2025年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資額約為7800億元，同比增長17.2%

晶圓制造依舊占據(jù)投資主導(dǎo)，規(guī)模達2,558.7億元，占總投資32.6%。

根據(jù)CINNO IC Research最新統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2025年中國（含臺灣）半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總投資額達7,841億元，同比增長17.2%。半導(dǎo)體設(shè)備、材料領(lǐng)域大幅增長，成為產(chǎn)業(yè)投資亮點，其余領(lǐng)域則隨產(chǎn)業(yè)發(fā)展階段呈現(xiàn)不同發(fā)展態(tài)勢。

2025年中國（含臺灣）半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資項目分布情況，來源：CINNO?IC Research

2025年中國（含臺灣）半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資呈現(xiàn)明顯的結(jié)構(gòu)性特征。具體到細分領(lǐng)域，晶圓制造依舊占據(jù)投資主導(dǎo)，規(guī)模達2,558.7億元，占總投資32.6%，但受成熟制程投資飽和影響，較去年同期微降0.1%；半導(dǎo)體材料領(lǐng)域投資1,713.0億元，占比21.9%，同比大幅增長59.6%，投資結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化，高端材料領(lǐng)域占比顯著提升；芯片設(shè)計領(lǐng)域投資1,979.3億元，占比25.2%，同比增長9.2%，穩(wěn)步發(fā)展；封裝測試領(lǐng)域投資774.0億元，占比9.9%，同比下降7.0%。半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域投資816.2億元，同比激增100.2%，成為唯一實現(xiàn)翻倍增長的領(lǐng)域，凸顯其在產(chǎn)業(yè)自主化中的核心地位。

作為對比，CINNO Research此前統(tǒng)計，2024年中國(含中國臺灣)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項目投資總額6831億人民幣；2025年上半年，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)（含中國臺灣）總投資額為4550億元。

長三角是中國吸納半導(dǎo)體資金最多的地區(qū)。2025年中國大陸23個省市（含直轄市）的半導(dǎo)體投資分布高度集中，前五大區(qū)域匯聚了57.4%的資金。上海市以728.2億元投資、13.8%的占比領(lǐng)跑全國，成為半導(dǎo)體投資核心集聚區(qū)；江蘇省701.1億元投資、13.3%的占比緊隨其后；安徽省（11.5%）、廣東省（11.1%）、浙江省（7.8%）分列三至五位。

2025年中國（含臺灣）半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資項目地域分布情況，來源：CINNO?IC Research

這一高度集中的投資格局，源于三大核心因素：

• 一是長三角地區(qū)產(chǎn)業(yè)積淀深厚，江蘇省在晶圓制造、封裝測試領(lǐng)域形成完整產(chǎn)業(yè)鏈，配套優(yōu)勢顯著；
• 二是政策資源傾斜，上海、北京等核心城市通過專項基金、人才政策形成制度優(yōu)勢，吸引資金與企業(yè)集聚；
• 三是區(qū)域協(xié)同效應(yīng)凸顯，以上海為龍頭的長三角半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈已顯現(xiàn)規(guī)模效應(yīng)，資源配置效率持續(xù)提升。

設(shè)備，逆勢高增

中國半導(dǎo)體設(shè)備投資的逆勢翻倍增長，本質(zhì)是外部技術(shù)封鎖倒逼下的自主創(chuàng)新突圍戰(zhàn)。在剛剛舉辦的2026全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略峰會 (ISS) ：SEMI產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新投資論壇 (SIIP China)上，清華教授魏少軍也分析了地緣政治對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的影響。他坦言，盡管“逆全球化”趨勢仍在持續(xù)，但實際影響并未達到部分人的預(yù)期。在這場博弈中，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)并未被打壓、停滯，反而崛起成為全球產(chǎn)業(yè)中至關(guān)重要的一極，且產(chǎn)業(yè)升級速度持續(xù)加快

CINNO Research觀點基本類似，認為美國的技術(shù)管制，在限制中國獲取先進設(shè)備的同時，徹底激活了本土半導(dǎo)體設(shè)備的創(chuàng)新動能，推動產(chǎn)業(yè)走出了政策、市場、技術(shù)協(xié)同驅(qū)動的發(fā)展路徑。

從政策層面來看，國家大基金與地方專項基金精準(zhǔn)發(fā)力；從市場需求來看，國內(nèi)晶圓廠擴建潮與國產(chǎn)化替代政策形成聯(lián)動；從技術(shù)突破來看，中微半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)等企業(yè)在刻蝕、薄膜沉積等關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域躋身國際先進行列，國產(chǎn)化替代進程持續(xù)提速。

SEMI數(shù)據(jù)顯示，全球晶圓廠產(chǎn)能已向中國轉(zhuǎn)移。過去二十年，中國大陸晶圓制造產(chǎn)能占全球比重實現(xiàn)三級跳：2000-2020年全球晶圓廠產(chǎn)能向中國轉(zhuǎn)移，2000年中國晶圓產(chǎn)能占比僅為2%，2010年提升至9%，2020年達到17%。2030年中國大陸晶圓產(chǎn)能將占全球三分之一。其中在22—40納米主流制程節(jié)點，中國大陸產(chǎn)能增速最快，2026年占比將達到37%，2028年有望達到42%，占據(jù)主導(dǎo)地位。

根據(jù)SEMI預(yù)測，到2028年，全球預(yù)計將新建108座晶圓廠，其中北美16座、歐洲8座、亞洲8 座，而中國大陸將新建47座，占比突出。

材料，高增且高端化

CINNO IC Research統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2025年半導(dǎo)體材料領(lǐng)域59.6%的高速增長，且投資呈現(xiàn)明顯的技術(shù)升級特征。第三代半導(dǎo)體材料（SiC/GaN）成為投資焦點，以286.5億元的投資規(guī)模位居細分領(lǐng)域榜首，占材料領(lǐng)域總投資16.7%。硅片領(lǐng)域獲得264.4億元投資，占比15.4%，位居第二；電子特氣領(lǐng)域投資156.9億元，占比9.3%，位居第三。

第三代半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體材料，是指禁帶寬度在2.3電子伏特（eV）以上的半導(dǎo)體材料。這類材料主要包括碳化硅、氮化鎵、金剛石、氧化鎵和氧化鋅等。寬禁帶材料對電動汽車、工業(yè)與能源領(lǐng)域電氣化至關(guān)重要，業(yè)內(nèi)人士此前曾表示，中國第三代半導(dǎo)體已從產(chǎn)能擴張階段進入車規(guī)級產(chǎn)品認證階段，中國在這些領(lǐng)域已具備強勢地位，極有可能推動本土生態(tài)建設(shè)。

CINNO Research評價稱，作為全球最大半導(dǎo)體消費市場，中國走出了獨具特色的發(fā)展路徑，美國的出口管制雖在短期內(nèi)制約了先進技術(shù)的獲取，卻意外激活了國內(nèi)設(shè)備、材料領(lǐng)域的創(chuàng)新動能，推動本土企業(yè)加速突破 28nm 以下制程設(shè)備、第三代半導(dǎo)體材料等關(guān)鍵技術(shù)瓶頸。2025年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型成效顯著，半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化水平穩(wěn)步提升，SiC襯底在全球市場的份額實現(xiàn)明顯增長，為后續(xù)發(fā)展筑牢了堅實根基。

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