當1盒內(nèi)存條堪比上海1套房的價格時,只能說明兩件事:市場中段有人有組織的在進行囤積居奇,這部分量沒有到需要的下游生產(chǎn)商手里!其次,這個市場存在擠兌效應(yīng),也可以說這個市場被壟斷了!
目前的市場從價格傳導(dǎo)來看,下游正出現(xiàn)應(yīng)用段價格自己在消化,導(dǎo)致利潤下降!中游制造成本受壓下,供應(yīng)長協(xié)就虧本,不如違約囤貨反向倒逼下游,制造供不應(yīng)求的極端緊張預(yù)期!上游則是不愿增產(chǎn)和調(diào)節(jié)產(chǎn)能,坐等價格進一步上漲!最后的結(jié)果就是誰生產(chǎn)誰就要承包所有鏈條的利潤,畢竟消費端可以不買,但制造生產(chǎn)端不敢不賣!
當然,這對于上游的資源商和基件供應(yīng)商而言,就是難得的春天!而對于大部分經(jīng)濟體來說,只要制造業(yè)規(guī)模大,那么CPI的通脹就會加速,PPI端跌幅也會階段性收窄,直到消費市場和生產(chǎn)市場無法平衡為止,中間的金融行業(yè)也將因為供應(yīng)鏈杠桿大增而明顯受益!
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而我本身專業(yè)就是做金融模式的,所以,這個芯片市場的手法我很熟悉,這次不像傳統(tǒng)的5年供需平衡重置周期,而是有鮮明的現(xiàn)貨控制特征,手法上類似金銀,我個人是懷疑AI巨頭和大型基金已經(jīng)入市控盤!
做這種模型,需要幾個前提條件:(1)市場有高預(yù)期,且市場供需兩端主力集中,否則籌碼分散,控不住量價關(guān)系!此外,如果沒有天然預(yù)期,那就創(chuàng)造焦慮!(2)有第三方的被動參與者,比如金銀有央行,芯片有正常的消費電子企業(yè),這部分參與者是事半功倍的關(guān)鍵!(3)前期主力完成了籌碼收集,且有持續(xù)不斷的散戶流動性通過可控、可清晰預(yù)測的節(jié)點(類似ETF、基金、團隊長)持續(xù)推動量價關(guān)系!
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而一旦完成這種異常的供需價格布局,我們就會發(fā)現(xiàn)(1)市場巨頭開始捂盤,僅少量流動性節(jié)點性參與市場交易(2)市場呈現(xiàn)價格通縮性上漲,這個在當下量化市場中不太容易發(fā)現(xiàn),我們基本就是看ETF規(guī)模,這個來自散戶的越大,證明市場驅(qū)動主力越分散!(3)市場呈現(xiàn)長期加速上漲,突發(fā)性下跌的特征,在確定性暴跌時,大部分人依然會選擇加倉而不是賣出!(4)二級市場出現(xiàn)大型囤貨者,這是市場投機力量壯大的表現(xiàn),囤貨的人越多,價格上漲越高,這種情況下,短期博弈不再是和散戶之間展開,而是通過資金盤,讓第三方囤貨杠桿快速壯大,市場此時進入狂熱期!
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因此,三星作為全球內(nèi)存龍頭,在2026年美國拉斯維加斯消費電子展(CES 2026)上說芯片供應(yīng)短缺,我一點都不奇怪,這類廠家本身就是金融市場最大的參與者,也是壟斷型市場最大的價格節(jié)點控制者,整個上游行業(yè)早就已經(jīng)形成共識,英偉達的供應(yīng)鏈金融早就不局限于美國,而是全球布局,以英偉達為中心,下游是OPENAI,上游是三星、臺積電,中間則是一大堆科技巨頭,更準確的說,這些企業(yè)已經(jīng)組成了一個滾動的圓環(huán)。
但我們還是要理性看待這一預(yù)警,需先厘清短缺的核心成因!
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本輪內(nèi)存芯片短缺的直接推手是AI數(shù)據(jù)中心建設(shè)熱潮催生的高帶寬存儲器(HBM)需求爆發(fā)。AI模型訓(xùn)練與推理對存儲帶寬和容量的極致要求,使得單臺AI服務(wù)器的DRAM配置需求達到傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍,英偉達DGX GB300服務(wù)器機柜甚至需要搭載20TB HBM和17TB DDR內(nèi)存。為搶占高利潤的HBM市場,三星、SK海力士等巨頭紛紛將產(chǎn)能向其傾斜,而HBM的晶圓產(chǎn)能消耗量是標準DRAM的3倍以上,直接擠壓了DDR4、DDR5及SSD等傳統(tǒng)存儲產(chǎn)品的產(chǎn)能,形成結(jié)構(gòu)性供給缺口。
與此同時,存儲行業(yè)產(chǎn)能擴張周期長、投入大,新晶圓廠從建設(shè)到投產(chǎn)需數(shù)年時間,而2026年主要原廠產(chǎn)能增幅僅15%-20%,遠低于20%-25%的需求增速,供需缺口難以在短期內(nèi)填補。
而內(nèi)存芯片作為電子設(shè)備的“核心血液”,其短缺引發(fā)的連鎖反應(yīng)已開始沿著產(chǎn)業(yè)鏈上下游蔓延,最終覆蓋從核心元器件到終端消費的全鏈條。
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我們再從元器件市場價格分布看,上游元器件環(huán)節(jié),漲價已成為普遍趨勢,據(jù)市場數(shù)據(jù)顯示,DDR4 16Gb內(nèi)存價格2025年漲幅高達1800%,256G DDR5服務(wù)器內(nèi)存單條價格超4萬元,1盒100條的價格堪比上海部分房產(chǎn)。
TrendForce預(yù)測,2026年一季度傳統(tǒng)DRAM合約價將環(huán)比增長55%-60%,NAND閃存價格上漲33%-38%。這種漲價直接利好存儲芯片原廠與模組廠商,三星預(yù)計2025年第四季度營業(yè)利潤同比飆升160%,江波龍、佰維存儲等國內(nèi)模組廠也迎來業(yè)績改善,但同時推高了封測、分銷等中間環(huán)節(jié)的運營成本,部分封測廠出現(xiàn)產(chǎn)能緊張,客戶需通過漲價換取產(chǎn)量。
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而中游設(shè)備制造環(huán)節(jié),則正面臨成本承壓與策略調(diào)整的雙重挑戰(zhàn)。
消費電子領(lǐng)域,智能手機、筆記本電腦廠商首當其沖,小米在財報中提及存儲器漲價導(dǎo)致手機毛利率下降,戴爾、小米等品牌已發(fā)出漲價預(yù)警,聯(lián)想則提前囤積內(nèi)存芯片,庫存水平較平時高出50%。
部分廠商為控制成本,不得不調(diào)整產(chǎn)品配置,將原本主推的12GB+512GB版本改為更經(jīng)濟的8GB+256GB,甚至出現(xiàn)拆解庫存手機彌補新機存儲缺口的極端情況。
至于AI與算力設(shè)備領(lǐng)域,成本壓力同樣顯著,英偉達計劃暫停部分中低端顯卡生產(chǎn),AMD擬對全線GPU產(chǎn)品二次提價,漲幅不低于10%,海光信息也提示存儲漲價可能推高服務(wù)器成本。
受此影響,TrendForce已下修2026年全球智能手機和筆記本電腦出貨預(yù)測,分別從微增轉(zhuǎn)為年減2%和2.4%。
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至于下游終端消費與行業(yè)應(yīng)用市場將最終承接成本壓力,說白了就是消費者買單,而錢哪里來,我個人認為產(chǎn)業(yè)段擴大崗位機會不大,估計就靠金融市場了,從上往下看,這么多幾千倍PE,幾百倍PS的上市公司,就是證明很多人有錢了,可以承受高消費和CPI上漲了。
目前,普通消費者,我相信也已能感知到電子產(chǎn)品價格的上漲趨勢,2025年12月主流PC廠商已率先調(diào)價,智能手機漲價也箭在弦上。除消費領(lǐng)域外,智能家居設(shè)備、自動駕駛汽車等依賴存儲芯片的智能終端均會受到波及,因為內(nèi)存已滲透到從無線耳機到130英寸巨幕電視、從車載系統(tǒng)到工業(yè)控制的所有場景。
長期來看,漲價可能抑制部分中低端消費需求,尤其是對價格敏感的新興市場,進而影響整個電子行業(yè)的短期增長節(jié)奏,但是對于高端消費則沒有影響,反而會顯著增加售價及企業(yè)利潤,社會消費供給將向高端傾斜!
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總體而言,三星高管的預(yù)警揭示了AI時代電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新矛盾:核心元器件供給能力與新興技術(shù)需求爆發(fā)之間的不匹配。這一短缺帶來的并非全是負面沖擊,短期雖推高成本、抑制需求,但長期將倒逼行業(yè)技術(shù)升級與供應(yīng)鏈多元化布局。
對于企業(yè)而言,當務(wù)之急是通過長期供貨協(xié)議、戰(zhàn)略囤貨與國產(chǎn)替代保障供應(yīng)鏈穩(wěn)定,不管上中下游,對于巨頭都是利好大于利空,市場份額將進一步向頭部集中!
而對于消費者,理性規(guī)劃設(shè)備更新周期即可,無需過度恐慌,買不起可以不買,買的起可以多買,畢竟一方面科技升級速度很快,一方面價格也是!至于AI的故事能到何地,目前尚未可知中!
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