截至10點31分,上證科創板半導體材料設備主題指數下跌0.79%。成分股漲跌互現,天岳先進領漲2.92%,和林微納上漲2.55%,拓荊科技上漲1.63%;先鋒精科領跌4.42%,安集科技下跌3.92%,富創精密下跌3.22%。科創半導體ETF(588170)下跌0.85%,最新報價1.41元。
流動性方面,科創半導體ETF(588170)盤中換手5.46%,成交1.80億元。拉長時間看,截至12月11日,科創半導體ETF(588170)近1周日均成交4.16億元,領先同類。
規模方面,科創半導體ETF(588170)近3月規模增長27.22億元,實現顯著增長。
瑞銀預計,DRAM(動態隨機存取存儲器)供應短缺預計將持續至2027年第一季度,其中DDR內存的需求料增長20.7%,遠超供應增速。NAND閃存的短缺態勢則預計將持續至2026年第三季度。這一短缺局面引發了近30年來最猛烈的一輪價格上漲周期。瑞銀預計,今年第四季度,DDR 合約定價環比上漲35%,NAND閃存價格上漲 20%,漲幅均超出此前預期。2026年第一季度,DDR合約定價將進一步上漲30%,NAND價格上漲20%。
中泰證券指出,存儲芯片為AI時代戰略關鍵環節,既有明確政策支持,又具備持續產業需求,是科技板塊中期核心關注的細分賽道。隨著AI產業爆發,存儲芯片需求大幅增長,價格出現明顯上漲趨勢。
相關ETF:公開信息顯示, 科創半導體ETF(588170)及其聯接基金(A類:024417;C類:024418)跟蹤上證科創板半導體材料設備主題指數,囊括科創板中 半導體設備(61%)和半導體材料(23%)細分領域的硬科技公司。 半導體設備和材料行業是重要的國產替代領域,具備國產化率較低、國產替代天花板較高屬性,受益于人工智能革命下的半導體需求,擴張、科技重組并購浪潮、光刻機技術進展。
半導體材料ETF(562590)及其聯接基金(A類:020356、C類:020357),指數中半導體設備(61%)、半導體材料(21%)占比靠前,充分聚焦半導體上游。
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