75歲芯片大佬潛逃美國！帶核心技術機密，中國半導體經濟警報拉響

2025年11月，臺積電前資深副總羅唯仁，剛從臺積電退休三個月，就以英特爾執(zhí)行副總裁的身份高調亮相。

更令人沒想到的是，臺灣那邊還爆料稱，他離職前偷走了20箱關于臺積電2納米、A16制程的手寫筆記和技術文件。

那么，他到底是如何偷走的，難道是想把臺積電的“底蘊”都送給英特爾嗎？

前言

2025 年下半年，一則涉及半導體行業(yè)核心技術轉移的消息引發(fā)全球產業(yè)關注。

75 歲的臺積電前核心技術高管羅唯仁在退休三個月后，正式加盟美國英特爾公司，隨身攜帶動輒二十余箱包含先進制程數(shù)據(jù)的機密資料，其中涵蓋臺積電 2 納米工藝、A14 及 A16 芯片核心技術參數(shù)等關鍵信息。

這一事件不僅打破了半導體行業(yè)人才流動的常規(guī)邊界，更觸及了全球技術競爭與供應鏈安全的敏感神經，為正處于關鍵發(fā)展期的中國半導體經濟帶來嚴峻挑戰(zhàn)。

技術轉移

羅唯仁的職業(yè)軌跡呈現(xiàn)出顯著的行業(yè)特殊性。

他早年任職于英特爾，積累了深厚的美國半導體企業(yè)運營經驗，54 歲時加入臺積電后，主導多項核心技術研發(fā)，個人持有 1500 余項專利，從 28 納米到 2 納米的關鍵制程突破均有其參與，被行業(yè)視為 “技術壁壘奠基人”。

臺積電為留住這一核心人才，將其退休年齡從 67 歲延長至 75 歲，足見其在企業(yè)中的戰(zhàn)略地位。

2025 年 7 月退休時，臺積電法務部門已明確提醒其遵守競業(yè)禁止義務，羅唯仁當時承諾將進入學術機構，卻在三個月后低調加盟英特爾，擔任高級副總裁，負責晶圓代工業(yè)務核心板塊，直接對接微軟、特斯拉等美系客戶及臺積電亞利桑那廠訂單。

這一變動發(fā)生在美國大力推動半導體產業(yè) “本土回流” 的背景下，英特爾作為美國本土科技巨頭，在先進制程領域長期落后于臺積電，羅唯仁的加入被外界解讀為縮短技術差距的關鍵布局。

根據(jù) 2025-2030 中國半導體產業(yè)供應鏈安全評估報告，全球半導體產業(yè)鏈呈現(xiàn)區(qū)域集中化趨勢，美國通過出口管制、產業(yè)扶持等政策，持續(xù)強化對核心技術的掌控。

羅唯仁攜帶的機密資料包含先進制程的研發(fā)方案、良率控制參數(shù)等核心信息，這些技術是臺積電維持全球代工優(yōu)勢的關鍵，也是中國臺灣地區(qū)半導體產業(yè)的核心競爭力所在，其流向直接影響全球產業(yè)格局。

保密體系漏洞與監(jiān)管應對困局

事件暴露出臺積電內部保密機制的執(zhí)行缺陷。

為防范核心技術外流，臺積電設立 “脫敏制度”，要求即將退休的高管調離核心研發(fā)崗位，但羅唯仁在調任企業(yè)策略發(fā)展部后，仍能通過人脈獲取研發(fā)數(shù)據(jù)，并在退休前打包帶走大量手寫筆記形式的機密資料。

后續(xù)搜查結果顯示，這些資料中包含未公開的 2 納米制程關鍵參數(shù)，直接觸及企業(yè)知識產權核心。

中國臺灣地區(qū)監(jiān)管層面的應對過程同樣引發(fā)關注。

事件初期，相關部門以 “屬個人職業(yè)選擇” 為由淡化處理，直至輿論嘩然后，才啟動檢調調查，考慮撤銷其工研院院士榮譽。

有行業(yè)分析指出，當前半導體行業(yè)競業(yè)協(xié)議存在天然局限性，18 個月的競業(yè)期難以有效約束核心技術人才，而跨區(qū)域執(zhí)法的復雜性進一步增加了監(jiān)管難度。

從產業(yè)安全角度看，該事件并非個例，而是全球技術爭奪的縮影。

數(shù)據(jù)顯示，中國半導體產業(yè)在高端制程設備、EDA 工具等領域對外依存度超過 70%，核心技術人才的流動直接關系到供應鏈安全。

臺灣工業(yè)總會在 2025 工總白皮書中明確提出，半導體產業(yè)的可持續(xù)發(fā)展需要穩(wěn)定的技術保護體系與兩岸產業(yè)協(xié)同，而技術外流事件恰恰擊中了當前體系的薄弱環(huán)節(jié)。

對中國半導體產業(yè)的連鎖影響

羅唯仁事件對中國半導體產業(yè)的影響已逐步顯現(xiàn)。

臺積電作為全球最大晶圓代工廠，其 2 納米技術是未來 5-10 年的核心競爭力，技術參數(shù)泄露可能導致三星等競爭對手加速追趕，削弱臺灣地區(qū)在全球半導體產業(yè)鏈中的優(yōu)勢地位。

臺積電赴美建廠已投入 1650 億美元，核心技術外流可能進一步加劇技術與產能雙重轉移的風險。

對大陸半導體產業(yè)而言，臺灣地區(qū)是產業(yè)鏈重要組成部分，臺積電技術優(yōu)勢的削弱將影響兩岸產業(yè)協(xié)同效率。

根據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)，2024 年中國半導體市場規(guī)模已突破 2500 億美元，占全球份額接近三分之一，國產替代進程正處于關鍵窗口期。

核心技術的外流不僅加劇了大陸企業(yè)的追趕難度，也讓美國在先進制程領域的壟斷地位得到強化，進一步壓縮了中國半導體產業(yè)的發(fā)展空間。

事件還引發(fā)行業(yè)對人才管理的重新審視。當前中國半導體產業(yè)正處于快速擴張期，2022-2024 年投融資總額連續(xù)三年突破 3000 億元，但核心技術人才缺口仍達數(shù)十萬。

如何在吸引人才的同時建立有效的技術保護機制，成為全行業(yè)面臨的共同課題。北方華創(chuàng)、中微公司等大陸設備企業(yè)已開始強化內部保密體系，通過技術分級管理、離職審計等方式防范風險。

結語

羅唯仁事件以極端方式暴露了全球半導體產業(yè)技術競爭的殘酷性，也為中國半導體經濟敲響了安全警鐘。

在全球化退潮與地緣政治博弈加劇的背景下，核心技術與人才已成為產業(yè)競爭的核心要素，任何保密體系的漏洞都可能引發(fā)連鎖反應。

中國半導體產業(yè)經過十年跨越式發(fā)展，已成為全球市場增長的重要引擎，但高端制程依賴、核心技術外流風險等問題依然突出。

未來，構建韌性強、可控性高的產業(yè)生態(tài)迫在眉睫。

這需要企業(yè)層面完善保密機制與人才管理體系，強化知識產權保護；需要監(jiān)管層面建立跨區(qū)域協(xié)同執(zhí)法機制，填補制度漏洞；更需要產業(yè)層面加快自主創(chuàng)新步伐，提升核心技術自給率。

根據(jù)規(guī)劃，國家大基金三期將帶動超萬億元社會資本投入半導體設備、核心材料等領域，推動國產自給率在 2030 年提升至 50% 以上。

唯有形成技術、人才、制度的多重保障，才能在全球產業(yè)競爭中站穩(wěn)腳跟，實現(xiàn)中國半導體產業(yè)的高質量可持續(xù)發(fā)展。