快充、工業(yè)、車規(guī)全覆蓋，功率半導(dǎo)體行業(yè)11款新品解讀

前言

在全球功率半導(dǎo)體行業(yè)，技術(shù)創(chuàng)新與市場需求正呈現(xiàn)出前所未有的活躍態(tài)勢。功率器件原廠加速產(chǎn)能擴(kuò)張，關(guān)鍵工藝不斷突破，新品層出不窮，推動整個行業(yè)持續(xù)升級。正因如此，功率半導(dǎo)體賽道正綻放出前所未有的蓬勃活力。為了幫助讀者朋友快速掌握行業(yè)動態(tài)，我們整理了近期數(shù)十款具有代表性的新品案例，從硅MOS到功率模塊，力求讓大家在一篇文章中盡覽功率半導(dǎo)體的最新發(fā)展與趨勢。

CRMICRO華潤微

華潤微推出MSOP9系列車規(guī)半橋模塊

華潤微全新MSOP9系列車規(guī)級半橋功率模塊是在MSOP8封裝平臺基礎(chǔ)上的全新升級成果，其綜合性能已達(dá)到國際先進(jìn)水平。該系列創(chuàng)新性地將NTC熱敏電阻集成于模塊內(nèi)部，顯著提升了集成度與系統(tǒng)可靠性。相較上一代產(chǎn)品，MSOP9具備更優(yōu)的參數(shù)一致性、更小的封裝尺寸和更高的功率密度，模塊及系統(tǒng)的雜散電感更低，頂部散熱能力也遠(yuǎn)超傳統(tǒng)貼片產(chǎn)品。同時，其可靠的電氣隔離設(shè)計滿足AEC-Q101與AQG324汽車電子功率模塊認(rèn)證要求，為汽車電子系統(tǒng)提供高效、穩(wěn)定的解決方案，并在推動汽車芯片國產(chǎn)化進(jìn)程中發(fā)揮了積極作用。

MSOP9系列在應(yīng)用層面具備顯著優(yōu)勢。模塊內(nèi)置精準(zhǔn)的溫度傳感器，可直接監(jiān)測芯片核心溫度，實現(xiàn)主動過溫防護(hù)，有效提升系統(tǒng)壽命與功率輸出能力。傳感器引腳與同電位的功率/控制引腳相鄰設(shè)計，使布局更加緊湊，既簡化了PCB布線并滿足爬電距離要求，又提升了信號抗干擾能力。其貼片式封裝便于靈活裝配，能夠在OBC、DC-DC等橋式拓?fù)淦脚_中實現(xiàn)更低的系統(tǒng)雜感和更高的熱效率，從而優(yōu)化冷卻系統(tǒng)設(shè)計，降低PCB尺寸與BOM復(fù)雜度，全面助力新能源汽車電源系統(tǒng)的高效可靠運(yùn)行。

FM富滿微

富滿微推出兩款I(lǐng)PM功率模塊

富滿微正式推出單相半橋智能功率模塊FMM05N60HE0，面向無刷直流電機(jī)驅(qū)動等低功率變頻應(yīng)用領(lǐng)域。該模塊內(nèi)部集成兩顆 650V/5A 低導(dǎo)通阻抗 MOSFET 與一顆智能化 HVIC 高壓柵極驅(qū)動電路，并內(nèi)置高低側(cè)欠壓保護(hù)、過流保護(hù)、過溫保護(hù)、SD 使能關(guān)斷、FO 故障輸出、雙高互鎖與死區(qū)時間等多項安全功能，確保系統(tǒng)運(yùn)行的高效與可靠。同時，模塊集成自舉二極管，簡化外圍電路設(shè)計，兼容 3.3V~15V 寬范圍信號輸入電壓，為系統(tǒng)設(shè)計提供更高靈活性。

FMM05N60HE0 采用高絕緣、優(yōu)異散熱性能的 CSOP-13L 封裝，具備穩(wěn)定可靠的環(huán)境適應(yīng)性，適用于洗衣機(jī)、空調(diào)、水泵及風(fēng)機(jī)等多種電機(jī)控制場景。憑借高集成度與完善的保護(hù)機(jī)制，該模塊在家電與工業(yè)控制市場中，為高效、緊湊的變頻驅(qū)動方案提供了新的選擇。

同時推出的還有一款三相全橋智能功率模塊，F(xiàn)MS10N60HD8是一款面向無刷直流電機(jī)驅(qū)動的三相全橋智能功率模塊，專為洗衣機(jī)、水泵、風(fēng)機(jī)等中低功率變頻應(yīng)用而設(shè)計。該模塊內(nèi)部集成6個低損耗650V/10A IGBT與3個半橋HVIC高壓柵極驅(qū)動電路，具備欠壓保護(hù)、過流保護(hù)、SD使能關(guān)斷及溫度輸出等多重安全功能，確保系統(tǒng)在復(fù)雜環(huán)境中依然穩(wěn)定可靠。此外，F(xiàn)MS10N60HD8采用高絕緣、易散熱的DIP-25D封裝，并集成自舉二極管，簡化外圍設(shè)計，顯著提升系統(tǒng)集成度與散熱性能。

值得一提的是，F(xiàn)MS10N60HD8為每一相獨(dú)立設(shè)置負(fù)直流端，便于分別檢測電流，從而實現(xiàn)更精準(zhǔn)的電機(jī)控制。其輸入端兼容3.3V與5V信號電平，并支持高電平有效邏輯，滿足多樣化的控制需求。憑借優(yōu)異的電氣性能與完備的保護(hù)機(jī)制，該模塊為家電及小功率工業(yè)驅(qū)動系統(tǒng)提供了一種高效、可靠且易于集成的解決方案。

Infineon英飛凌

英飛凌推出針對工業(yè)與消費(fèi)類應(yīng)用優(yōu)化的OptiMOS 7功率MOSFET

英飛凌以應(yīng)用為導(dǎo)向推出全新OptiMOS 7功率MOSFET系列，面向工業(yè)與消費(fèi)市場，擴(kuò)展了原有汽車級產(chǎn)品組合。該系列針對不同應(yīng)用場景進(jìn)行專門優(yōu)化，覆蓋高性能開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動及RDS(on)優(yōu)化等領(lǐng)域，為多樣化系統(tǒng)提供高效可靠的解決方案。

其中，OptiMOS 7 25 V系列專為開關(guān)應(yīng)用設(shè)計，面向中間總線轉(zhuǎn)換器、通信設(shè)備與服務(wù)器SMPS等場景，提供硬開關(guān)與軟開關(guān)兩種優(yōu)化版本，RDS(on)降低至多20%，F(xiàn)OM提升達(dá)25%。OptiMOS 7 40 V系列則聚焦電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用，具備更低導(dǎo)通電阻、更強(qiáng)抗噪與三倍擴(kuò)大的SOA范圍，可有效降低電壓過沖并提升惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定性，適用于電動工具與園藝設(shè)備等高可靠性需求場合。

英飛凌推出采用全新EasyPACK C封裝的碳化硅功率模塊

英飛凌推出全新 EasyPACK C 系列產(chǎn)品，作為EasyPACK 封裝家族的最新成員，首款產(chǎn)品集成了 CoolSiC MOSFET 1200 V G2 技術(shù)，并采用英飛凌專有的 .XT 互連技術(shù)。該模塊在降低靜態(tài)損耗、提升可靠性方面表現(xiàn)出色，可滿足工業(yè)領(lǐng)域?qū)Ω吣苄c可持續(xù)發(fā)展的需求。借助 CoolSiC MOSFET G2 技術(shù)，新產(chǎn)品的功率密度較上一代提升逾 30%，使用壽命延長至 20 倍，導(dǎo)通電阻降低約 25%。全新的 EasyPACK C 封裝設(shè)計進(jìn)一步提升了功率密度與布局靈活性，為更高電壓等級的產(chǎn)品奠定了基礎(chǔ)，而 XT互連技術(shù)則有效延長了器件壽命。

該系列模塊可在結(jié)溫高達(dá) 200°C 的過載工況下穩(wěn)定運(yùn)行，配備全新PressFIT壓接引腳，電流承載能力提升一倍，同時降低PCB溫升并優(yōu)化裝配流程。改進(jìn)的塑封材料與硅凝膠設(shè)計確保其在最高 175°C 的結(jié)溫下依然可靠運(yùn)行，并具備 3 kV AC/1 分鐘的隔離等級。EasyPACK C 系列模塊提供多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包括三電平與H橋配置，并可選擇含或不含熱界面材料版本，助力系統(tǒng)實現(xiàn)更高能效、更長壽命及卓越的耐高溫性能。

英飛凌推出首款100V車規(guī)級GaN

英飛凌正式推出CoolGaN 100V G1 車規(guī)級晶體管，并開始提供符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的預(yù)量產(chǎn)樣品，涵蓋CoolGaN 高壓（HV）車規(guī)晶體管及多種雙向開關(guān)。此舉體現(xiàn)了英飛凌在滿足汽車行業(yè)多樣化需求方面的持續(xù)創(chuàng)新能力——從適用于低壓車載信息娛樂系統(tǒng)的 100V GaN 晶體管，到面向車載充電器與牽引逆變器的高壓解決方案。隨著汽車功能不斷增加，如高級駕駛輔助系統(tǒng)、氣候控制和信息娛樂系統(tǒng)，對高效功率轉(zhuǎn)換的需求持續(xù)上升，同時需最大限度降低電池能量損耗。GaN 材料憑借更高能效、更小尺寸和更低系統(tǒng)成本，成為實現(xiàn)高能效電源解決方案的關(guān)鍵技術(shù)。

在軟件定義汽車由12V向48V系統(tǒng)轉(zhuǎn)型的過程中，GaN 基功率轉(zhuǎn)換方案可顯著提升性能，并支持線控轉(zhuǎn)向、實時底盤控制等先進(jìn)功能，進(jìn)一步優(yōu)化駕乘體驗。憑借高能效與緊湊封裝優(yōu)勢，英飛凌全新的 CoolGaN? 100V 晶體管系列特別適用于區(qū)域控制、主 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、高性能輔助系統(tǒng)及 D 類音頻放大器等車載應(yīng)用場景。

LONTEN龍騰

龍騰半導(dǎo)體推出650V F系列IGBT新品

龍騰半導(dǎo)體正式推出四款全新650V F系列IGBT產(chǎn)品，涵蓋15A、20A及40A電流規(guī)格，專為高頻、高效電源設(shè)計打造。新品采用低飽和壓降設(shè)計（VCE(sat)典型值僅1.5V），具備極低導(dǎo)通損耗與快速關(guān)斷特性（Eoff最低僅0.19mJ），在提升系統(tǒng)效率的同時顯著降低能耗與熱損失，充分滿足高頻開關(guān)場景需求。

據(jù)龍騰實驗室實測數(shù)據(jù)顯示，該系列IGBT在關(guān)斷損耗上達(dá)到國內(nèi)外同代競品平均水平，靜態(tài)損耗表現(xiàn)更為優(yōu)異。產(chǎn)品在效率、熱管理與可靠性方面實現(xiàn)全面平衡，兼顧高效運(yùn)行與溫控表現(xiàn)，適用于電焊機(jī)、便攜儲能、不間斷電源（UPS）、逆變器及充電機(jī)等多類高性能電源系統(tǒng)。此次發(fā)布標(biāo)志著龍騰半導(dǎo)體在中高壓功率器件領(lǐng)域再進(jìn)一步，為高頻高效電源應(yīng)用提供了更具競爭力的解決方案。

ROHM羅姆

羅姆推出二合一SiC模塊DOT-247

羅姆推出全新二合一結(jié)構(gòu)SiC功率模塊 “DOT-247”，適用于光伏逆變器、UPS及半導(dǎo)體繼電器等工業(yè)應(yīng)用。新模塊兼具傳統(tǒng)TO-247封裝的通用性與更高的設(shè)計靈活性和功率密度，為高性能電源系統(tǒng)提供更優(yōu)解決方案。隨著光伏逆變器向高電壓方向發(fā)展，三電平NPC、T-NPC及五電平ANPC等多電平電路需求迅速增長。ROHM通過將半橋與共源兩種拓?fù)浼蔀槎弦荒K，使“DOT-247”成為適配多電平電路的理想選擇。該模塊不僅提升設(shè)計自由度，還能有效縮小電路尺寸。

“DOT-247”通過將兩個TO-247封裝結(jié)構(gòu)一體化設(shè)計，配合更大芯片及ROHM獨(dú)有內(nèi)部結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了更低導(dǎo)通電阻；其熱阻較傳統(tǒng)TO-247降低約15%，寄生電感降低約50%。在半橋結(jié)構(gòu)中，功率密度可達(dá)傳統(tǒng)TO-247的2.3倍，同時體積減少近一半。新產(chǎn)品提供半橋與共源兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可靈活應(yīng)用于NPC電路與DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種功率拓?fù)洌@著減少元件數(shù)量與安裝面積，加速系統(tǒng)小型化并降低設(shè)計與裝配成本。產(chǎn)品陣容包括750V耐壓的4款型號（SCZ40xxDTx）及1200V耐壓的4款型號（SCZ40xxKTx），已于2025年9月起以月產(chǎn)1萬顆規(guī)模量產(chǎn)。此外，符合AEC-Q101汽車級標(biāo)準(zhǔn)的版本將于2025年10月起提供樣品。

羅姆推出SCT40xxDLL系列TOLL封裝的SiC MOSFET

羅姆宣布正式量產(chǎn)TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列。與同等級耐壓和導(dǎo)通電阻的TO-263-7L封裝產(chǎn)品相比，新系列散熱性能提升約39%，體積縮小約26%，厚度減半至僅2.3mm，在小型化的同時可實現(xiàn)更高功率輸出。該系列具備750V漏源耐壓，較常規(guī)TOLL產(chǎn)品更高，可在浪涌電壓下抑制柵極電阻、降低開關(guān)損耗，適用于高功率密度服務(wù)器電源、儲能系統(tǒng)（ESS）及扁平化工業(yè)電源等應(yīng)用。產(chǎn)品覆蓋13mΩ至65mΩ導(dǎo)通電阻共6款型號，已于2025年9月起量產(chǎn)，樣品價為5,500日元/個（不含稅）。

SK時科

時科推出高速低阻的100V的NMOS SKG95N10AD

時科推出的SKG95N10AD N溝道功率MOSFET，具備100V耐壓、95A連續(xù)電流、5.5mΩ超低導(dǎo)通電阻和優(yōu)化溝槽型DMOS結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)高速開關(guān)、低損耗與高可靠性的平衡。其超低導(dǎo)通阻抗和快速開關(guān)特性，能夠顯著降低能量損耗和EMI干擾，同時具備卓越雪崩耐量（405mJ）和優(yōu)異熱設(shè)計（PDFN 5×6封裝、RθJC 0.65℃/W），保證系統(tǒng)在高頻、高電流與復(fù)雜負(fù)載下穩(wěn)定運(yùn)行。

SKG95N10AD廣泛適用于快充電源、LED照明、DC/DC轉(zhuǎn)換模塊及工業(yè)控制系統(tǒng)等高功率應(yīng)用場景。晶圓層面的溝槽DMOS設(shè)計提升了電流均勻性與低阻抗性能，封裝層面的高散熱結(jié)構(gòu)和多點(diǎn)焊接引腳保證大電流穩(wěn)定傳輸，形成晶片—封裝—系統(tǒng)的三重安全防護(hù)。憑借高效能、可靠性和兼容性，SKG95N10AD為中高功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)提供核心驅(qū)動力，助力快充、工業(yè)控制與通信電源在高能效時代實現(xiàn)更穩(wěn)定、更節(jié)能的運(yùn)行。

時科推出一款專為高壓系統(tǒng)設(shè)計的1200V SiC MOSFET SKSC120N080G1-ST7

時科推出的SKSC120N080G1-ST7——一款專為高壓系統(tǒng)設(shè)計的N溝道碳化硅功率MOSFET，具備1200V耐壓、30A連續(xù)電流和80mΩ低導(dǎo)通電阻。憑借SiC材料高擊穿電場、高導(dǎo)熱率與低柵極電荷特性，該器件在高壓、高頻、高溫環(huán)境下仍能實現(xiàn)高速開關(guān)與低能耗表現(xiàn)，支持高功率密度與高效率設(shè)計。TO-263-7L封裝結(jié)合優(yōu)異散熱性能與工業(yè)級可靠性，通過雪崩測試及結(jié)溫175°C的驗證，為系統(tǒng)提供穩(wěn)健安全保障。

SKSC120N080G1-ST7廣泛適用于光伏逆變器、儲能變換、電動汽車車載充電器、快充樁、UPS及工業(yè)變頻器等場景。其高效率、低損耗與高速特性可提升能量轉(zhuǎn)換效率、縮小系統(tǒng)體積、減輕散熱壓力，實現(xiàn)高頻化設(shè)計與精確控制。同時，從芯片、封裝到內(nèi)部銅框結(jié)構(gòu)的三重優(yōu)化，確保器件在高壓、高負(fù)載及浪涌環(huán)境下長期可靠運(yùn)行。

Vishay威世

威世推出四款采用eSMP系列 SlimSMA HV（DO-221AC） 封裝的新型第七代整流器

威世近日發(fā)布四款采用 eSMP 系列 SlimSMA HV （DO-221AC） 封裝的第七代 1200 V FRED Pt 超快恢復(fù)整流器——VS-E7JX0112-M3、VS-E7JX0212-M3 及其通過 AEC-Q101 認(rèn)證的汽車級版本 VS-E7JX0112HM3、VS-E7JX0212HM3。新器件針對工業(yè)與汽車應(yīng)用優(yōu)化，在同類產(chǎn)品中實現(xiàn)了正向壓降 VF 低至 1.45 V、反向恢復(fù)電荷 Qrr 低至 105 nC （典型值）、恢復(fù)時間僅 45 ns 的優(yōu)異平衡，同時具備低結(jié)電容（典型 2.5 pF）和高浪涌能力（達(dá) 21 A）。器件采用 2.6 mm × 5.2 mm 緊湊封裝，厚度僅 0.95 mm，比傳統(tǒng) SMA 更薄，CTI ≥ 600 、滿足 IEC 60664-1 高壓應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)，支持系統(tǒng)小型化并降低 BOM 成本。

憑借平面結(jié)構(gòu)和鉑摻雜壽命控制技術(shù)，新一代整流器在確保可靠性的同時顯著降低開關(guān)損耗并提升系統(tǒng)效率，可在 +175 °C 下穩(wěn)定運(yùn)行。其廣泛適用于反激輔助電源的鉗位、緩沖與續(xù)流電路、自舉驅(qū)動高頻整流，以及為快速開關(guān) IGBT 和 Si/SiC MOSFET 提供去飽和保護(hù)。典型應(yīng)用涵蓋工業(yè)驅(qū)動與電動工具、EV 車載充電器與電機(jī)、儲能與發(fā)電系統(tǒng)，以及 ?uk 和 SEPIC 等工業(yè) LED 電源。器件符合 RoHS 及 無鹵 標(biāo)準(zhǔn)，濕敏等級達(dá) J-STD-020 1級。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

近期功率半導(dǎo)體領(lǐng)域新品涵蓋GaN、SiC以及各類功率模塊等，從快充到工業(yè)系統(tǒng)應(yīng)用、，幾乎覆蓋了當(dāng)前市場多個應(yīng)用場景。通過對華潤微、富滿微、英飛凌、龍騰、羅姆、時科威世這幾家廠商新品的介紹，我們可以清晰看到行業(yè)在高效率、低損耗以及可靠性等方面的持續(xù)突破。