存儲(chǔ)巨頭掀桌！SK 海力士的新殺招

當(dāng)前，NAND閃存晶圓供應(yīng)進(jìn)一步收緊，部分產(chǎn)品11月份合同價(jià)格漲幅超過(guò)60%。

內(nèi)存價(jià)格上漲顯著推高了消費(fèi)電子產(chǎn)品的物料清單成本，導(dǎo)致智能手機(jī)、筆記本電腦、游戲機(jī)等設(shè)備出貨量減少。

人工智能基礎(chǔ)設(shè)施持續(xù)推動(dòng)NAND閃存需求增長(zhǎng)，全球排名前五的NAND 閃存供應(yīng)商的總營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng) 16.5%，接近 171 億美元。

今年下半年來(lái)，存儲(chǔ)漲價(jià)已經(jīng)成為大眾熱議的話題。未來(lái)，存儲(chǔ)將怎么走？

01

SK 海力士的野心：AI

在最近自家舉行的SKAI Summit 2025峰會(huì)上，SK海力士CEO郭魯正宣布了新的戰(zhàn)略愿景：“全線AI存儲(chǔ)創(chuàng)造者”。并且給出了非常詳細(xì)的產(chǎn)品路線圖，涵蓋了從2026年至2031年的時(shí)間跨度。

具體來(lái)看，SK 海力士有三個(gè)布局：定制化HBM（Custom HBM）、AI DRAM（AI-D）和AI NAND（AI-N）。

在HBM方面，SK海力士將推出HBM4 16層堆疊產(chǎn)品，并從HBM4E開(kāi)始供應(yīng)定制化HBM解決方案。定制化HBM通過(guò)將協(xié)議和控制器從XPU芯片移至HBM基礎(chǔ)裸片，為計(jì)算單元釋放更多空間，顯著降低接口能耗。

在DRAM領(lǐng)域，公司將推出LPDDR5R和LPDDR6等標(biāo)準(zhǔn)解決方案，同時(shí)引入全新的AI DRAM產(chǎn)品線。

NAND方面，將推出PCIe Gen6企業(yè)級(jí)與客戶端固態(tài)硬盤(pán)，以及UFS 5.0等標(biāo)準(zhǔn)解決方案。

2029-2031年，HBM5與3D DRAM問(wèn)世。中長(zhǎng)期規(guī)劃中，SK海力士將全面進(jìn)入HBM5世代。通用DRAM領(lǐng)域?qū)⒖吹较乱淮鶪DDR7、DDR6以及晶體管結(jié)構(gòu)發(fā)生重大變化的3D DRAM面世。NAND部分將實(shí)現(xiàn)400層以上堆疊，并推出PCIe Gen7 SSD和UFS 6.0等產(chǎn)品。

02

第一步，定制化HBM

谷歌第七代TPU即將量產(chǎn)。它的HBM由兩家公司供應(yīng)：SK海力士和三星電子。

SK海力士提供兩種HBM3E芯片：8層版本用于TPU 7，12層版本用于TPU 7e。TPU 7e是TPU 7的改進(jìn)型，目標(biāo)是提升能效。韓國(guó)投資證券預(yù)測(cè)，2025年SK海力士在谷歌TPU HBM供應(yīng)中占56.6%，三星電子占43.4%。Meritz Securities預(yù)測(cè)SK海力士占比為60%。

對(duì)于HBM，SK 海力士有自己的見(jiàn)解。

SK 海力士認(rèn)為，隨著AI市場(chǎng)從商品化拓展到推論效率和優(yōu)化，未來(lái)HBM也將從傳統(tǒng)的產(chǎn)品演變?yōu)槎ㄖ苹漠a(chǎn)品。定制化HBM（Custom HBM）就是把GPU和ASIC的特定功能整合到HBM 基座上的產(chǎn)品。這樣做的結(jié)果有兩個(gè)：一是讓GPU或ASIC的性能發(fā)揮得更充分；二是減少HBM和處理器之間的數(shù)據(jù)傳輸功耗。

SK海力士公開(kāi)表示已收到美國(guó)“七巨頭”成員的定制 HBM 請(qǐng)求，這七大巨頭包括蘋(píng)果、微軟、谷歌、亞馬遜、Nvidia、Meta 和特斯拉。華爾街分析師指出，定制化HBM（cHBM）已經(jīng)從曾經(jīng)的被動(dòng)元件轉(zhuǎn)變?yōu)榫邆溥壿嬎懔Φ闹鲃?dòng)部件，重塑存儲(chǔ)的角色。

定制HBM已經(jīng)成為存儲(chǔ)巨頭競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵。

三星電子已在布局定制化HBM，支持客戶把自有IP集成到基底芯片中。美光表示，HBM4e將體現(xiàn)公司業(yè)務(wù)范式的轉(zhuǎn)變。HBM4e可以為客戶定制，這部分業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)會(huì)改善公司業(yè)績(jī)。

ASIC廠商美滿電子（Marvell）正與美光、三星和SK海力士合作，為下一代XPU定制HBM方案。該公司在其官網(wǎng)博客中寫(xiě)道：“定制是芯片行業(yè)最大的趨勢(shì)之一。到2028年，加速基礎(chǔ)設(shè)施計(jì)算芯片市場(chǎng)將有25%的份額屬于定制芯片。”

Meta和英偉達(dá)正在探討一種新方案：在HBM基底芯片中嵌入GPU核心。他們已就此與SK海力士和三星電子接觸。這個(gè)方案屬于定制化HBM的一部分。它的核心是把GPU運(yùn)算單元直接放在HBM最下層的基底芯片里。目前HBM基底芯片只負(fù)責(zé)通信，HBM4會(huì)在基底芯片中加入控制器。GPU核心集成比控制器更進(jìn)一步。

從市場(chǎng)層面來(lái)看，HBM市場(chǎng)正在發(fā)生變化。過(guò)去以通用型產(chǎn)品為主，即廠商自主開(kāi)發(fā)、量產(chǎn)、推向全行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品。現(xiàn)在開(kāi)始轉(zhuǎn)向定制化產(chǎn)品，即根據(jù)客戶要求設(shè)計(jì)基底芯片，并配套供應(yīng)。這個(gè)轉(zhuǎn)變從HBM4e開(kāi)始。

從存儲(chǔ)企業(yè)的進(jìn)度來(lái)看，三星電子和SK海力士都計(jì)劃在2026年上半年完成HBM4e的開(kāi)發(fā)。HBM4e將用于英偉達(dá)“Rubin”平臺(tái)的旗艦型號(hào)R300。R300計(jì)劃在2027年發(fā)布。為配合發(fā)布時(shí)間，相關(guān)廠商正在推進(jìn)研發(fā)，目標(biāo)是在2026年下半年完成品質(zhì)驗(yàn)證。

三家廠商的技術(shù)路徑不同。三星電子自HBM4起使用自家代工廠工藝制造基底芯片。SK海力士自HBM4起使用臺(tái)積電代工工藝制造基底芯片。美光此前在HBM4中使用自有DRAM工藝制造基底芯片，現(xiàn)在正與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)HBM4e。

03

第二步，AI DRAM

根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，2025年DRAM的資本支出預(yù)計(jì)為537億美元，預(yù)計(jì)在2026年進(jìn)一步成長(zhǎng)至613億美元，同比增長(zhǎng)約14%。

在AI DRAM細(xì)分場(chǎng)景中，SK 海力士進(jìn)一步細(xì)化了三大方向。

第一，AI-D O（Optimization）的優(yōu)化。類似MRDIMM、SOCAMM2、LPDDR5R等低功耗、高性能方案中，降低總體擁有成本（TCO）并提高營(yíng)運(yùn)效率。

MRDIMM技術(shù)的出現(xiàn)，主要是解決數(shù)據(jù)傳輸速率的問(wèn)題，即提升數(shù)據(jù)的運(yùn)力。原理是，使用高速多路復(fù)用器或數(shù)據(jù)緩沖器來(lái)同時(shí)讀取內(nèi)存組并將數(shù)據(jù)傳輸?shù)?CPU。

在美光和英特爾的聯(lián)合測(cè)試中，研究人員使用英特爾Hibench基準(zhǔn)測(cè)試套件中的2.4TB數(shù)據(jù)集進(jìn)行測(cè)試。結(jié)果顯示，在內(nèi)存容量相同的情況下，MRDIMM的運(yùn)算效率相比RDIMM提高了1.2倍；使用容量翻倍的TFF MRDIMM時(shí)，運(yùn)算效率更是提高了1.7倍，內(nèi)存與存儲(chǔ)之間的數(shù)據(jù)遷移減少了10倍。

SK海力士在臺(tái)積電北美技術(shù)論壇上，展示了三款面向先進(jìn)服務(wù)器、速度可達(dá)12800MT/s的MRDIMM產(chǎn)品：標(biāo)準(zhǔn)板型、基于1c nm DRAM的款式容量可達(dá)64GB；采用傳統(tǒng)板型但基于更舊制程的型號(hào)容量可達(dá)96GB；采用更高板型的產(chǎn)品容量則能進(jìn)一步拓展到256GB。

MRDIMM技術(shù)不止SK 海力士關(guān)注。

美光在2024年，全面推出了MRDIMM，提供從32GB至256GB的廣泛容量選項(xiàng)；三星公布了其MRDIMM產(chǎn)品方案，該方案通過(guò)結(jié)合兩個(gè)DDR5組件，實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有DRAM組件帶寬的翻倍，提供高達(dá)8.8Gb/s的數(shù)據(jù)傳輸速率。

第二，AI-D B（Breakthrough）的突破。這方面是克服“存儲(chǔ)墻”的解決方案，這就包含了比較多的前沿技術(shù)了，比如CMM（CXL內(nèi)存模塊）、PIM（Processing-In-Memory，存內(nèi)計(jì)算）。

關(guān)于PIM方面，三星同樣也在研究。今年，三星電子大師級(jí)專家孫教民（音譯）表示，AI產(chǎn)業(yè)對(duì)內(nèi)存性能的需求已經(jīng)超越了當(dāng)前的開(kāi)發(fā)速度，DRAM廠商也在積極開(kāi)發(fā)各種新技術(shù)以提升內(nèi)存集成度。

三星認(rèn)為，主要的下一代DRAM技術(shù)包括PIM、VCT（垂直晶體管通道）、CXL（Compute Express Link），以及LLW（低延遲、高帶寬）DRAM等。三星電子正針對(duì)不同的潛在客戶和應(yīng)用場(chǎng)景同步開(kāi)發(fā)這些技術(shù)，為AI時(shí)代做好準(zhǔn)備。

第三，AI-D E（Expansion）的擴(kuò)展。SK 海力士的目的是，進(jìn)一步擴(kuò)展DRAM的使用案例，不僅限于數(shù)據(jù)中心，還擴(kuò)展至機(jī)器人、移動(dòng)端和工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域，并且這個(gè)擴(kuò)展的方案里包括HBM。

04

第三步，AI NAND

根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，2025年NAND Flash的資本支出預(yù)計(jì)為211億美元，2026年預(yù)計(jì)小幅增長(zhǎng)至222億美元，同比增長(zhǎng)約5%。

在AI NAND方面，SK 海力士同樣提出了三個(gè)方向。

第一，AI-N P（Performance）是一款可在大規(guī)模AI推理環(huán)境中高效處理海量數(shù)據(jù)讀寫(xiě)的解決方案。通過(guò)最小化AI計(jì)算與存儲(chǔ)之間的瓶頸，大幅提升處理速度和能效。公司目前正在以全新架構(gòu)設(shè)計(jì)NAND與控制器，計(jì)劃于2026年底推出樣品。

第二，AI-N B（Bandwidth）加大頻寬。通過(guò)垂直堆疊半導(dǎo)體芯粒來(lái)擴(kuò)大頻寬，做為彌補(bǔ)HBM 容量增長(zhǎng)限制的解決方案。其關(guān)鍵在于將HBM的堆疊結(jié)構(gòu)與高密度且具成本效益的NAND存儲(chǔ)結(jié)合，也就是HBF技術(shù)。

HBF技術(shù)上，SK 海力士可謂是大步前進(jìn)。閃迪與SK海力士于今年8月簽署了諒解備忘錄，雙方將共同制定HBF技術(shù)規(guī)范，并推動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)化。目標(biāo)是在2026年下半年推出HBF存儲(chǔ)器樣品，首批采用HBF的AI人工智能推理設(shè)備樣品預(yù)計(jì)將于2027年初上市。

三星也是有消息傳來(lái)的，據(jù)報(bào)道，三星電子已啟動(dòng)其自有HBF產(chǎn)品的早期概念設(shè)計(jì)工作。報(bào)道稱，三星計(jì)劃利用其過(guò)去在類似技術(shù)和產(chǎn)品方面的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，以滿足面向數(shù)據(jù)中心的高帶寬閃存日益增長(zhǎng)的需求。不過(guò)該開(kāi)發(fā)仍處于早期階段，尚未確定詳細(xì)的產(chǎn)品規(guī)格或量產(chǎn)時(shí)間表。

第三，AI-N D（Density）發(fā)展密度。SK 海力士的目標(biāo)是將密度提高到PB級(jí)別，并實(shí)現(xiàn)一種結(jié)合SSD 速度和HDD 成本效益的存儲(chǔ)解決方案。

05

結(jié)語(yǔ)

當(dāng)前，存儲(chǔ)市場(chǎng)再次進(jìn)入上升周期。

近期新機(jī)普遍漲100-300 元，這只是開(kāi)始。閃迪 3 月、9 月兩輪漲價(jià)后，11 月直接提價(jià) 50%，三星跟進(jìn)部分產(chǎn)品漲幅超 60%，市場(chǎng)節(jié)奏徹底被帶偏。存儲(chǔ)業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)，更大幅度的漲價(jià)還在后面。

這次由AI規(guī)模化應(yīng)用導(dǎo)致的結(jié)構(gòu)性、長(zhǎng)周期缺貨，完全超出所有人預(yù)期。AI的影響下，“存力升級(jí)”須緊隨追趕“算力升級(jí)”步伐。從場(chǎng)景來(lái)看，訓(xùn)練側(cè)容量帶寬需求全面提升，推理側(cè)帶寬需求突出。

未來(lái)，存儲(chǔ)和AI 的綁定只會(huì)越來(lái)越深。