為提升獲利，DRAM三巨頭“分道揚鑣”

12月5日消息，面對當前DRAM市場供不應求、價格持續上漲的局面，三星電子、SK海力士、美光這三大DRAM采取了不同的應對策略：三星電子擬減產HBM3E來擴大通用DRAM供給；而SK海力士則聚焦擴大數據中心/企業級所需的DRAM產品的供給，但也考慮擴大通用DRAM供給；美光則完全轉向了滿足數據中心/企業級需求，甚至不惜砍掉自己的消費類品牌。

三星電子擬削減HBM3E約40%產能，擴大通用DRAM供給

據韓國媒體DealSite近日報導，為助力公司實現明年利潤最大化的目標，三星電子正考慮大幅削減基于其10nm級制程的第四代（1a）DRAM芯片HBM3E的產能，以便將生產重心轉移到利潤率高于當前HBM3E的10nm 級第五代 (1b) 制程的通用DRAM芯片上。

一位熟悉該三星內部情況的負責人表示：“我們內部正在討論將 30-40% 的 1a DRAM 產能轉換為1b DRAM。”他補充道：“如果我們將成熟工藝線（例如 1z）的轉換投資也算進去，我們將確保每月額外獲得 8 萬片（基于晶圓）的 1b DRAM 產能。”

目前三星HBM3 和HBM3E 均基于1a nm 制程的DRAM制造，而三星電子的1b DRAM則主要用于生產通用DRAM產品，包括DDR5、LPDDR5X等，也有部分會用于生產GDDR7。即將量產的HBM4 則基于1c nm及1b nm 制程技術的DRAM產能來生產。

雖然三星HBM3E良率已有顯著提升，今年下半年也加入了英偉達的HBM3E供應鏈，但其供應量仍然有限。因為英偉達已經從SK海力士和美光獲得了足夠的供貨量。同時，三星供給英偉達這些大客戶的HBM3E價格也要比競爭對手更低，這也導致了三星當前的HBM3E產品的營業利潤率預計只有30%左右。此外，英偉達、AMD都計劃從明年開始將其主要產品的需求過渡到HBM4，這也將導致對于HBM3E需求減少。業內人士預計，從明年開始，12層HBM3E產品的年均售價可能還將下降30%以上，這也意味著三星HBM3E的利潤率可能會進一步降低。

與此同時，由于人工智能（AI）的旺盛需求、HBM搶占標準DRAM產能、短期內DRAM擴產幅度有限等原因，導致基于1b DRAM產能的通用DRAM產品供不應求、價格持續上漲。根據預計，在經過價格上漲之后，三星基于1b DRAM產能的DDR5等通用DRAM的營業利潤率將超過60%，遠高于HBM3E產品。因此，對于三星來說，降低HBM3E產能，擴大標準DRAM產出將更有利可圖。

一位半導體行業人士也解釋說：“三星雖然通過了英偉達的HBM3E認證測試，并開始供貨。但明年三星在英偉達HBM3E供應鏈中的份額將只有個位數”，并且“由于HBM3E與通用DRAM的盈利能力差距很大，目前生產HBM3E實際上是在賠錢。 ”

雖然，減產HBM3E所釋放的1b DRAM產能也可以被用于HBM4，但三星目前主要是計劃用1c DRAM產能來制造HBM4，以形成對SK海力士的競爭優勢。相關報道顯示，三星計劃在其目前月產能為2萬片晶圓的1c DRAM生產線上擴大投資，提升至約8萬片晶圓，并將現有成熟工藝升級為1c DRAM工藝，從而在明年年底前將1c DRAM其總產能提升至15萬片晶圓。不過最近有傳聞稱，三星對于HBM4投資開始偏于謹慎，可能也在考慮進一步削減投資。

除了英偉達和AMD之外，三星電子目前也有向博通、谷歌在內的多家大型科技公司供應HBM3E，減產HBM3E可能會影響到他們。但是三星內部人士認為：“如果美光科技由于重新設計HBM4，使得其HBM4市場競爭力下降，其明年的HBM產能仍將集中于HBM3E，因此其他ASIC客戶有望從美光那里獲得更多HBM3E產能。

除了通過減產HBM3E來增加通用DRAM產能之外，三星電子近期也決定將其位于平澤和華城園區的部分NAND閃存生產線改造為通用DRAM生產線，以快速提升通用DRAM產能。因為通用DRAM的價格上漲預計將比NAND Flash的價格上漲持續更長時間。

一位知情人士表示：“三星內部有強烈的趨勢，力爭明年取得優異的外部業績。我們的核心目標是實現比SK海力士更高的營業利潤，并在盈利能力方面明顯超越他們。”該人士補充道：“因此，我們目前的目標是保持DRAM產量的高速增長（與近期半導體行業的復蘇相符），并計劃將大部分產能分配給利潤率較高的通用DRAM。”

事實上，近年來三星與SK海力士兩家公司之間的盈利差距日益擴大。去年，囊括半導體業務的三星DS部門的營業利潤為15.1萬億韓元，而SK海力士的營業利潤則高達23.467萬億韓元。預計今年三星的營業利潤將達到23.6萬億韓元，但是遠低于SK海力士的43萬億韓元。而在2023年半導體行業低迷時期，三星電子DS部門錄得14.8795萬億韓元的營業虧損，也幾乎是SK海力士虧損的7.7303萬億韓元的兩倍。

SK海力士擴大1c DRAM產能，或將增加通用DRAM產出

據韓國媒體報道，為應對旺盛的DRAM需求，SK海力士計劃將DRAM產能投資目標翻了一番。

業界預期SK海力士會將大部分DRAM產能的擴張投資于HBM等數據中心DRAM產品。SK海力士在第三季度財報電話會議上的官方聲明進一步強化了這一預期：“盡管通用DRAM的利潤率可能與HBM相近，但我們不會僅僅因為盈利能力的暫時性變化就立即調整產能結構。”

因此，SK海力士的擴產戰略方向與計劃擴大通用DRAM供給來提升獲利的三星電子截然不同，其更傾向于提高面向數據中心的DRAM產品需求來提升獲利，畢竟SK海力士占據了一半以上的HBM市場份額，其2026年的HBM產能也已經售罄。

所以，SK海力士當前的擴產重心也是擴大HBM產能。比如，SK海力士正在建設的M15X晶圓廠主要是生產1b DRAM，用作HBM3E的核心芯片，計劃于2025年底實現量產，初期月產能為3.5萬片晶圓，未來預計可擴大至5.5萬至6萬片。

另外，據業內人士透露，SK海力士計劃將其1c DRAM月產能從今年的每月2萬片晶圓提升至明年年底的每月16萬至19萬片晶圓，約占其DRAM總產能的三分之一以上。主要生產基地是利川M14、M16晶圓廠，清州M15X也將部分引進1c DRAM生產線。其中，M14將新確保每月13萬片規模的1c DRAM晶圓，M15X將投資3萬片晶圓，M16將投資1萬片晶圓以上。雖然，這些擴產后的1c DRAM雖然不是用于HBM，但是也將主要用于生產GDDR7和SOCAMM2等面向數據中心應用的產品。

根據SK海力士的預期，DRAM短缺的狀況將會持續到2027年底，而新建的用于傳統芯片的新工廠要到2027年或2028年才能有產出。因此，SK海力士也對此表達了擔憂，如果無法向這些終端客戶供貨通用DRAM，他們可能會面臨根本無法做生意的情況。這也使得SK海力士考慮調整策略。

而且，隨著近期通用DRAM價格的持續飆升，SK海力士也意識到了這一趨勢將推動通用DRAM利潤率可能達到與HBM相同、甚至超越。因此，有跡象表明該SK海力士也可能會調整這部分的擴產計劃。

一位前SK海力士官員表示，“SK海力士的HBM營業利潤率約為70%”，并且“明年通用DRAM的利潤率似乎也將達到類似HBM的水平，因此公司正在積極采取措施來反映這一點”。

根據韓國媒體最新的報道顯示，SK海力士新增的1c DRAM產能也將被用于通用DRAM產品DDR5、LPDDR5X，以及GDDR7的制造。

韓國半導體業界的一位相關人士解釋說：“明年SK海力士M14晶圓廠將新確保每月13萬片規模的1c DRAM晶圓，M15X將投資3萬片晶圓，M16將投資1萬片以上。”他接著解釋說：“目前SK海力士也隨著通用DRAM的需求急劇增加，并正在使用季度調價而不是長期供應合同（LTA）的方式來擴大銷售額。”

美光：退出Crucial消費類存儲業務

當地時間2025年12月3日，美國存儲芯片大廠美光科技（Micron）通過官網正式宣布，將退出 Crucial 消費類存儲業務，其中包括在全球主要零售商、電商和分銷商處銷售 Crucial 消費品牌存儲產品。

美光科技執行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana表示：“人工智能驅動的數據中心增長帶動了內存和存儲需求的激增。為了更好地為我們在增長更快的細分市場中的大型戰略客戶提供供應和支持，美光做出了艱難的決定，退出Crucial消費業務。”

簡單來說就是，美光希望通過退出自有品牌 Crucial 消費類存儲業務，以便能夠快速將這部分的產能重新分配到毛利潤率更高的HBM/企業級DRAM和SSD產品上，以滿足AI領域日益增長的需求。

不過，由于HBM4不符合英偉達要求，美光正在重新設計，這也使得其2026年難以在HBM4市場獲得多少訂單，所以其2026年新增的產能會集中于HBM3E的供應，以擴大對英偉達的供應份額。

美光CEO Sanjay Mehrotra今年9月透露，在截至8月的單季度，美光HBM收入增長至近20億美元，整個財年的HBM收入預計達80億美元。

雖然美光也在加大投資建設新產能，比如已經動工的中國臺灣的A5工廠和美國的愛達荷州的ID1晶圓廠，但是遠水解不了近渴，這部分產能要2027年才能開出，且主要也是面向數據中心需求。最新宣布的96億美元在日本廣島建設的新廠，也是用于生產HBM，預計2028年才能有產出。

據路透社的最新報導，在經過大規模的市場調查之后發現，今年10月，谷歌、亞馬遜、微軟和Meta紛紛向美光提出了“無限期訂單”，他們告訴美光，無論價格如何，只要能交付多少，他們就會接收多少。這或許也能解釋，美光為何不惜砍掉自家的消費類品牌來增加數據中心/企業級的供給。

小結：

根據市場研究機構TrendForce預測，2026年全球DRAM供應量將同比增長20%。另據韓國金融機構iM Securities估計，2026年全球DRAM產業的總產量預計將同比增長約19%，其中三星電子預計將增長21%，SK海力士預計增長17%。

從最新的信息來看，三大DRAM原廠都在陸續上調明年DRAM產量增長目標，但是基于自身實際情況、為了提升獲利，三家原廠采取不同的策略。三星直接選擇了減產HBM3E、擴大通用DRAM產能供給；SK海力士則是持續擴大面向數據中心/企業級的DRAM產能供給，但是隨著通用DRAM利潤率持續提升，SK海力士也計劃增加通用DRAM的產出；美光則是一門心思地擴大數據中心/企業級供給，甚至不惜砍掉自己的消費類品牌。但不管策略如何，他們的目標都是提升獲利。

業內人士認為，雖然三大原廠都在積極擴產，但是明年DRAM市場需求的增長量可能會超過產量的擴張。TrendForce也預測，2026年的對于DRAM的需求將同比增長26%，比2025年DRAM供應的20%的增長，將有不小的缺口存在，并預計2026年整體的DRAM平均單價將同比上漲58%。

編輯：芯智訊-浪客劍