英諾賽科推出200A級低壓GaN電機驅動方案

前言

在低壓電機驅動場景下，傳統硅MOS面臨顯著瓶頸。由于硅MOS自身特性在大電流工作時會產生較大的導通損耗和熱量，同時需要更高的散熱設計成本，直接增加了系統成本，也占用更多PCB面積。此外，硅MOS開關速度有限，高頻PWM驅動時開關損耗較高，難以滿足高性能電機的控制需求。

與此同時，硅MOS在高溫和高頻下的性能衰減也限制了其在緊湊型電機驅動系統中的應用。死區時間與體二極管反向恢復效應帶來的瞬態電流尖峰和EMI問題，使得系統設計更加復雜。正因如此，英諾賽科順勢推出INNDMD72V200A1低壓GaN電機驅動方案，集高性能、高集成度與高可靠性于一體，成為成為高效、緊湊型電機驅動方案的理想選擇。

INNDMD72V200A1核心優勢

英諾賽科推出的低壓GaN電機驅動方案INNDMD72V200A1，基于低壓GaN HEMT技術，驗證了多管并聯結構下的損耗與熱性能，并搭載FOC無位置傳感器算法，支持實時電機測試，為方案落地提供了充分的數據支撐。該方案采用三相逆變拓撲結構，核心器件包括3顆INS2040QC 驅動IC和24顆INN100EBD018EAD 100V耐壓GaN分立器件，輸入電壓范圍為48~72Vdc，可持續輸出相電流有效值最大200A，同時支持低邊電流采樣，實現精準控制。

在性能方面，INNDMD72V200A1具有強大的帶載能力，在72V母線自然冷卻條件下最大相電流可達90.8Arms，風冷5m/s時可達 203.7Arms，而在48V母線下自然冷卻也可達96.2Arms。方案采用英諾賽科自研驅動IC+GaN器件的4管并聯結構，從驅動環路到功率環路均經過精心優化，充分發揮GaN器件的高頻、低損耗特性，有效提升系統功率密度，適用于對體積和效率有嚴格要求的應用場景。

此外，方案配套完整的電驅測試平臺，控制板集成FOC無感算法，支持低邊采樣，可直接連接電機進行實時測試和性能驗證，大幅縮短開發周期。實測數據顯示，無論在不同母線電壓還是散熱條件下，系統均表現出優異的帶載能力和熱穩定性。

INNDMD72V200A1適用于機器人關節驅動、無人機推進、低壓大功率伺服電機及工業自動化設備，為新一代電機驅動系統提供了高效率、小體積、強帶載能力的完整解決方案。

英諾賽科INNDMD72V200A1簡介

英諾賽科INN100EBD018EAD是一款高性能的氮化鎵功率晶體管，采用EN-FCLGA 5*6封裝。具備1.1mΩ的超低導阻、19nC的柵極電荷、100nC的輸出電荷，以及無反向恢復電荷。這些特性使得該器件在開關速度、開關損耗和導通損耗方面優于傳統的硅MOSFET，特別適合用于電機驅動等硬開關應用。

英諾賽科INS20400QC簡介

INS20400QC是英諾賽科推出的一款高性能200V集成半橋柵極驅動器，采用QFN 4*4封裝，專為驅動低壓氮化鎵設計。該芯片支持2A拉電流和4A灌電流，具有低靜態電流、快速傳播延遲和精確的延遲匹配，提供高可靠性和優化的EMI性能。該驅動器適用于高頻LLC諧振轉換器、圖騰柱PFC、工業電機驅動等高壓大功率應用，具有高集成度、寬電壓范圍和互鎖功能等優勢。

充電頭網總結

英諾賽科INNDMD72V200A1低壓GaN電機驅動方案，充分發揮英諾賽科旗下低壓氮化鎵器件在高頻、低損耗方面的優勢，實現了高效、緊湊的電機驅動解決方案。通過多管并聯結構和自研驅動IC的優化設計，方案在不同母線電壓和散熱條件下均表現出色的帶載能力與熱穩定性，顯著提升了系統功率密度和可靠性。

配套完整的電驅測試平臺及FOC無感控制算法，使開發者能夠快速進行電機性能驗證和系統調試，縮短開發周期。INNDMD72V200A1方案廣泛適用于機器人關節驅動、無人機、低壓大功率伺服電機及工業自動化設備，為新一代高性能電機驅動系統提供了高效率、小體積、強帶載能力的完整解決方案，充分體現了低壓GaN在電機驅動領域的應用潛力和技術優勢。