半導(dǎo)體早參 | OpenAI推出GPT-5.2系列，內(nèi)存芯片Q4或漲價35%

2025年12月11日，截至收盤，滬指跌0.70%，報收3873.32點(diǎn)；深成指跌1.27%，報收13147.39點(diǎn)；創(chuàng)業(yè)板指跌1.41%，報收3163.67點(diǎn)。科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）漲0.14%，半導(dǎo)體材料ETF（562590）跌0.39%。

隔夜外盤：截至收盤，道瓊斯工業(yè)平均指數(shù)漲1.34%；納斯達(dá)克綜合指數(shù)跌0.25%；標(biāo)準(zhǔn)普爾500種股票指數(shù)漲0.21%。費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)跌0.75%，恩智浦半導(dǎo)體漲0.45%，美光科技跌1.99%，ARM跌3.80%，應(yīng)用材料跌1.83%，微芯科技漲1.75%。

行業(yè)資訊：

1. 被谷歌逼到拉響“紅色警報”后，OpenAI周四（12月11日）終于端出了最新前沿模型GPT-5.2系列。OpenAI特別強(qiáng)調(diào)，GPT?5.2 Thinking是迄今為止最適合現(xiàn)實(shí)世界專業(yè)用途的模型。在評估涵蓋44個職業(yè)的知識型工作任務(wù)的GDPval測試中，有70.9%的對比結(jié)果優(yōu)于或持平于頂尖行業(yè)專業(yè)人士，這些任務(wù)包括制作銷售演示文稿、會計(jì)電子表格、制造流程圖或短視頻等。

2. 瑞銀預(yù)計(jì)，DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）供應(yīng)短缺預(yù)計(jì)將持續(xù)至2027年第一季度，其中DDR內(nèi)存的需求料增長20.7%，遠(yuǎn)超供應(yīng)增速。NAND閃存的短缺態(tài)勢則預(yù)計(jì)將持續(xù)至2026年第三季度。這一短缺局面引發(fā)了近30年來最猛烈的一輪價格上漲周期。瑞銀預(yù)計(jì)，今年第四季度，DDR 合約定價環(huán)比上漲35%，NAND閃存價格上漲 20%，漲幅均超出此前預(yù)期。2026年第一季度，DDR合約定價將進(jìn)一步上漲30%，NAND價格上漲20%。

3. 先進(jìn)封裝技術(shù)正成為人工智能行業(yè)中的一個關(guān)鍵問題，據(jù)一份報告指出，主要供應(yīng)商臺積電目前的先進(jìn)封裝產(chǎn)能已經(jīng)全部預(yù)定完畢，其中英偉達(dá)占到超一半的份額。DigiTimes的一份報告指出，英偉達(dá)已預(yù)訂了臺積電在2026年生產(chǎn)的80萬至85萬片晶圓，與博通和AMD等競爭對手相比，這是一個相當(dāng)大的份額。

國金證券表示，半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的基石，存儲擴(kuò)產(chǎn)與自主可控共振，國產(chǎn)替代空間廣闊。半導(dǎo)體設(shè)備位于產(chǎn)業(yè)鏈上游，是支撐芯片制造與封測的核心產(chǎn)業(yè)。根據(jù) SEMI 的數(shù)據(jù)，2025 年上半年仍以33.2%的份額保持全球最大單一市場地位，國內(nèi)設(shè)備龍頭業(yè)績表現(xiàn)亮眼，2025 年前三季度八家龍頭公司合計(jì)營收同增 37.3%，歸母凈利潤同增23.9%。隨著 AI 大模型驅(qū)動存儲技術(shù)向 3D 化演進(jìn)，疊加長鑫、長存等國內(nèi)存儲大廠擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目落地，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來新一輪高速增長機(jī)遇。

相關(guān)ETF：公開信息顯示， 科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中 半導(dǎo)體設(shè)備（61%）和半導(dǎo)體材料（23%）細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國產(chǎn)替代領(lǐng)域，具備國產(chǎn)化率較低、國產(chǎn)替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求擴(kuò)張、科技重組并購浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。

半導(dǎo)體材料ETF（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356、C類：020357），指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備（61%）、半導(dǎo)體材料（21%）占比靠前，充分聚焦半導(dǎo)體上游。