廣東
最近讀者問：“正常器件間的STI是通過填充OX做器件隔離的，你有了解過除了OX，還combine其他材料來做器件隔離嗎？”
在傳統CMOS工藝中，STI（Shallow Trench Isolation）隔離主要是用SiO?（通常是TEOS氧化物或HDPCVD氧化物）來填充凹槽完成的，這是你說的“填充OX”。
但隨著器件尺寸進入10nm以下、以及FinFET/CFET結構的普及，單獨用SiO?填充已不足以抑制寄生漏電、隔離噪聲、控制應力等。于是業界開始在STI中 組合其他材料 來優化性能，常見做法包括：
? 氮化物層 (Si?N?)
在STI trench底部或側壁沉積一層薄的氮化硅（Liner Nitride），用來調節應力和抑制氧擴散，防止隔離氧化物侵入溝道區域造成LOCOS遺留問題。
這層氮化物也可以幫助減少應力誘導缺陷（特別在FinFET中對機械應力非常敏感）。
? 高k材料
在特定工藝中（如一些高性能或低功耗器件），為了更好地隔離噪聲或降低寄生電容，會在STI中插入高k絕緣層（例如Al?O?、HfO?），尤其是用于RF或模擬電路的隔離優化。
? 有機或低k材料
在某些特殊SOC或模擬/數字混合芯片中，局部STI中會在氧化物上方疊加有機低k材料層，以進一步降低互聯層之間的寄生電容。
? 碳摻雜氧化物 (SiOC)
有些先進工藝在STI頂部與第一層金屬之間，會使用SiOC來調節應力并優化RC延遲，這雖然不直接“填在STI槽中”，但同樣是STI整體堆棧的關鍵材料。
此外，對于FinFET等非平面結構，還有 Shallow Trench Fill with Flowable Oxide (FLOX)，再配合氮化物或應力調控層，甚至有部分廠商嘗試用多層STI填充（氧化物+氮化物交替層）來精細調控應力分布。
所以，結論：除了SiO?，現代CMOS STI隔離確實已經發展到 Si?N?、Al?O?、HfO?、SiOC、甚至有機低k材料 的組合應用，以滿足更小器件尺寸下對隔離性能、寄生、應力、噪聲的更高要求。
歡迎加入行業交流群，備注崗位+公司，請聯系老虎說芯
特別聲明：以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺“網易號”用戶上傳并發布，本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
