中國首臺10nm級！壓印光刻系統交付

來源：芯極速

編輯：感知芯視界 Link

8月1日，由璞璘科技自主設計研發的首臺PL-SR系列噴墨步進式納米壓印設備順利通過驗收，并成功交付至國內特色工藝客戶。

據介紹，PL-SR系列設備攻克了噴墨涂膠工藝等關鍵技術難題，達到了平均殘余層<10nm、殘余層變化<2nm、壓印結構深寬比>7：1的技術指標，可對應線寬＜10nm 的納米壓印光刻工藝。

目前，該系列設備已初步完成存儲芯片、硅基（oS）微顯示器、硅光（SiPh）及先進封裝（AVP）等芯片研發驗證；其最小可實現20mm×20mm壓印模板均勻拼接，最終可實現12英寸晶圓級超大模板。

作為行業參照，佳能此前推出的FPA-1200NZ2C納米壓印光刻機（該設備對中國實施禁運），憑借納米壓印技術可實現14nm線寬，據此宣稱能夠生產5nm制程芯片。而璞璘科技的PL-SR系列設備在這項指標上已經超越了佳能，但是，這并不意味著利用該設備就可直接用于5nm制程先進邏輯芯片的制造。

與已商用的EUV光刻技術相比，納米壓印技術具有顯著的成本與能耗優勢 —— 無需復雜的EUV光源系統，據佳能數據顯示，其耗電量僅為EUV技術的10%，設備投資成本可降至EUV設備的40%。不過，該技術也存在明顯局限：芯片制造速度慢于傳統光刻方式，且不適用于復雜邏輯制程芯片的生產。

值得注意的是，NAND Flash等存儲芯片的圖形結構相對簡單，其多層堆疊結構具有高度一致性，因此更易于適配納米壓印技術。這意味著國產存儲芯片廠商有望借助國產納米壓印設備提升制程工藝，打破西方在高端存儲制造設備領域的封鎖，從而在與SK海力士、三星等國際存儲大廠的競爭中占據更有利地位。

業內普遍認為，此次交付是我國首次向實際芯片量產客戶提供步進式納米壓印曝光系統，標志著該技術在產業化落地進程中邁出了關鍵一步。

此外，值得注意的是，近期在蘇州召開的“2025 年先進曝光技術研討會”上，來自華中科技大學、復旦大學、中國科學院等科研單位，以及芯上微裝、皓宇芯光等本土設備廠商，集中發布了極紫外激光元件、多電子束曝光、半導體封裝等關鍵技術領域的最新成果。

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