浸潤式光刻之父再次證明，中國可研發出5納米，但成本是個問題

被譽為浸潤式光刻機之父的臺積電前研發副總裁林本堅接受媒體采訪的時候再次表示，中國大陸或許在沒有EUV光刻機的情況下研發出5納米工藝，利用現有的浸潤式DUV光刻機就能生產出5納米，浸潤式DUV光刻機有這樣的潛力。

林本堅在臺積電做研發工作的時候就研發出了浸潤式光刻機技術，不過當時占據領先地位的日本光刻機企業佳能、尼康等在干式光刻機技術上處于巔峰，并不愿意投入巨資研發浸潤式光刻機，而一直在光刻機行業苦苦掙扎的ASML卻認為是一個機會而找上了臺積電。

在雙方合作之下，ASML迅速研發出浸潤式光刻機并交付給臺積電，由此ASML迅速崛起，至2008年左右，ASML已超越日本的光刻機企業成為業界老大，由于這種合作關系，此后ASML一直都與臺積電保持著深度的合作關系。

后來ASML又獲得美國的EUV光刻機技術支持，而研發出EUV光刻機，由此ASML徹底成為光刻機行業的龍頭，可以說正是臺積電將浸潤式光刻機技術交給了ASML才為ASML奠定了光刻機龍頭老大的地位。

作為浸潤式光刻機技術提出者的林本堅也就被賦予了浸潤式光刻機之父的頭銜，如此情況下林本堅當然知道浸潤式光刻機的潛力，事實上當年臺積電也是先用浸潤式DUV光刻機生產7納米工藝，用多重曝光的方式生產出7納米，只是這樣做確實會導致成本過高。

之后臺積電生產第二代7納米工藝的時候就用上了EUV光刻機，性能得到顯著提升、功耗也明顯下降，此后臺積電一直用著EUV光刻機開發5納米、3納米乃至2納米工藝。

值得注意的是三星已開始使用二代EUV光刻機生產2納米工藝，而臺積電則繼續用著第一代EUV光刻機生產2納米，這凸顯出臺積電在技術方面的優秀，而臺積電繼續用一代EUV光刻機生產2納米，在于二代EUV光刻機的成本實在太高了，二代EUV光刻機比一代貴了兩倍。

林本堅的說法將鼓勵中國大陸的芯片行業進一步挖掘現有的浸潤式DUV光刻機的潛力，據悉當下中國大陸的芯片企業很可能利用浸潤式DUV光刻機生產出接近臺積電7納米工藝的芯片，而這也是在臺積電、三星、Intel之后第四家生產出7納米工藝的企業。

或許中國在7納米工藝上取得成功之后，已開始研發5納米工藝，中國有豐富的芯片技術人才，而如今對于中國來說研發先進工藝非常重要，成本暫時被放在一邊，只要研發出5納米工藝那就對中國芯片行業具有極為重要的意義，可以為中國推進先進芯片技術發展提供支持，為研發自己的先進光刻機、先進芯片技術提供緩沖時間。

有業界人士就認為中國在芯片制造的其他環境已自研出更先進的設備，重要性僅次于光刻機的刻蝕機就已達到3納米技術水平，凸顯出中國在芯片技術方面有很大的潛力，而以更先進的刻蝕機與現有的浸潤式DUV光刻機相配合研發5納米的難度也會小一些。

借助相當于7納米的工藝，中國在手機芯片、AI芯片方面都已取得顯著的進展，早前美國允許英偉達對中國繼續出售定制版的AI芯片H20，中國企業就放棄了采購，估計就是中國芯片已研發出可以媲美H20乃至性能更強的AI芯片，如果5納米再取得突破，中國芯片必將步上新臺階。