內存短缺潮、光電子加速滲透、邊緣AI回歸......德銀總結2026年六大科技硬件交易主題

德銀在12月10日發布的2026年歐洲科技硬件行業報告中認為，2026年科技硬件將由六大主題主導：內存短缺、AI擠壓主流組件、光電子加速滲透、先進封測升級、800V電源架構改革及邊緣AI回歸增長。

市場正經歷劇烈的價格波動，內存短缺已從單純的組件風險升級為宏觀層面的關切。據追風交易臺消息，德銀分析師Robert Sanders團隊在研報中表示，過去三個月，DRAM現貨價格暴漲300-400%，NAND閃存同步大漲200%，且漲勢正向合約價快速傳導。

與此同時，AI 支出持續擠占主流電子組件供應，光電子、先進封測、800V 電源架構等技術賽道加速爆發，邊緣 AI 已在多個領域形成落地態勢。多重變量正重構行業競爭格局。

這些趨勢將直接影響消費電子、智能手機、數據中心等關鍵終端市場，推動產品迭代延遲、配置調整與價格波動，同時為半導體設備、功率器件、光模塊等細分領域帶來結構性投資機會，部分龍頭企業估值有望突破歷史區間。

內存短缺持續發酵，WFE 支出成核心推手

數據顯示，過去三個月DRAM現貨價格飆升300-400%，其中DDR4現貨價達到每GB17美元，DDR5為13-14美元；NAND閃存關鍵標桿產品TLC512Gb現貨價也上漲200%，供應商議價能力顯著增強。

合約價同樣呈現快速上漲態勢，Trendforce數據顯示，2025年第四季度PCDRAM合約價環比上漲25-30%，服務器DRAM環比漲幅高達43-48%，11月晶圓級NAND合約價環比漲幅介于20-60%之間。市場普遍預期，隨著渠道庫存耗盡，2026年上半年DRAM和NAND合約價將再漲30-50%。

這一短缺態勢將持續至2027年，推動晶圓制造設備（WFE）支出超預期增長，尤其利好DRAM相關設備企業。德銀預測，ASML等半導體設備龍頭的估值可能突破常規25-30倍的2027年預期市盈率區間，ASML目標價已上調15%至1150歐元，對應35倍2027年預期市盈率。

AI支出引發組件擠壓，主流電子領域承壓

AI支出的爆發式增長加劇了關鍵組件的供應緊張，對低中端智能手機、PC等主流電子領域構成持續阻力。內存、無源器件、光組件及硬盤驅動器（HDD）的供應受限，使得議價能力較弱的OEM廠商陷入被動。

研報援引據路透社報道，Realme相關負責人表示，內存成本的陡峭上漲可能迫使公司在2026年6月前將手機價格提高20-30%。Dell首席運營官Jeff Clarke也在財報電話會議中稱，當前成本上漲速度史無前例。

相對而言，汽車行業因擁有獨立產線受沖擊較小，但Nokia和Ericsson等網絡設備廠商可能面臨無源器件等組件的供應壓力。Raspberry Pi、Soitec等對智能手機行業暴露度較高的企業，將直面經營壓力。

光電子/光子學加速滲透，數據中心成核心場景

德銀表示，AI數據中心的帶寬需求爆炸式增長，推動光電子/光子學技術成為行業增長的核心引擎。當前多數AI數據中心采用以太網或InfiniBand搭配可插拔光模塊，未來將逐步向高速可插拔光模塊、線性可插拔光學（LPO）及共封裝光學（CPO）演進，以實現更低功耗和延遲。

LPO通過線性驅動器替代完整DSP，顯著降低功耗與延遲；CPO則將光引擎緊鄰交換機/xPU部署，大幅提升能效，這兩種技術均推動硅光子學（SiPho）的滲透率快速提升。Tower Semi計劃在2025年底將硅光子產能翻倍，并在2026年中再擴大三倍，目標2026年硅光子銷售額達到9億美元，較2024年的1.05億美元實現跨越式增長。

研報提出，相關企業已積極布局搶占市場份額，Nokia通過Elenion交易獲得自有SiPho平臺，并正在圣何塞擴建光子芯片工廠，產能將提升25倍，其AI數據中心相關訂單年初至今已增長3倍；Soitec的SOI晶圓在低插入損耗單模波導領域占據主導地位，是GFF otonix和TowerPH18平臺的首選方案。

測試與先進封測熱度攀升，技術升級打開成長空間

德銀表示，AI加速器復雜度提升與產品價值增長，推動測試與先進封測成為半導體產業鏈的關鍵增長點。隨著AI加速器封裝集成的芯粒數量增加，產品報廢成本呈指數級上升，促使企業大幅增加測試預算，英偉達等客戶正積極擴大測試覆蓋范圍，推動高成本測試方案的普及。

研報認為，臺積電計劃在2022-2026年間將AI測試產能以80%的復合年增長率擴張，OSATs也在2026年積極擴產以緩解產能約束。先進封測領域，2.5DCoWoS產能持續緊張，臺積電和OSATs均在加碼相關投入，同時行業正向3D封裝積極遷移，蘋果計劃2026年在高端筆記本電腦（M5Pro、M5Max）中首次采用臺積電的3D封裝方案SolC-mH。

HBM領域的技術升級進一步打開封測市場空間，2026-2027年HBM4E和HBM5有望從TCB工藝轉向無焊劑TCB或D2W混合鍵合工藝，以支持16層及以上堆疊；Intel的PowerVia背側供電技術則將推動W2W混合鍵合趨勢加速。Technoprobe憑借在探針卡領域的優勢直接受益于測試需求增長，Besi則在混合鍵合領域與臺積電深度合作，有望在高堆疊HBM量產中獲得更大市場份額。

800V電源架構轉型，GaN機遇與風險并存

德銀表示，英偉達推動AI數據中心從48V向800V電源架構轉型，成為功率半導體領域的重要變革，氮化鎵（GaN）作為核心器件迎來發展機遇，但市場樂觀情緒已出現過度反應跡象。當前48V架構在高功率傳輸中存在嚴重功率損耗和銅纜成本問題，800V架構通過高壓低電流傳輸，可顯著提升效率并降低銅纜使用量，同時借鑒電動汽車快充技術，簡化供電鏈路。

這一轉型涉及電網接口、機架級DC/DC轉換和板級電源三個關鍵階段，電網接口需升級為固態變壓器（SST），采用SiC開關和高頻磁元件；機架級轉換依賴高壓GaN、SiC等器件實現高效降壓；板級電源則面臨傳統橫向VRM與垂直/共封裝電源的技術路線競爭，谷歌已在TPU中部署垂直電源，能耗較GPU降低60-65%。

從市場前景來看，AI處理器功耗預計將從2023年的7GW增長至2030年的70GW，為GaN和SiC創造巨大市場空間，Infineon預計到2030年其AI電源可尋址市場規模將達到80-120億歐元。

但德銀警告，Aixtron股價自2025年11月3日Kerrisdale報告發布以來已上漲28%，且面臨兩項券商上調評級，當前市場對GaN的樂觀預期可能已過度，若800V架構部署因技術挫折或其他因素延遲，相關企業將面臨估值回調風險。相比之下，Infineon憑借率先實現300mmGaN量產的優勢，在數據中心領域的市場份額有望持續提升。

邊緣AI打破沉寂，輕量化部署開啟千億市場

邊緣AI歷經多年蟄伏后，2026年將迎來適度增長態勢，成為科技硬件行業不可忽視的新增長點。所謂邊緣AI，是指在終端設備或本地邊緣節點開展輕量化AI處理，無需依賴云端重型計算，其核心優勢在于保障數據隱私、降低傳輸延遲，同時大幅節省數據中心建設與運營成本。

德銀在研報中表示，從應用場景來看，邊緣AI已在多個領域形成落地態勢。汽車ADAS系統、視頻安防設備、工業控制終端成為核心應用場景，Rockwell近期推出基于英偉達NemotronNano的專用小型語言模型（SLM），依托開源模型與英偉達Nemo技術，為工業環境提供邊緣生成式AI能力；Ambarella透露，其涉及設備端AI處理的邊緣AI業務，2025年已占公司營收的80%。消費電子、可穿戴設備、智能家居等領域則成為潛在增長極，合計占據邊緣AI設備市場約70%的機會空間。

市場規模有望實現高速擴張，SHDGroup預測，到2030年邊緣AI設備收入將達到1030億美元，2025-2030年復合年增長率高達21%；CEVA更預計，其物理AI與邊緣AI的可尋址市場規模到2030年將突破1700億美元。輕量化蒸餾模型的迭代為行業增長提供關鍵支撐，HuggingFace榜單顯示，MicrosoftPhi-3.5-mini-Instruct、DeepSeek-R1-Distil-Owen-1.5B等參數小于30億的模型已具備較強實用性，推動邊緣AI在低算力設備上的普及。