三星擬將HBM4產(chǎn)能占比將提升至50%以上！

3月18日，根據(jù)韓國媒體《朝鮮日?qǐng)?bào)》的最新報(bào)導(dǎo)，在全球人工智能（AI）芯片需求持續(xù)爆發(fā)的背景下，韓國三星電子正積極鞏固其在高帶寬內(nèi)存（HBM）市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。三星電子存儲(chǔ)開發(fā)部執(zhí)行副總裁黃相俊（Hwang Sang-jun）在英偉達(dá)GTC 2026大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)公布了三星最新的HBM量產(chǎn)進(jìn)度與下一代技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖。

黃相俊表示，我們目前正以非常陡峭的曲線進(jìn)行HBM的產(chǎn)能提升，且在生產(chǎn)環(huán)節(jié)上沒有面臨太大的問題，將全力支持英偉達(dá)等核心客戶的AI芯片發(fā)布周期。針對(duì)未來的產(chǎn)品布局，黃相俊指出，三星的戰(zhàn)略目標(biāo)是讓最新一代的HBM4 產(chǎn)品，在公司整體的HBM 總產(chǎn)量中占據(jù)高達(dá)一半以上的比例。

面對(duì)當(dāng)前全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)可能出現(xiàn)的供應(yīng)緊缺情況，三星也制定了明確的應(yīng)對(duì)方針。 黃相俊強(qiáng)調(diào)，在市場(chǎng)供應(yīng)略顯不足的情況下，將產(chǎn)能與供應(yīng)重心集中于高階優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，從整體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的宏觀角度來看，是更好的選擇。與此同時(shí)，三星還必須將戰(zhàn)略合作伙伴與一般量產(chǎn)供應(yīng)客戶進(jìn)行明確區(qū)分，并依此來分配產(chǎn)品數(shù)量，這是在當(dāng)前市場(chǎng)環(huán)境下不得不采取的資源配置做法。

黃相俊也在GTC大會(huì)上宣布，其第六代HBM——HBM4已經(jīng)開始步入量產(chǎn)階段，其基礎(chǔ)晶粒（Base Die）將采用4nm制程技術(shù)（三星代工的英偉達(dá)Gorq 3 LPU芯片也是采用同樣的4nm制程），其核心的DRAM芯片采用的是10nm等級(jí)的1c（第六代）制程技術(shù)。

三星表示，該芯片的處理速度高達(dá) 11.7 Gbps，超過了業(yè)界典型的 8 Gbps 標(biāo)準(zhǔn)，并且可以提升至 13 Gbps。

三星后續(xù)的升級(jí)版第七代HBM產(chǎn)品——HBM4E的基礎(chǔ)晶粒也都將采用相同的4nm制程技術(shù)。但未來的HBM5 以及HBM5E 產(chǎn)品的基礎(chǔ)芯粒，三星則計(jì)劃全面導(dǎo)入自家晶圓代工更為先進(jìn)的2nm制程技術(shù)。在核心DRAM芯片方面，HBM5 與HBM5E 預(yù)計(jì)將分別采用10nm等級(jí)的1c（第六代）與1d（第七代） 制程技術(shù)。 黃相俊進(jìn)一步指出，采用如此尖端的制程技術(shù)確實(shí)會(huì)帶來成本壓力與負(fù)擔(dān)。不過，為了滿足HBM 未來所追求的產(chǎn)品效能與設(shè)計(jì)概念，積極導(dǎo)入先進(jìn)制程技術(shù)是不可避免的發(fā)展趨勢(shì)。

為了確保在激烈的AI 晶片競(jìng)賽中保持優(yōu)勢(shì)，三星正推行一項(xiàng)緊密跟隨核心客戶的戰(zhàn)略。目前，三星正致力于將自家HBM 的推出周期，與英偉達(dá)AI 芯片的上市周期進(jìn)行同步調(diào)整，計(jì)劃以“每年”為單位，持續(xù)推出全新的HBM產(chǎn)品。

三星還重點(diǎn)介紹了其與英偉達(dá)在人工智能工廠方面的合作，利用加速計(jì)算和 Omniverse 技術(shù)擴(kuò)展半導(dǎo)體生產(chǎn)中的數(shù)字孿生系統(tǒng)。三星還展示了多款設(shè)備端AI內(nèi)存產(chǎn)品，包括用于DGX Spark系統(tǒng)的PM9E3和PM9E1 NAND閃存，以及LPDDR5X和LPDDR6移動(dòng)DRAM。LPDDR5X單引腳速度高達(dá)25Gbps，效率更高；LPDDR6單引腳速度高達(dá)35Gbps，并增強(qiáng)了電源管理。

編輯：芯智訊-林子