芯片設(shè)備，創(chuàng)歷史新高

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因AI相關(guān)需求加持，加上受惠臺(tái)積電投資2納米(nm)，日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)(SEAJ)上修2025年度日本制半導(dǎo)體(芯片)設(shè)備銷(xiāo)售額預(yù)估、將續(xù)創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄，且預(yù)估2026年度銷(xiāo)售額將史上首度沖破5兆日?qǐng)A大關(guān)、改寫(xiě)歷史新高。

SEAJ公布預(yù)估報(bào)告指出，因臺(tái)灣晶圓代工廠(chǎng)(臺(tái)積電)的2納米(GAA)投資全面展開(kāi)、加上以HBM為中心的DRAM投資穩(wěn)健，因此2025年度(2025年4月-2026年3月)日本制芯片設(shè)備銷(xiāo)售額(指日系企業(yè)于日本國(guó)內(nèi)及海外的設(shè)備銷(xiāo)售額)自前次(2025年7月)預(yù)估的4兆8,634億日?qǐng)A上修至4兆9,111億日?qǐng)A、將較2024年度增加3.0%，年銷(xiāo)售額將連續(xù)第2年創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄。

SEAJ表示，2026年度(2026年4月-2027年3月)期間，因DRAM投資持續(xù)擴(kuò)大、加上預(yù)期AI伺服器用先進(jìn)邏輯芯片投資增長(zhǎng)，因此將2026年度日本芯片設(shè)備銷(xiāo)售額自前次預(yù)估的5兆3,498億日?qǐng)A上修至5兆5,004億日?qǐng)A、將年增12.0%，年銷(xiāo)售額將史上首度沖破5兆日?qǐng)A大關(guān)、續(xù)創(chuàng)歷史新高。

關(guān)于2027年度(2027年4月-2028年3月)情況，SEAJ指出，因AI相關(guān)需求將持續(xù)維持在高水準(zhǔn)，因此將2027年度日本芯片設(shè)備銷(xiāo)售額自前次預(yù)估的5兆5,103億日?qǐng)A上修至5兆6,104億日?qǐng)A、將年增2.0%，年銷(xiāo)售額有望連續(xù)第4年創(chuàng)下歷史新高。

2025-2027年度期間日本芯片設(shè)備銷(xiāo)售額的年均復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)預(yù)估為5.6%(前次預(yù)估值為4.6%)。日本芯片設(shè)備全球市占率(以銷(xiāo)售額換算)達(dá)3成、僅次于美國(guó)位居全球第2大。

根據(jù)SEAJ公布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2025年11月份日本制芯片設(shè)備銷(xiāo)售額為4,206億7,000萬(wàn)日?qǐng)A、較去年同月增加3.7%，連續(xù)第23個(gè)月呈現(xiàn)增長(zhǎng)，月銷(xiāo)售額連13個(gè)月高于4,000億日?qǐng)A，創(chuàng)下歷年同月歷史新高紀(jì)錄。

累計(jì)2025年1-11月期間，日本芯片設(shè)備銷(xiāo)售額達(dá)4兆6,350億2,100萬(wàn)日?qǐng)A、較去年同期大增16.1%，就歷年同期來(lái)看，遠(yuǎn)超2024年的3兆9,922億3,500萬(wàn)日?qǐng)A、創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄。

根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(WSTS)最新公布的預(yù)測(cè)報(bào)告顯示，因AI資料中心投資將成為主要推動(dòng)力，帶動(dòng)記憶體、GPU等邏輯芯片需求將維持高成長(zhǎng)，因此預(yù)估2026年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額將年增26.3%至9,754.60億美元，將逼近1兆美元大關(guān)、連續(xù)第3年創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄。

全球半導(dǎo)體設(shè)備創(chuàng)紀(jì)錄

AI投資活絡(luò)，今年(2025年)全球半導(dǎo)體(芯片)制造設(shè)備銷(xiāo)售額預(yù)估將創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄，且預(yù)估明后兩年(2026-2027年)將持續(xù)成長(zhǎng)、改寫(xiě)歷史新高。

國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)16日在SEMICON Japan 2025上發(fā)表2025年末全球芯片設(shè)備市場(chǎng)預(yù)測(cè)報(bào)告，2025年全球芯片設(shè)備(新品)銷(xiāo)售額預(yù)估將年增13.7%至1,330億美元，將創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄，且預(yù)估明后兩年將持續(xù)增長(zhǎng)，2026年預(yù)估將成長(zhǎng)至1,450億美元、2027年成長(zhǎng)至1,560億美元，將持續(xù)改寫(xiě)歷史新高紀(jì)錄。

SEMI指出，推動(dòng)芯片設(shè)備銷(xiāo)售持續(xù)增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力，來(lái)自于先進(jìn)邏輯、記憶體、先進(jìn)封裝技術(shù)導(dǎo)入等AI相關(guān)投資。

SEMI CEO Ajit Manocha指出，「全球芯片設(shè)備銷(xiāo)售穩(wěn)健，前段制程和后段制程領(lǐng)域?qū)⑦B續(xù)3年成長(zhǎng)、2027年將史上首度突破1,500億美元大關(guān)。在7月發(fā)表年中預(yù)測(cè)后，支撐AI需求的投資較預(yù)期更加活絡(luò)，因此上修了芯片設(shè)備銷(xiāo)售預(yù)估」。

SEMI指出，2025年全球芯片前段制程制造設(shè)備(晶圓廠(chǎng)設(shè)備；WFE、Wafer Fab Equipment)銷(xiāo)售額預(yù)估將年增11.0%至1,157億美元，較今年年中(7月)預(yù)估的1,108億美元進(jìn)行上修，將高于2024年的1,040億美元、續(xù)創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。 SEMI指出，會(huì)上修WFE銷(xiāo)售預(yù)估，主要是反映AI運(yùn)算需求推動(dòng)DRAM及HBM投資超乎預(yù)期的活絡(luò)，加上中國(guó)持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能對(duì)WFE需求帶來(lái)重大貢獻(xiàn)。因先進(jìn)邏輯及記憶體需求增加，2026年全球WFE銷(xiāo)售額預(yù)估將年增9.0%、2027年進(jìn)一步年增7.3%至1,352億美元。

SEMI表示，截至2027年為止，中國(guó)大陸、中國(guó)臺(tái)灣、南韓有望持續(xù)維持芯片設(shè)備采購(gòu)額前3大的位置。在預(yù)測(cè)期間內(nèi)(截至2027年為止)，因中國(guó)將持續(xù)對(duì)成熟制程、特定先進(jìn)節(jié)點(diǎn)進(jìn)行投資，預(yù)估將維持龍頭位置，不過(guò)2026年以后成長(zhǎng)將放緩、銷(xiāo)售額預(yù)估將逐步下滑。在臺(tái)灣，藉由大規(guī)模擴(kuò)增最先進(jìn)產(chǎn)能、2025年設(shè)備投資預(yù)估將持續(xù)穩(wěn)健。在南韓，因?qū)Π琀BM在內(nèi)的先進(jìn)記憶體技術(shù)進(jìn)行巨額投資、將支撐設(shè)備銷(xiāo)售。

在其他區(qū)域部分，藉由政府獎(jiǎng)勵(lì)、在地化布局以及擴(kuò)大特殊用途產(chǎn)品產(chǎn)能，預(yù)估2026年和2027年的投資將會(huì)增加。

（來(lái)源：moneyDJ）

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