性。

隨著相關(guān)技術(shù)加速商用，三星、美光等廠商在開發(fā)V10、1βnm等下一代產(chǎn)品過程中，發(fā)現(xiàn)多項關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)已無法繞開長江存儲的專利覆蓋范圍。

2024年初，三星電子正式向長江存儲支付技術(shù)許可費用，以保障其最新一代V10系列存儲芯片順利進入量產(chǎn)階段。

更具里程碑意義的是，2023年長江存儲在美國聯(lián)邦法院對美光科技提起專利侵權(quán)訴訟，指控其多款SSD主控芯片及NAND模組侵犯己方12項核心專利；2024年再度追加9項新增侵權(quán)主張，涵蓋架構(gòu)設(shè)計、信號處理、糾錯算法等關(guān)鍵技術(shù)模塊。

此案引發(fā)全球半導(dǎo)體界高度關(guān)注，被視為中國企業(yè)由“規(guī)則適應(yīng)者”轉(zhuǎn)向“規(guī)則共建者”的標(biāo)志性事件。

長江存儲通過主動發(fā)起高質(zhì)量專利訴訟，不僅捍衛(wèi)了自身創(chuàng)新成果，更重塑了全球存儲產(chǎn)業(yè)的技術(shù)話語權(quán)分配邏輯。

展望未來，長江存儲將持續(xù)加大在新型存儲介質(zhì)（如MRAM、ReRAM）、先進封裝、AI存算一體等前沿方向的研發(fā)投入。

這類兼具硬科技屬性與產(chǎn)業(yè)牽引力的企業(yè)，正成為驅(qū)動中國高端制造業(yè)躍升的核心引擎，有力支撐國家從“制造大國”邁向“創(chuàng)新強國”的歷史性跨越。

我們堅信，當(dāng)越來越多像長江存儲這樣兼具戰(zhàn)略定力、技術(shù)銳度與全球視野的領(lǐng)軍企業(yè)涌現(xiàn)，中國必將在全球科技版圖中占據(jù)更加堅實、更具引領(lǐng)性的坐標(biāo)。

結(jié)語

長江存儲的成長軌跡，是中國高科技企業(yè)破繭成蝶的真實寫照，更是世界觀察中國創(chuàng)新潛力的重要窗口。

從一座以熱干面飄香聞名的中部城市出發(fā)，到如今估值高達1723億元、躋身全球存儲產(chǎn)業(yè)核心樞紐的科技旗艦，長江存儲用十余年時間，徹底改寫了美日韓三強長期主導(dǎo)的技術(shù)敘事。

今天的長江存儲，早已超越傳統(tǒng)代工廠定位，它是國家戰(zhàn)略科技力量的踐行者，是中國原創(chuàng)技術(shù)體系的示范樣本。

依靠持續(xù)高強度研發(fā)投入、全球化專利生態(tài)構(gòu)建、以及敢于亮劍的知識產(chǎn)權(quán)策略，長江存儲不僅贏得了產(chǎn)業(yè)尊重，更實質(zhì)性打破了國際巨頭的價格聯(lián)盟，讓全球用戶享受到更高性能、更優(yōu)成本、更多元選擇的存儲解決方案。