上海超硅IPO：三年累計虧損超30億元 仍面臨市場競爭加劇風(fēng)險

　　《筆尖網(wǎng)》文/筆尖財經(jīng)

　　今年6月13日，上交所受理了上海超硅的科創(chuàng)板IPO申請，7月2日，上海超硅審核狀態(tài)變?yōu)橐褑栐儭?/p>

　　招股書顯示，上海超硅主要從事全球半導(dǎo)體市場需求最大的300mm和200mm半導(dǎo)體硅片的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售，同時公司還從事包括硅片再生以及硅棒后道加工等受托加工業(yè)務(wù)，已經(jīng)發(fā)展為國際知名的半導(dǎo)體硅片廠商。公司擁有設(shè)計產(chǎn)能70萬片/月的 300mm 半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)線以及設(shè)計產(chǎn)能 40 萬片/月的 200mm 半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)線。公司產(chǎn)品已量產(chǎn)應(yīng)用于先進(jìn)制程芯片，包括 NAND Flash/DRAM（含 HBM）/Nor Flash 等存儲芯片、邏輯芯片等。

　　三年累計虧損超30億元 面臨市場競爭加劇風(fēng)險

　　招股書顯示，2022年至2024年，上海超硅的營業(yè)收入分別為9.21億元、9.28億元、13.27億元，然而同期凈利潤卻是-8.03億元、-10.44億元、-12.99億元，三年累計虧損高達(dá)31.46億元。

　　上海超硅在風(fēng)險提示中指出報告期內(nèi)，由于公司 300mm 硅片生產(chǎn)線建設(shè)正在持續(xù)進(jìn)行中，且 300mm硅片產(chǎn)品尚處于產(chǎn)能爬坡的關(guān)鍵階段，暫未形成規(guī)模效應(yīng)，公司短期內(nèi)存在累計未彌補虧損，截至 2024 年末，公司累計未分配利潤為-39.72億元。公司營業(yè)收入增長、盈利能力改善受到產(chǎn)能及其利用率提升、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化、市場需求擴(kuò)大、成本控制強化等諸多方面的影響。若公司不能盡快實現(xiàn)盈利，則公司存在短期內(nèi)無法完全彌補累計虧損的風(fēng)險。在首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市后，公司將存在短期內(nèi)因累計未彌補虧損而無法向股東現(xiàn)金分紅的風(fēng)險，將對股東的投資收益造成不利影響。

　　此外，上海超硅還指出全球半導(dǎo)體硅片行業(yè)市場集中度較高，主要被日本、中國臺灣、韓國、德國等國家或地區(qū)的知名企業(yè)占據(jù)。全球前五大半導(dǎo)體硅片企業(yè)規(guī)模較大、市場占有率較高，合計市場份額在 80%左右。相較于行業(yè)前五大半導(dǎo)體硅片企業(yè)，公司規(guī)模較小，2024 年占全球半導(dǎo)體硅片市場份額為 1.60%。近年來隨著中國大陸對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高度重視，在產(chǎn)業(yè)政策支持和地方政府的推動下，中國大陸半導(dǎo)體硅片行業(yè)的新建項目也不斷涌現(xiàn)，公司面臨市場競爭加劇的風(fēng)險。

　　存貨壓力持續(xù)增加 擬募集資金49.65億元

　　此外值得注意的是，在上海超硅IPO沖刺的關(guān)鍵期，該公司財務(wù)總監(jiān)和董事會秘書的相繼離職。

　　2024年12月，該公司的財務(wù)總監(jiān)王錫谷于離任，董事會秘書王全勝則于2024年9月離職。2023年3月至2024年9月，該公司財務(wù)總監(jiān)為劉旺；2024年9月至12月，變更為王錫谷；2024年12月后，又由王紅梅接任。

　　與此同時，上海超硅的存貨減值壓力巨大。報告期各期末，上海超硅存貨賬面余額分別為77685.00萬元、118915.43萬元和151468.92萬元。

　　同期，該公司存貨跌價準(zhǔn)備金額分別為24726.83萬元、30949.93萬元和43334.20萬元。

　　此次，上海超硅擬募集資金49.65億元，所募資金中約14.19億元用于補充流動資金，其余資金投向集成電路用300毫米薄層硅外延片擴(kuò)產(chǎn)項目、高端半導(dǎo)體硅材料研發(fā)項目。

　　據(jù)悉，“集成電路用300毫米薄層硅外延片擴(kuò)產(chǎn)項目”將在上海超硅現(xiàn)有拋光片產(chǎn)能的基礎(chǔ)上增強外延片的生產(chǎn)能力。主要開發(fā) 300 毫米輕摻雜薄層硅外延片，對硅外延片生產(chǎn)線進(jìn)行技術(shù)改進(jìn)的同時提高硅外延片的產(chǎn)能。

　　“高端半導(dǎo)體硅材料研發(fā)項目”包含“先進(jìn)制程 DRAM 和 SRAM 拋光片研發(fā)項目”“HBM 拋光片 COP-Free 晶體生長工藝研發(fā)項目”“CIS 拋光片研 發(fā)項目”“SOI 用晶體生長及檢查技術(shù)研發(fā)項目”等研發(fā)項目。

　　“先進(jìn)制程 DRAM和SRAM拋光片研發(fā)項目”通過開發(fā)更先進(jìn)制程DRAM和SRAM拋光片，滿足人工智能等新興產(chǎn)業(yè)對先進(jìn)制程 DRAM 和 SRAM 拋光片的需求，豐富公司的產(chǎn)品線。

　　“HBM 拋光片 COP-Free 晶體生長工藝研發(fā)項目”通過開發(fā) 穩(wěn)定的HBM用300毫米拋光硅片COP-Free晶體生長工藝，進(jìn)一步降低硅片的 表面晶格缺陷，同時開發(fā)出滿足客戶要求的300mm拋光硅片新產(chǎn)品。本研發(fā)項目的實施，有助于改進(jìn)上海超硅現(xiàn)有 300 毫米拋光硅片晶體生長工藝，豐富公司300mm 硅片產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。

　　“CIS拋光片研發(fā)項目”通過以產(chǎn)線現(xiàn)有技術(shù)為基礎(chǔ)， 結(jié)合各類輔助配件、特氣、清洗路線、設(shè)備背封模式，研發(fā)出符合上海超硅的背封工藝技術(shù)，以匹配下游手機、智能駕駛等對 CIS 產(chǎn)品需求的增長。

　　“SOI 用晶體生長及檢查技術(shù)研發(fā)項目”通過準(zhǔn)確的分析晶體中的各項參數(shù)，從而持續(xù)優(yōu)化SOI的晶體生長制造工藝，降低晶體生長缺陷、提高SOI產(chǎn)品良率，從而使公司的SOI產(chǎn)品滿足客戶要求，提高公司在行業(yè)中的競爭力。

　　《筆尖網(wǎng)》將對上海超硅未來業(yè)績表現(xiàn)及IPO后續(xù)進(jìn)展保持關(guān)注。