美韓芯片聯合抬價，意外讓中國存儲芯片大賺80億，國產芯片崛起了

中國內存芯片企業表示預計今年盈利20億元以上，而此前三季度虧損近60億，這意味著僅是四季度就將取得80億元以上的盈利，而這一切是因為美韓芯片聯合抬價所致，這恐怕是美韓芯片所沒有想到的。

美日韓壟斷了全球存儲芯片，而日本芯片鎧俠主要是在NAND flash存儲芯片方面還僅位居第二名，而美韓芯片則在DRAM壟斷市場，在NAND flash芯片方面也占據優勢，因此在存儲芯片方面占據優勢的其實是美韓芯片。

占據優勢的美韓芯片多年來其實一直都有搞存儲芯片的價格，在他們的聯手抬價的時候，他們大賺特賺，這其實是有證據的，當年美韓芯片就因為聯手抬價而被美國重罰，可見美韓在存儲芯片行業聯手抬價賺錢是有前例的。

如今美韓存儲芯片無疑是再次聯手抬價賺錢的時候，當然他們也抓住了這個機會，這主要是因為美國AI芯片壟斷NVIDIA的興起大舉搶占了內存芯片市場--NVIDIA需要大量HBM芯片，而HBM芯片這幾年利潤高企，由此諸多內存芯片都將產能轉向HBM芯片，導致DRAM內存產能大跌。

隨著DRAM內存芯片產能下降，DRAM內存條漲價近兩倍，由此美韓存儲芯片大賺特賺，據悉三星、美光、SK海力士等今年的利潤都將倍增，而中國這家內存芯片企業也由此跟著大賺，預估今年全年實現盈利，這將是它自2016年成立以來的首次盈利。

中國存儲芯片與美韓芯片其實存在著不小的糾葛，2016年中國三家存儲芯片企業成立，其中一家存儲芯片企業被美國的芯片企業起訴，另外兩家存儲芯片企業則順利發展起來，到如今他們在全球存儲芯片市場占有了一席之地。

為了走出自己的路，以及另一家存儲芯片企業的教訓，中國的NAND flash存儲芯片企業可謂煞費苦心，從最低端的32層NAND flash芯片做起，積累自己的技術和專利，直到做出了128層NAND flash存儲芯片才大規模量產，后來更曾率先量產232層NAND flash存儲芯片。自然另一家DRAM內存芯片同樣重視自研技術和專利。

眼見著中國存儲芯片取得技術領先優勢，美國聯合日本和荷蘭阻止對中國存儲芯片供應先進的芯片設備和材料，導致中國的存儲芯片技術研發一度停滯，中國存儲芯片因此耗費了近兩年時間建設自主研發的生產線，完全采用國產化設備。

中國存儲芯片因此遭受波折也導致遲遲無法盈利，據悉前后僅是內存芯片中國可能投資的資金就高達460億元，付出了不小的代價，然而如今中國的存儲芯片行業終于取得了回報，不僅讓中國擺脫了對外國存儲芯片的依賴，還擺脫了虧損。

美日韓存儲芯片壟斷存儲芯片行業已有數十年時間，他們也曾試圖繼續壟斷這個行業，甚至還拉攏日本和歐洲的設備來試圖阻止中國存儲芯片的發展，恐怕他們也沒想到他們的圖謀終于破滅了，中國的存儲芯片終于走出了低谷，開始迎來新生，步入新的發展階段。