SIA發(fā)布聲明反對《芯片安全法案》；ASML計(jì)劃進(jìn)軍先進(jìn)封裝賽道；英偉達(dá)投資兩家光學(xué)技術(shù)公司 | 新聞速遞

五分鐘了解產(chǎn)業(yè)大事

每日頭條芯聞

1. SIA發(fā)布聲明反對《芯片安全法案》
   

2. 臺(tái)積電前高管羅唯仁被正式調(diào)查，涉嫌泄露2nm核心技術(shù)

3. ASML計(jì)劃進(jìn)軍先進(jìn)封裝賽道

4. 愛立信下一代芯片將基于英特爾工藝，加速商用AI原生6G進(jìn)程

5. 英偉達(dá)投資兩家光學(xué)技術(shù)公司
   

6. 消息稱蘋果私有云計(jì)算遇挑戰(zhàn)，擬讓谷歌數(shù)據(jù)中心托管Siri AI核心算力

7. 三星晶圓代工得州泰勒廠大規(guī)模量產(chǎn)恐延期

8. 比亞迪在全球22個(gè)國家和地區(qū)銷量超越特斯拉

9. Rapidus將攜手佳能研發(fā)2nm圖像處理芯片
   

10. 消息稱SK海力士探索HBM4全新封裝技術(shù)

11. TrendForce：2025年Q4五大NAND閃存原廠相關(guān)營收環(huán)比增長23.8%

12. 羅姆與印度Suchi達(dá)成戰(zhàn)略合作，計(jì)劃外包半導(dǎo)體后端制造

13. OpenAI將修改與美國戰(zhàn)爭部的協(xié)議，明確禁止監(jiān)視美國人

14. Omdia：2025年大中華區(qū)手機(jī)出貨量：華為同比增2%、vivo降7%、蘋果增7%、小米增4%

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【SIA發(fā)布聲明反對《芯片安全法案》】

美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì) (SIA) 于3月2日發(fā)布了總裁兼首席執(zhí)行官John Neuffer的聲明，反對《芯片安全法案》。

聲明表示：“SIA成員完全致力于遵守出口管制規(guī)定，我們強(qiáng)烈反對非法轉(zhuǎn)移和濫用我們的芯片技術(shù)。我們理解政策制定者關(guān)注這一問題的意愿，但我們不能支持對未經(jīng)測試、可能不切實(shí)際的新型芯片機(jī)制（例如《芯片安全法案》中提出的機(jī)制）進(jìn)行一刀切的強(qiáng)制規(guī)定。倉促立法強(qiáng)制實(shí)施復(fù)雜、昂貴且未經(jīng)證實(shí)的安全功能，可能會(huì)損害全球?qū)γ绹雽?dǎo)體技術(shù)的信任，阻礙美國人工智能技術(shù)出口，削弱我們的全球領(lǐng)導(dǎo)地位和競爭力。”

“我們公司與政府機(jī)構(gòu)、執(zhí)法部門和其他相關(guān)利益攸關(guān)方密切合作，以防止和偵查我們產(chǎn)品的非法轉(zhuǎn)移和濫用行為。我們隨時(shí)準(zhǔn)備與國會(huì)合作，探討有效應(yīng)對這些風(fēng)險(xiǎn)的途徑，并確保美國半導(dǎo)體技術(shù)成為全球人工智能生態(tài)系統(tǒng)的基礎(chǔ)。”

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【ASML計(jì)劃進(jìn)軍先進(jìn)封裝賽道】

荷蘭阿斯麥（ASML）一名高管向路透社表示，公司制定了雄心勃勃的計(jì)劃，將其芯片制造設(shè)備產(chǎn)品線拓展至多款全新產(chǎn)品，以在快速增長的人工智能芯片市場中搶占更多份額。

ASML希望跳出EUV業(yè)務(wù)范疇，計(jì)劃進(jìn)軍先進(jìn)封裝設(shè)備市場。作為計(jì)劃的一部分，ASML將在新業(yè)務(wù)及現(xiàn)有業(yè)務(wù)中應(yīng)用人工智能技術(shù)。

ASML首席技術(shù)官馬爾科 · 皮特斯向路透社表示：“我們不只著眼未來五年，更關(guān)注未來十年、甚至十五年。我們會(huì)研判行業(yè)可能的發(fā)展方向，以及封裝、鍵合等環(huán)節(jié)需要怎樣的技術(shù)支撐。”

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【英偉達(dá)投資兩家光學(xué)技術(shù)公司】

英偉達(dá)近日分別發(fā)表聲明稱，將分別向Lumentum Holdings Inc.和Coherent Corp.投資20億美元，達(dá)成多年合作協(xié)議。兩項(xiàng)合作均包含先進(jìn)激光組件的采購協(xié)議和使用權(quán)。投資資金將用于支持研發(fā)工作。

英偉達(dá)正利用其巨額利潤構(gòu)建一個(gè)強(qiáng)大的生態(tài)系統(tǒng)，以支持先進(jìn)人工智能系統(tǒng)的發(fā)展。它直接投資于數(shù)據(jù)中心公司（如CoreWeave）和人工智能模型開發(fā)商（如OpenAI），從而提升了對其芯片的需求。

磷化銦激光器使數(shù)據(jù)中心能夠?qū)崿F(xiàn)更高的帶寬連接和更快的數(shù)據(jù)傳輸。Coherent和Lumentum是美國生產(chǎn)這項(xiàng)技術(shù)的主要公司。這些交易確保了市場對這些激光器的需求穩(wěn)定，同時(shí)也有助于降低其產(chǎn)能擴(kuò)張的風(fēng)險(xiǎn)。

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【三星晶圓代工得州泰勒廠大規(guī)模量產(chǎn)恐延期】

據(jù)韓媒報(bào)道稱，根據(jù)多位知情人士的透露，三星電子DS部晶圓代工業(yè)務(wù)位于美國得克薩斯州泰勒市的先進(jìn)制程晶圓廠預(yù)計(jì)將在2027年初實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

“啟動(dòng)量產(chǎn)”與“大規(guī)模量產(chǎn)”兩種說法間本身就存在差異，兩者相隔一個(gè)“產(chǎn)能爬坡”階段。即使泰勒廠的大規(guī)模量產(chǎn)延遲到2027年初，也不會(huì)對大客戶特斯拉的AI5芯片制造產(chǎn)生重大影響。

此外，三星電子預(yù)計(jì)從本月開始在泰勒廠啟動(dòng)半導(dǎo)體制造設(shè)備運(yùn)行測試，為后續(xù)的正式生產(chǎn)打下技術(shù)基礎(chǔ)。

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【消息稱SK海力士探索HBM4全新封裝技術(shù)】

據(jù)韓媒報(bào)道，SK海力士正在為HBM4以及未來產(chǎn)品開發(fā)全新封裝方案，核心措施包括提升DRAM厚度、縮小層間距。前者主要是將部分上層DRAM增加厚度，旨在提升整體穩(wěn)定性；而后者則是在不增加整體封裝厚度的前提下提高供電效率，能夠加快數(shù)據(jù)傳輸速度并減少能耗。

不過間距縮小也帶來了新挑戰(zhàn)。更窄的間隙會(huì)讓 MUF（模塑底部填充材料）更難穩(wěn)定注入，可能導(dǎo)致缺陷產(chǎn)生。

為了解決這種問題，SK海力士正在研發(fā)全新封裝技術(shù)，核心理念是維持穩(wěn)定良率，近期內(nèi)部測試較為積極。

若該技術(shù)成功商業(yè)化，則有助于HBM4及后續(xù)產(chǎn)品中縮小DRAM間距、突破技術(shù)瓶頸，無需大規(guī)模資本支出即可提升HBM4的性能。

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【TrendForce：2025年Q4五大NAND閃存原廠相關(guān)營收環(huán)比增長23.8%】

TrendForce表示，五大NAND閃存原廠（三星、SK海力士、鎧俠、美光、閃迪）相關(guān)業(yè)務(wù)在2025年第4季度合計(jì)實(shí)現(xiàn)211.725億美元營業(yè)收入（現(xiàn)約合1461.54億元人民幣），環(huán)比增長23.8%。

這其中包含SK海力士與下屬Solidigm的SK集團(tuán)整體上月在NAND業(yè)務(wù)上取得了47.8%的顯著環(huán)比增幅；鎧俠盡管增長有限但在營收和bit出貨量兩方面皆創(chuàng)下單季度新高。

對于2026年Q1，TrendForce認(rèn)為由于NAND閃存擴(kuò)充幅度有限、AI需求爆發(fā)導(dǎo)致供需嚴(yán)重失衡，原廠繼續(xù)拉抬價(jià)格的意愿強(qiáng)烈，產(chǎn)品整體合約價(jià)格預(yù)計(jì)將環(huán)比增長85%~90%；與此同時(shí)，產(chǎn)能資源也將持續(xù)向服務(wù)器端傾斜，重心轉(zhuǎn)移至超大容量QLC eSSD，消費(fèi)類產(chǎn)品的供應(yīng)將受到排擠。