“TCL中環(huán)”左手光伏右手半導(dǎo)體，潛力多大？

昨天講TCL科技，原本是沒打算講TCL中環(huán)的，但是有朋友找我討論了一下中環(huán)的問題，討論的信息差不多就是一篇文章了，所以順便整理講一下。

不打算講是因為太慘了，2024年是虧損王，虧損高達(dá)98億，去年又預(yù)計虧損82億~96億，公司有史以來總共才賺了180億，這兩年就差不多全虧完了。

但是我們也不要單純拿著這個利潤數(shù)字片面的看待中環(huán)，中環(huán)還是有潛力的，至少公司很努力。

前幾天不是發(fā)布公告，準(zhǔn)備投資一道新能嗎，這對雙方肯定是都有好處的。

中環(huán)主要做硅片，組件產(chǎn)能很小，只有24GW，而且就這點產(chǎn)能還不能滿產(chǎn)，所以中環(huán)不算組件核心玩家，屬于產(chǎn)業(yè)鏈中間環(huán)節(jié)。

也幸虧公司在大尺寸硅片上有技術(shù)優(yōu)勢，否則會受到上游硅料和下游組件的雙重擠壓，但是這個優(yōu)勢又不足以提高自身的行業(yè)地位，因為性價比不高，光伏不一定非要用大尺寸硅片。

所以中環(huán)如果想要在光伏里面突圍，好像也只能往上游或者下游跑，硅料肯定跑不通了，除非通威倒下，否則沒有任何人有入局的可能性，那就只能是組件了。

對于中環(huán)和一道新能來說，也算是抱團(tuán)取暖，有利于各自的產(chǎn)業(yè)鏈延伸。

但能不能抱在一起還是有問題的，通威當(dāng)時準(zhǔn)備收購潤陽，不是也黃了，原因很簡單，對買方來說，行業(yè)都已經(jīng)這個樣子了，你也混成這個樣子了，我當(dāng)然只愿意低價買。

對賣方來說，我辛辛苦苦奮斗這么多年，雖然現(xiàn)在是低谷，但是潛力擺在那，只要行業(yè)回暖，我的價值立馬就會上去，所以肯定不能賤賣。

雙方的想法都沒錯，所以這是很難調(diào)和的矛盾，中環(huán)和一道新能也會有這個問題，所以在塵埃落定之前，都還有變數(shù)。

而且一道新能的體量并不小，中環(huán)還真拿不出很大一筆錢出來，自己已經(jīng)這么艱難了，TCL科技同樣也很難。

所以這筆交易成功概率最高的可能性，就是一道新能欠了中環(huán)不少錢，主要以債換股，然后中環(huán)象征性出點錢，可能這是雙方都相對比較容易接受的。

對于一道新能來說，我本來就欠了你這么多錢，把公司給一部分給你來抵債，只要價格過得去也行，對于中環(huán)來說，你這個錢一時半會反正收不回來，那么打點折當(dāng)成股份也不是不可以。

當(dāng)然這只是猜測，一道新能有沒有欠中環(huán)的錢，或者欠了多少外界是不知道的，有一點是確定的，一道新能并不是中環(huán)的前五大客戶之一，所以就算有欠款，估計也不會很多。

我并沒有太關(guān)注過一道新能，不知道一道新能有沒有公布過，反正這個事還早著，等著看下文就可以了。

即便這筆交易成了，我覺得其實也就那樣，一道新能最大看點是他在海外分布式光伏市場表現(xiàn)挺不錯，其他的沒什么。

這一點也說明TCL中環(huán)是在繼續(xù)努力，希望在光伏領(lǐng)域突圍的。

至于公司的潛力，很多人說更多的還是在半導(dǎo)體硅片上，大尺寸硅片對于光伏是雞肋，但對芯片是很重要的，尺寸大一點，單塊硅片生產(chǎn)出來的芯片就多一點，是可以降低成本的。

但是目前我們的半導(dǎo)體硅片技術(shù)很落后，全球的市場主要掌握在日本的信越化學(xué)、SUMCO、中國臺灣的環(huán)球晶圓、德國的世創(chuàng)（Siltronic）、韓國的SK Siltron這五家手里，CR5高達(dá)90%左右。

最厲害的就是信越化學(xué)，其次是SUMCO，他們兩家拿走了一半以上的市場。

我們的半導(dǎo)體硅片整個產(chǎn)業(yè)鏈都嚴(yán)重依賴進(jìn)口，上游的高純多晶硅（11N 級）國產(chǎn)化率不到20%，然后設(shè)備端，高端單晶爐國產(chǎn)化率不到20%，拋光設(shè)備國產(chǎn)化率不到10%，檢測設(shè)備幾乎全部依賴進(jìn)口，還有石英坩堝也全部依賴進(jìn)口。

所以材料和設(shè)備都和國際巨頭有很大差距，TCL中環(huán)雖然布局了很多年，但是進(jìn)展很緩慢，這很無奈，這是整個產(chǎn)業(yè)鏈的問題，不是他一家的問題。

這也是TCL中環(huán)目前很少講半導(dǎo)體硅片的原因，產(chǎn)品實在有點拿不出手，他的產(chǎn)品含氧量達(dá)到10.5±0.3ppma，國際先進(jìn)水平式10±0.1ppma，波動范圍都高了3倍，這會導(dǎo)致漏電率上升30%以上。

還有工藝上國際巨頭采用的是磁場輔助直拉法，晶體的均勻性很好，中環(huán)采用的還是常規(guī)直拉法，這會讓良率下降10%以上。

還有缺陷密度中環(huán)高達(dá)0.12-0.15個/cm2，這比別人高出近3倍，這又會讓良率下降10%左右。

還有拋光精度和外延層質(zhì)量，中環(huán)都還有幾倍的差距。

所以高端芯片根本沒法用中環(huán)的硅片，然后14nm-28nm這個制程范圍的，倒是面前可以用，但是良率太低了，這會讓晶圓廠的成本很高。

所以同樣是12英寸的硅片，中環(huán)的硅片和別人的硅片不是一回事，中環(huán)目前有進(jìn)步的是薄片化和切割，但這并不是核心。

所以現(xiàn)在用中環(huán)硅片的主要是中芯國際和華虹半導(dǎo)體，他們生產(chǎn)中低端產(chǎn)品可以用，比如功率器件、傳感器、射頻前端芯片等等，這個對集成度要求沒那么高，主要看成本。

但是像CPU、GPU、DRAM、NAND Flash這些高端芯片，對硅片的純度以及眾多性能要求極高，是光伏硅片的1000倍以上，中環(huán)還任重道遠(yuǎn)。

不過有差距也代表有進(jìn)步空間，所以說這也是中環(huán)的潛力，畢竟大陸的玩家只有滬硅產(chǎn)業(yè)、TCL中環(huán)和立昂微這三家拿得出手。

領(lǐng)先的是滬硅產(chǎn)業(yè)，現(xiàn)在他的12英寸硅片，已經(jīng)勉強(qiáng)能用在14nm的制程，良率雖然低一點，但是支持國產(chǎn)嘛，而且他也在努力向7nm前進(jìn)。

滬硅產(chǎn)業(yè)是掌握磁場輔助直拉法工藝的，不過技術(shù)也有待提高，含氧量和缺陷密度也不低，不過是產(chǎn)能最大的。

中環(huán)的優(yōu)勢是掌握區(qū)熔法工藝，主要用來生產(chǎn)車規(guī)級IGBT，隨著新能源汽車的發(fā)展，給中環(huán)帶來一定的市場。

但是目前國內(nèi)的半導(dǎo)體硅片體量還是太低了，中環(huán)去年上半年半導(dǎo)體業(yè)務(wù)只貢獻(xiàn)了27億的營收，占比很低。

其實整個半導(dǎo)體硅片行業(yè)的體量相對來說也不算大，現(xiàn)在全球市場規(guī)模也才146億美元，到2030年也就200億美元左右。

中國市場規(guī)模那就更小了，去年大概只有350億人民幣左右，到2030年也就600億左右，如果按照本土銷售額口徑，市場規(guī)模大概只有一半。

假設(shè)TCL中環(huán)拿走三分之一的市場份額，你們說有多少增長空間？

這可能也是產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化這么慢的原因，從材料到設(shè)備每個核心環(huán)節(jié)都不高，遠(yuǎn)比不上芯片，因為代價太大了，市場規(guī)模只有那么點大，不劃算。

所以對于TCL中環(huán)來說，在半導(dǎo)體硅片領(lǐng)域，注定只能徐徐圖之，想快都快不了，還不如在光伏領(lǐng)域賭一把，這可能是想投資一道新能的根本原因。

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