67A輸出不“虛”：中興ZXDB800 DC-DC隔離電源模塊深度解析

前言

近期，充電頭網拿到一款中興推出的高功率隔離DC-DC電源模塊。該模塊支持DC 38–75V寬范圍輸入，可穩定輸出12V/67A，最大輸出功率達800W。在100×70×32mm的緊湊體積內實現大電流輸出，定位明確指向高效率與高功率密度的通信/數據設備供電需求。

從外觀結構看，該模塊頂部采用大面積鰭片散熱器覆蓋，以實現將熱量快速導出；同時配合多組大電流端子與焊盤陣列、以及多顆濾波電容的儲能配置，體現出其在滿載溫升、動態響應與長期可靠性方面的工程化取向。接下來，充電頭網將結合模塊實物，對這款中興 800W 隔離 DC-DC 模塊的結構設計與用料布局進行進一步解析，看看它如何在寬壓輸入與 67A大電流輸出條件下兼顧效率、散熱與可靠性表現。

中興ZXDB800外觀

中興ZXDB800模塊正面一覽，可見模塊頂部覆蓋大面積散熱片，且鰭片分布密集，便于更快速、高效的將模塊的熱量導出。

中興ZXDB800模塊背面一覽，該模塊的背面從左只有，從上到下，分別為左上角的通信接口、右上角電源輸出接口、以及左下角的電源輸入接口。

從側面可見中心這款模塊主要分為三層，分別是頂層的散熱片、中層的小板以及底部的主板。

該模塊的整體長度為9.79cm。

該模塊的整體寬度為6.99cm。

該模塊的整體厚度為3.07cm。

另外，該模塊的整體重量為246g。

對比可見該模塊明顯大于明信片。

將該模塊放置于成年人掌心，大小如圖所示。

簡單看過該模塊的整體外觀與參數，充電頭網繼續為您帶來該模塊的深度解析。

中興ZXDB800方案解析

先從該模塊的底部看起。

模塊底部的兩個輸出接口連接器來自中航光電。

模塊底部的一個輸入接口連接器來自中航光電。

固定銅柱旁邊的有一個通信接針。

繼續將小板和主板分離。

底部主板正面主要為濾波電路，左側為輸出濾波電容，右側為輸入濾波電容。

一顆瓷片電容，型號為F472M。

輸出低壓固態濾波電容來自尼吉康，耐壓16V，容量為220μF。該電容實際為PLX系列產品，具備低ESR，高容許紋波特性，支持125℃ 3000H長壽特性，并符合AEC-Q200車規認證標準。

輸入端的低壓貼片濾波固態電容同樣來自尼吉康，規格為50V 220μF，該電容屬于UWD系列產品，為芯片低阻抗產品，支持260℃高溫回流焊，符合AEC-Q200標準。

一顆溫度監控芯片來著恩智浦，實際型號為NE1617A，該器件是一款高精度雙通道溫度監測器，同時監測自身溫度及遠程傳感器溫度，采用SSOP封裝。

小板背面并無打膠處理，但可見PCB板中部有隔離變壓器和平面電感。

一個隔離電源數字控制芯片來自德州儀器，實際型號為UCD3138，此控制器靈活的特性使得此器件適合于品種繁多的電源轉換應用。同時，器件內的多重外設已進行了專門優化以提升AC-DC和隔離的DC-DC性能并減少IT和網絡基礎設施空間內的解決方案組件數量。

一顆器件來自英飛凌，實際型號難以辨認。

另一顆器件同樣來自英飛凌，實際型號難以辨認。

一顆運放芯片來自德州儀器，實際型號為OPA335AIDBV，該器件是一顆零漂移單電源CMOS運算放大器，采用SOT23-5封裝。

視角轉向小板背面，將小板頂部蓋板和散熱片先拆下，可見頂蓋上印有該模塊型號——ZXDB800。

小板正面覆蓋有大面積導熱膠，高發熱區域均有覆蓋。

8顆MOS管來自AOS萬國半導體，這是一顆耐壓100V，導阻4.6mΩ的NMOS，采用PDFN-8封裝。

絲印5110-1的芯片來自德州儀器，實際型號為LM5110，該芯片是一顆雙柵極驅動器，以更高的峰值輸出電流和效率取代了行業標準的柵極驅動器。每個“復合”輸出驅動器級包含并聯工作的MOS和雙極晶體管，共同從容性支持超過5A的峰值電流。結合MOS和雙極器件的獨特特性，可減少驅動電流隨電壓和溫度的變化。

一顆二極管，絲印ED83。

另一顆絲印5110-1的芯片來自德州儀器，實際型號同為LM5110。

另一個絲印ED83的二極管。

一個絲印BH W83的器件。

一個絲印LOL744的器件。

一顆NMOS來自英飛凌，實際型號為BSZ097N04LSG，耐壓40V，導阻9.7mΩ，采用TSDSON封裝。

一顆DC-DC轉換芯片來自安森美，實際型號為NCP1031，該芯片是一顆微型高壓單片開關穩壓器，集成了片上功率開關和啟動電路。該芯片在單個IC中集成了實現多種開關穩壓器應用所需的所有有源功率、控制邏輯和保護電路，只需極少的外部元件，例如次級側偏置電源或低功率DC-DC轉換器。

兩顆雙通道數字隔離芯片來自亞德諾，實際型號為ADUM3210TRZ，具備優于光耦合器等替代產品的出色性能特點。

絲印A00A的芯片來自德州儀器，實際型號為LMC7101，該西片是一顆單通道15.5V 1.1MHz運算放大器，采用SOT23-5封裝。

另一側的8顆MOS管來自英飛凌，實際型號為BSC070N10NS3，是一顆耐壓100V，導阻7mΩ的NMOS，采用TDSON-8封裝。

一顆柵極驅動芯片來自德州儀器，實際型號為LM5101A，專用于驅動同步降壓或半橋架構中的高側和低側N溝道MOSFET，采用WSON-10封裝。

另一顆同樣型號的德州儀器柵極驅動器。

以上為本次方案解析的全部內容了，最后來一張全家福。

充電頭網總結

中興ZXDB800屬于典型面向通信以及服務器領域的12V大電流隔離電源模塊，其在38~75V直流寬壓輸入下實現12V/67A、最高800W輸出，并用100×70×32mm的緊湊體積去完成高功率密度落地。結構上以大面積鰭片散熱器+導熱介質覆蓋功率區，配合多組大電流端子與“主板濾波+中層功率小板”的三層堆疊，整體取向就是在滿載工況下把熱、銅損與紋波控制做工程化。

在用料層面，輸入/輸出端采用中航光電連接器，濾波端使用尼吉康低ESR固態電容增強紋波承受與壽命表現；小板則引入TI UCD3138數字電源控制器，配合亞德諾數字隔離器件實現隔離側信號鏈，外圍還有溫度監測NXP NE1617A等做熱管理閉環；功率器件則由多顆100V MOSFET陣列、TI柵極驅動器LM5110/LM5101A共同支撐67A輸出能力。綜合來看，中興ZXDB800的亮點是通過散熱、濾波、隔離與數字控制的系統化設計，把800W隔離DC-DC模塊做成了可直接部署的高密度電源模塊方案。