臺積電2nm迎來勁敵!

臺積電穩坐龍頭，英特爾 18A 破局？2027 年晶圓代工格局將迎關鍵對決

全球晶圓代工龍頭臺積電持續加碼 2 納米制程、CoWoS（晶圓級系統集成）及 SoIC（系統級芯片集成）領域布局，鞏固領先優勢；而英特爾（Intel）也在該賽道加速追趕，近期傳出重磅消息 —— 。與此同時，聯發科亦在先進封裝領域納入 EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）解決方案，積極爭取更多產能支持，全球晶圓代工市場競爭漸趨白熱化。

一、英特爾 18A 攜雙技術 + 本土制造，劍指 “讓英特爾再次偉大”

芯片業內人士分析，英特爾 18A 制程祭出兩大核心利器 ——RibbonFET（納米帶晶體管）與 PowerVia（背部供電技術），再疊加美國本土制造的政策紅利，其 CEO 陳立武（Lip-Bu Tan）有望推動 “MIGA”（讓英特爾再次偉大）戰略落地。不過從當前產能規模來看，臺積電依舊遙遙領先，短期內難以撼動其市場主導地位。

值得關注的是，英特爾在代工訂單拓展與技術節點推進上全面提速，已讓全球晶圓代工格局出現松動。半導體業內人士指出，蘋果選擇英特爾 18A 制程具有多重合理性：即便僅用于入門級 M 系列芯片，這一合作也具備極強的行業指標意義，堪稱打破臺積電長期獨占蘋果芯片代工業務的關鍵突破口。除遵循行業 “培養第二供應商” 的慣例以分散供應鏈風險外，蘋果此舉更核心的考量是響應美國本土制造相關政策，契合美國政府推動科技產業鏈本土化的趨勢。

二、聯發科 “跨廠協作”：臺積電先進制程 + 英特爾 EMIB-T 封裝

聯發科同樣在積極布局先進封裝領域，目前正爭取英特爾 EMIB-T（增強型 EMIB）技術的產能支持。據悉，谷歌 TPU（張量處理單元）芯片出貨量預期上調，但臺積電 CoWoS 封裝產能持續緊缺，成為行業產能瓶頸。在此背景下，聯發科正緊急招募具備 EMIB 相關技術經驗的工程師，計劃采用 “跨廠協作” 模式：將臺積電 2 納米、3 納米制程生產的裸片（die），通過英特爾 EMIB-T 技術進行封裝。

據了解，EMIB-T 支持最大 120×180 毫米的大芯片封裝尺寸，技術路徑與臺積電 CoWoS-L（大尺寸 CoWoS）高度相似，可滿足高性能芯片的集成需求，為聯發科在高端芯片市場的競爭增添籌碼。

三、18A 制程成熟超預期，英特爾量產提速

這一市場格局變化的核心前提，是英特爾 18A 制程的成熟速度超出行業預期。此前外界普遍擔憂，同時導入 RibbonFET 與 PowerVia 兩大新技術會導致良率爬坡緩慢，但半導體業內人士透露，背部供電技術反而減少了 EUV（極紫外光）光刻的曝光次數，不僅簡化了制造流程，更優化了成本結構，讓 18A 制程具備更強的價格競爭力。此外，在納米片結構設計上，英特爾采用難度更高的 4 片堆疊方案，進一步提升了晶體管運算速度與芯片性能。

目前，英特爾 18A 制程的良率優化進展順利，產能實現穩定爬坡：該制程已于 2025 年 10 月正式啟動量產，2025 年第四季度進入高產能生產階段。供應鏈消息顯示，基于 18A 制程的首款 Panther Lake 系列芯片（單品 SKU）將于 2025 年底前亮相，2026 年初正式供貨。芯片業內人士表示，未來將有更多客戶與英特爾合作推進 14A 制程研發，以規避最先進制程依賴單一供應商的供應鏈風險。

四、2027 年成關鍵節點，臺積電仍握核心優勢

盡管英特爾進展迅猛，但業界普遍認為，臺積電短期內仍將穩居晶圓代工行業龍頭地位。尤其是在高階 GPU、AI ASIC 芯片所依賴的 CoWoS 與 SoIC 先進封裝產能方面，臺積電的技術成熟度與產能規模目前仍難以被英特爾替代。

行業普遍預測，全球晶圓代工市場的真正競爭將在 2027 年后逐步成型：屆時臺積電 2 納米制程將進入成熟量產階段，產能與良率進一步優化；而英特爾 18A 制程的客戶群體也將持續擴大，形成規模化出貨能力，雙方才會進入可量化的直接競爭階段。

圖源：工商時報(臺)

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