什么是 SADP 工藝?
SADP(Self-Aligned Double Patterning,自對準雙重圖形化)
是一種利用spacer刻蝕圖形,從而將線距(pitch)縮小為原來的1/2的技術。
一句話總結(jié):
光刻一次 → 通過一輪 spacer → 得到兩倍密度的圖形(pitch ÷ 2)。
SADP 是 SAQP(四重圖形化)的基礎步驟,也是最常用、最成功的多重圖形化技術之一。
SADP 工藝流程
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Step 1:Core Patterning(光刻 + 刻蝕 core)
使用光刻做出 core(硬掩膜)
Step 2:Spacer Deposition(沉積 spacer)
以 ALD 或 CVD 方式覆蓋在 core 的表面
材料如 SiN / SiO? / SiC
要求:
完全 conformal
厚度精準(決定最終線寬)
Step 3:Spacer Etch(各向異性刻蝕)
去除頂部、底部
只保留側(cè)壁 spacer
結(jié)果:
spacer core spacer
此時結(jié)構 pitch 大約為原來的1/2。
Step 4:Core Removal(去除 core)
去掉中間 core,留下兩條 spacer
這些 spacer 就是新的 mask
Step 5:Pattern Transfer(圖形轉(zhuǎn)移到底層)
利用 spacer 作為最精細的掩膜
刻蝕到硬掩膜或底層薄膜
完成最終 p = p? / 2 的線條。
SADP 與 SAQP 的關系
技術
目的
spacer 次數(shù)
pitch 縮小倍數(shù)
SADP
一次 pitch 分裂
1
1/2SAQP
兩次 pitch 分裂
2
1/4
也就是說:
SAQP = SADP × 2(第二輪 spacer 繼續(xù)分裂)
如有需要1.2L全套微型電鍍槽如下圖,可聯(lián)系Tom
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目前我們有cmp,光刻,鍍膜,鍵合,量檢測的技術群,如需進群,請加Tom微,防失聯(lián):
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